电路基础 晶体管与基本放大电路.ppt

3 晶体管与基本放大电路 3.1 晶体管及共射极基本放大电路 3.1.1 晶体管的结构、工作原理和特性 晶体管中参与导电的有自由电子和空穴两种载流子，故又称双极型晶体管。 1.结构 2.晶体管的电流分配与放大原理 2.晶体管的电流分配与放大原理 3.伏安特性 3.伏安特性 4.晶体管的主要参数 3.1.2 共射基本放大电路 3.1.2 共射基本放大电路 3.1.2 共射基本放大电路 3.1.2 共射基本放大电路 3.1.2 共射基本放大电路 3.1.2 共射基本放大电路 2.放大电路的非线性失真 2.放大电路的非线性失真 3.构成放大电路的基本原则 构成共射放大电路的基本原则： （1）建立合适的静态工作点，保证发射结正向偏置、集电结反偏。 （2）确保输入信号加在晶体管发射结，输出信号加到负载电阻上。 4.放大电路的交流性能指标 （3）放大电路的动态分析 （3）放大电路的动态分析 （3）放大电路的动态分析 （3）放大电路的动态分析 3.1.3 共射放大电路的静态工作点的稳定问题 2.典型静态工作点稳定电路 2.典型静态工作点稳定电路 2.典型静态工作点稳定电路 3.2 晶体管放大电路的三种基本组态 3.2 晶体管放大电路的三种基本组态 共集电极电路 共集电极电路 共集电极电路 共集电极电路 共基极电路 3.2 晶体管放大电路的三种基本组态 3.3 场效晶体管及其放大电路 3.3.1 场效晶体管的结构、工作原理和特性 1、绝缘栅场效晶体管的结构与工作原理 （2）工作原理 2、绝缘栅场效晶体管的伏安特性 2、绝缘栅场效晶体管的伏安特性 N沟道耗尽型MOSFET 特点： 当uGS=0时，就有沟道，加入uDS，就有iD。 当uGS＞0时，沟道增宽，iD进一步增加。 当uGS＜0时，沟道变窄，iD减小。 3、结型场效应管的结构（以N沟为例） 4.场效晶体管的主要参数 1. 开启电压UT 栅源电压小于开启电压的绝对值, 场效应管不能导通。 ②输入电阻 ③输出电阻 静态分析见前面分压式共射偏置电路分析方法，这里从略。 共基极电路输入电阻小，一般用于作高频和宽频放大电路 三种放大器性能比较： （1）共射电路既有电压放大倍数由有电流放大倍数，其输入电阻不大，输出电阻也不大；输出电压与输出电压相位相反；广泛应用于各种放大电路中。 （2）共集电极电路只有电流放大倍数，没有电压放大倍数，输入电阻大，输出电阻小，带负载能力强，可用于作输入极、输出极和缓冲极；它的输入电压和输出电压同相位。 （3）共基极电路只有电压放大倍数，没有电流放大倍数，其输入电阻较小，输入电压与输出电压同相位；广泛应用于高频、宽频放大电路中。 场效应管是一种利用电场效应来控制其电流大小的半导体器件。 特点：输入电阻高、噪声低、热稳定性能好、抗辐射能力强。 主要用于大规模和超大规模集成电路中。 单极型晶体管　 N沟道 P沟道 增强型 耗尽型 N沟道 P沟道 N沟道 P沟道 （耗尽型） FET 场效应管 JFET 结型 MOSFET 绝缘栅型 (IGFET) 场效应管分类： （1）N沟道增强型MOS管结构： 4个电极：漏极D， 源极S，栅极G和衬底B 当uGS=0V时，管子截止。 再增加uGS→纵向电场↑→将P区少子电子聚集到P区表面→形成导电沟道，如果此时加有漏源电压，就可以形成漏极电流id。 特性： uGS ＜ UT，管子截止， uGS ＞UT，管子导通。 uGS 越大，沟道越宽，在相同的漏源电压uDS作用下，漏极电流ID越大。 当uGS＞0V时→纵向电场→将靠近栅 极下方的空穴向下排斥→耗尽层。 转移特性曲线的斜率gm的大小反映了栅源电压uGS对漏极电流iD的控制作用。 gm 的量纲为mA/V，称为跨导。 gm=?iD/?uGS? UDS=const (1) 截止区（夹断区） uGS UT以下区域就是截止区 ID=0 (2) 放大区（恒流区） 产生夹断后，uDS增大，ID不变的区域，?uGS -uDS ?? ?UT ? uDS??ID不变 处于恒流区的场效应管相当于一个压控电流源 (3)饱和区（可变电阻区） 未产生夹断时，uDS增大，ID随着增大的区域 ?uGS -uDS ?? ?UT ? uDS??ID? 处于饱和区的场效应管相当于一个压控可变电阻 夹断电压（UP）——沟道刚刚消失所需的栅源电压uGS 3、结型场效应管的结构（以N沟为例） 两个PN结夹着一个N型沟道。 三个电极： g：栅极