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第十章 金属化 §10.1 引言 一、金属化工艺的作用 金属化：在绝缘介质膜上淀积金属膜以及随后刻印图形形成 互连金属线和集成电路的孔填充塞的过程。 对未来的集成电路微芯片，互连技术已成为关键技术。 为提高电路速度与集成度，应尽可能缩短互连线，或采用多 层金属化系统，或减小金属电阻率——铜代替铝作为互连金 属，对深亚微米线宽，利用低k层间介质。 金属互连结构 复合金属互连 具有钨塞的通孔互连结构 ILD 局部互连 初始金属接触 有源区 亚0.25umCMOS剖面 互连：由导电材料制成的连线将电信号传输到芯片的不同部 分，也被用于芯片上器件和器件整个封装之间的金属连接。 接触：芯片内部的器件与第一金属层间在硅片表面的连接。 通孔：穿过各种介质从某一金属层到毗邻金属层形成电通路的开口。 填充薄膜：填充通孔以便在两层金属间形成电连接。 双大马士革流程 传统互连流程 覆盖ILD层和CMP 覆盖ILD层和CMP Si3N4刻蚀终止层 氧化硅通孔2刻蚀 淀积ILD-2 和刻蚀两层氧化物 钨淀积+ CMP 铜填充 Metal-2 淀积+刻蚀 金属刻蚀至关重要 铜CMP 通孔和连接金属同时淀积， 需要金属平坦化 §10.2 金属类型 1、对金属化系统的要求 (1) 电导率高，能提供低阻的互连引线； (2) 与N+ 硅、P+ 硅或高掺杂多晶硅能形成低阻的欧姆接触； (3) 与硅、SiO 的粘附能力强； 2 (4) 抗电迁移能力强； (5) 易于淀积和刻蚀； (6) 抗电化学腐蚀能力强； (7) 于超声或热压键合，且键合点能经受长期工作； ( 8) 多层互连时，层与层之间不互相渗透和扩散。 Melting Resistivity Material ° μΩ Temperature ( C) ( -cm) 9