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第5讲 集成逻辑门 上一讲回顾 逻辑电平: 正逻辑、负逻辑 PN节的形成与二极管特性 二极管稳态开关特性 二极管瞬态开关特性 二极管开关应用电路: 限幅电路、钳位电路 三极管稳态开关特性 三极管瞬态开关特性 三极管开关应用电路: 反相器 分立元件门电路：二极管与门、或门、非门 1、电压传输特性 2、输入特性 3、输出特性 4、平均延迟时间 5、电源特性 本讲小结 DTL 逻辑门电路 晶体管－晶体管逻辑门电路（TTL) TTL与非门工作原理 TTL与非门主要外部特性 电压传输特性 输入特性及输入负载特性 输出特性 平均延迟时间 电源特性：平均功耗和动态尖峰电流 TTL与非门的其它主要参数 作业 p53 2-8、 （2） 2-9、 （3）（4） 自习3.5节内容，大致了解一些基本概念 预习p116~p122内容 计科0901/0902 RA A B C F RB RC T P1 D4 D5 D1 D2 D3 D1 D2 D3 和RA构成二极管与门 D4 D5 为电平移位二极管 T、RC、RB 构成反相器 当ABC输入中只要有一个为0.3V时： VP1=0.3+0.7=1V, 二极管正向导通压降＝0.7V T 截止，F=VCC 当ABC输入全为3.6V时: VP1=2.1V T饱和 F=Vces2=0.3V 全高为低，一低出高。是与非门。 0.3V 3.6V 5V 一、DTL 逻辑门电路 RA A B C F RB RC T P1 D4 D5 D1 D2 D3 5V 当输入VI由 电流经RA、D4、D5流入三极管基极。正向驱动电流很大，T 很快由截止变为饱和。 当输入VI由 电流经RA流向低电平输入端，D4、D5反偏而截止，三极管反向驱散电流为流经RB中的小电流，T由饱和到截止过程比较长。所以DTL逻辑门电路工作速度比较低。100nS DTL逻辑门由于工作速度比较低，常用于低速场合。那么如何提高工作速度，满足高速运用环境，因此，研制出TTL系列集成逻辑门电路。 输入级 中间级 输出级 1、TTL与非门电路构成 输入级由T1和R1组成. T1是多射极三极管, 输入信号通过发射结实现与逻辑。 中间级由T2和R2、R3组成. T2管起倒相作用, 集电极和发射极同时输出相位相反的信号, 驱动T3、T4三极管. 输出级由T3、T4、D4和R4组成：T3、T4在输入信号的作用下, 轮流导通, 构成推拉式输出级. 钳位二极管：负脉冲输入时,防止流向T1管发射极电流过大,起保护作用.推拉输出电路：提高带负载能力；提高电路的开关速度.多射极三极管：提高电路的开关速度. R1 A B C Y 5V R2 R3 R4 T1 T2 T3 T4 D4 VCC 二 、TTL集成逻辑门电路 4/28 多射极三极管和一般三极管结构基本相同，只是有多个发射极，相当于多个三极管的基极b和集电极c连在一起，每个发射极都可以与基极和集电极构成一个独立的三极管。 T1 b c eA eB eC A B C D1 D2 D3 D4 n p n c b eA eB eC 2、多射极三极管(补充) 图1. 物理结构 图2. 符号表示 图3. 等效电路 b c 思考：多射极晶体管和推拉输出电路是如何共同作用，提高电路速度的？ 5/28 VCC R1 Y 5V R2 R3 R4 T2 T3 T4 D4 T1 3.6V 当输入全接3.6V时： T1集电结, T2、T4发射结正偏导通. Vb1= Vbc1+ Vbe2 + Vbe4 = 3 * 0.7 = 2.1V T1管集电结正偏, 发射结反偏, 倒置 由于有大电流 ib1 经T1集电结, T2、T4发射结到地, 使T2、T4管饱和导通. ib1 Vc2 = 1V 不能同时驱动 T3、D4管, T3、D4截止。同时T2管发射极向T4管基极提供(1+β) ib1正向驱动电流, 使T4管快速饱和. VO = Vces4 = 0.3V 输入全为高电平，输出为低电平. Vc2 = Vces2 + Vbes4 = 0.3 + 0.7 = 1V 0.3V 2.1V 1V 三、TTL与非门工作原理 6/28 VCC R1 Y 5V R2 R3 R4 T2 T3 T4 D4 T1 3.6V ib1 电流总是由高电位流向低电位. Vb1= VIL+ Vbe1 = 0.3 + 0.7 = 1V T2、T4管均截止. ib2 = ic1 ≈ 0 T1工作在深饱和状态. Vc1 = VIL + Vces1= 0.3 + 0.1 = 0.4V , T2管截止. VCC = 5V经R2驱动T3、D4 使T3、D4导通. VO = VCC –