同步辐射应用基础-IV.PDFVIP

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同步辐射应用基础-IV

同步辐射应用基础-IV 邹崇文 国家同步辐射实验室 E-mail: czou@ustc.edu.cn 电话:0551 课件下载网址: 上次课内容提要: 同步辐射角分辨光电子能谱  同步辐射角分辨光电子能谱(ARPES)概述; ARPES实验技术的基本物理原理; m h E 2mE 2 (  ) K K sin K sin b sin //   2   2  i f 2m(E cos V ) 2m E  cos V k k K 0 b 0     角分辨光电子能谱ARPES 实验技术方法  电子能量分析器的发展;  激发光源的发展-laser ARPES  自旋角分辨光电子能谱技术;  空间分辨Nano-ARPES;  Pump-probe光电子能谱技术 光电子谱相关技术  1. 偏振光激发的价带谱 2. 共振光电发射;  3. 芯能级光电子谱(XPS) • 芯态光电子能谱特点; • 结合能 • 化学位移 • 芯能级伴峰和终态效应; • 芯能级谱与表面成份分析 1、偏振光激发的价带谱 研究Cl在Si(111)表面的吸附, 可能的吸附位置: 一度位,Cl原子吸附在Si原子之上 三度位,Cl原子吸附在三个互相连 接的Si原子的空隙。 在一度位吸附下,对成键有贡献 的主要是Cl原子的p 与Si原子的悬 z 键态形成的沿z方向的键。 它比p x、 p 态能量低。 y 在三度位吸附下,沿Cl原子侧向的 p p 态比p 态对成键有更大贡献。 x、 y z 因此p 态比p p 态能量高。 z x、 y 再用偏振光测得Cl/Si(111) 体系的光电子能谱。由 图中可以看到,结合能 5eV的宽峰不受入射 光偏振状态的影响。它 符合p p 态的特征。 x、 y 而结合能8eV的峰仅 在p偏振时产生,而在s 偏振时消失。这说明它 的成键方向与p偏振时 的电场方向一致,即沿 z方向。很显然,它即 为一度位吸附的由p 形 z 成的沿z方向的键。 比较理论和实验结果,

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