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NAND FLASH 控制器 1 一． 概述： 目前的NOR Flash 存储器价格较高，相对而言SDRAM 和NAND Flash 存储器更经济，这样促使了一些用户在NAND Flash 中执行引导代码，在SDRAM 中执行主代码。S3C2440A引导代码可以在外部NAND Flash 存储器上执行。为了支持NAND Flash 的 BootLoader，S3C2440A配备了一个内置的SRAM 缓冲器，叫做“Steppingstone”。引导启动时，NAND Flash 存储器的开始 4K 字节将被加载到Steppingstone 中并且执行加载到Steppingstone 的引导代码。通常引导代码会复制NAND Flash 的内容 到SDRAM 中。通过使用硬件ECC，有效地检查NAND Flash 数据。在复制完成的基础上，将在SDRAM 中执行主程序。 二． 特性： 1) 关于引导启动：引导代码在复位期间被传送到4K 字节的Steppingstone。传送后，引导代码将在Steppingstone中执行。 2) NAND Flash 存储器接口：支持256 字，512 字节，1K 字和2K 字节页。 3) 软件模式：用户可以直接访问NAND Flash 存储器，例如此特性可用于NAND Flash 存储器的读/擦除/编程。 4) 接口：8/16 位NAND Flash 存储器接口总线 5) 硬件ECC 生成，检测和指示（软件纠错）。 1 6) SFR I/F：支持小端模式是按字节/半字/字访问数据和ECC 数据寄存器，和按字访问其它寄存器。 7) SteppingStone 接口：支持大/小端模式的按字节/半字/字访问。 8) SteppingStone 4KB 内部SRAM 缓冲器可以在NAND Flash 引导启动后用于其他用途。 三．引脚配置：以下配置详看友善之臂的原理图 1．OM[1:0] = 00：使能NAND Flash 存储器引导启动 2．NCON：NAND Flash 存储器选择（普通/先进） 0：普通NAND Flash（256 字或512 字节页大小，3 或4 个地址周期） 1：先进NAND Flash（1K 字或2K 字节页大小，4 或5 个地址周期） 3． GPG13：NAND Flash 存储器页容量选择 0：页=256 字（NCON=0）或页=1K 字（NCON=1） 1：页=512 字节（NCON=0）或页=2K 字节（NCON=1） 4． GPG14：NAND Flash 存储器地址周期选择 0：3 个地址周期（NCON=0）或4 个地址周期（NCON=1） 1：4 个地址周期（NCON=0）或5 个地址周期（NCON=1） 5．GPG15：NAND Flash 存储器总线宽度选择 2 0：8 位宽度 1：16 位宽度 注释： 配置引脚NCON，GPG[15:13]将在复位期间被取出（fetched）。在正常状态下，这些引脚必须设置为输入，这 是为了在由软件或意外情况而进入睡眠模式时，这些引脚的状态不被改变。 四、软件模式： 1.写命令寄存器 2．写地址寄存器 3．写数据寄存器 4．读数据寄存器 5．读主ECC 寄存器和备份ECC 寄存器=从NAND Flash 存储器读取数据 注意：软件模式下必须用中断或者查询方式来检测RNB输入状态 五．ECC编程指南： 1) 软件模式下，ECC 模块生成ECC 奇偶校验码用于读/写数据。因此你可以写入InitECC（NFCONT[4]）位为’1’并在 读或写数据之前清除MainECCLock（NFCONT[5]）位为’0’（开锁）来复位ECC 的值。MainECCLock（NFCO