硅晶体中点缺陷结合过程的分子动力学模拟.pdfVIP

第25 卷 　第2 期 材 　料 　科 　学 　与 　工 　程 　学 　报 总第106期 Vol 2 5 　No 2 Journal of Materials Science Engineering Apr . 2 0 0 7 文章编号 2007) 硅晶体中点缺陷结合过程的分子动力学模拟 王慧娟 ,陈 　成 ,邓联文 ,江建军 ( 华中科技大学电子科学与技术系 ,湖北 武汉 　430074) 　　【摘 　要】　本文采用分子动力学方法模拟了硅晶体中空位与间隙原子的结合过程。利用 StillingerWaber 三体 经验势函数表征原子间的相互作用 ,采用 Verlet 积分算法 ,在 VC ++ 环境下使用 C ++ 语言编程 ,进行计算机模拟。 结果表明 ,空位和间隙原子倾向于通过 111 方向结合 ,并且在运动过程中存在着势垒 ,势垒值为 0. 5～1. 2eV 。 【关键词】　分子动力学模拟 ;点缺陷 ;扩散 中图分类号:O77 　　　　文献标识码 :A Molecular Dynamics Simulation on Vacancyinterstitial Annihilation in Silicon WANG Huijuan , CHEN Cheng , DENG Lianwen , JIANG Jianjun ( Department of electronic science technology , Huazhong University of Science Technology , Wuhan　430074 , China) 【Abstract 】　Molecular dynamics simulation is performed to study the vacancyinterstitial annihilation in crystalline silicon. We choose the StillingerWeber ( SW) potential , which is commonly used for silicon , to describe the interaction between atoms. The simulation is calculated by Verlet algorithm and programmed through C ++ in the environment of VC ++ . The result shows that 111 is the preferred combination direction and there exists an energy barrier in the motion , the value of which is between 0. 5eV and 1. 2eV. 【Key words】　molecular dynamic simulation ; vacancy and interstitial ; diffusion 理论分析。 1 　引　言 2 　模型建立 半导体器件的发展对硅材料性能提出了越来越高的要 求 ,对以硅掺杂为主的硅材料相关特性和机理的研究显得 硅晶体中存在的点缺陷有多种 ,其中常见的间隙原子