第3章 晶圆制备 14.pdfVIP

第 3 章 晶圆制备 在这一章里，将说明沙子转变成晶体，以及晶圆；和用于芯 片制造级的抛光片的生产步骤。 3.1 简介 高密度和大尺寸芯片的发展需要大直径的晶圆。 在20 世纪60 年代开始使用的是1英寸直径的晶圆（1英寸 =2.54cm ），而现在业界根据20世纪90年代的工艺要求生产200毫 米直径的晶圆; 300毫米直径的晶圆也已经投入生产线了。 根据半导体工业协会（SIA ）的技术路线图，到2007年，300 毫米直径的晶圆将成为标准。 以后预期会是400毫米或450毫米直径的晶圆。大直径的晶圆 是由不断降低芯片成本的要求驱动的。 然而，这对晶圆制备的挑战是巨大的。大直径意味着高重 量，这就需要更多坚固的工艺设备。在晶体生长中，晶体结构上 和电学性能一致性及污染的问题是一个挑战，这些挑战和几乎每 一个参数更紧的工艺规格要求共存。与挑战并进和提供更大直径 晶圆是芯片制造不断进步的关键。 3.2 半导体硅制备 半导体器件和电路在半导体材料晶圆的表层形成，这里半导体 材料通常是硅。 这里： （1）这些晶圆的杂质含量水平必须非常低。 （2 ）必须掺杂到指定的电阻率水平。 （3 ）必须是指定的晶体结构，必须是光学的平面，并达到许 多机械及清洁度的规格要求。 1 ♦ 制造IC这一级的硅晶圆分如下4个阶段进行，即晶圆制备阶段 有： （1）矿石到高纯度气体的转变； （2 ）气体到多晶的转变； （3 ）多晶到单晶，掺杂晶棒的转变； （4 ）晶棒到晶圆的转变。 这里第一个阶段是从泥土里选取和提纯半导体材料的原料。 提纯从化学反应开始。 对于硅，化学反应是从矿石到硅化物气体，例如四氯化硅或 三氯硅烷。杂质（例如其他金属），则留在矿石残渣里。 之后，硅化物再和氢反应生成半导体级的硅。 2 SiHCl3 （气体）+ 3 H2 （气体）→ 2 Si （固体）+ 6 HCl （气体） 氢气还原三氯硅烷 这样的硅的纯度达 99.9999999 ％，是地球上最纯的物质之一。 它有一种称为多晶或多晶硅 （polysilicon ）的晶体结构。 3.3 晶体材料 材料中原子的组织结构是导致材料不同的一种方式。 有些材料，例如硅和锗，原子在整个材料里重复排列成非常固 定的结构，这种材料称为晶体 （crystal ）。 原子没有固定的周期性排列的材料称为非晶体或无定形 (amorphous) 。塑料就是无定形材料的例子。 3.3.1 晶胞 对于晶体材料实际上有两个级别的原子组织结构。第一个级别 是单个原子的组织结构，即晶胞 （unit cell ）结构。晶胞结构在晶 2 体里到处重复。 ♦ 注：另一个涉及晶胞结构的术语是晶格 （lattice ）。晶体材 料具有特定的晶格结构，并且原子位于晶格结构的特定点。 在晶胞里原子的数量、相对位置及原子间的结合能，会引发材 料的许多特性。 每个晶体材料具有独一无二的晶胞。 例如，硅晶胞具有16个原子排列成的金刚石结构。 硅晶胞 砷化镓晶体具有18个原子的晶胞结构，称为闪锌矿结构。 砷化镓晶体结构 3.3.2 多晶和单晶 晶体结构的第二个级别和晶胞的构成 （结构）有关。 3 ♦ 在本征半导体中，晶胞间不是规则排列的。 这种情形和方糖杂乱无章地堆起来很相似。每个方糖代表一个 晶胞。称这样排列的材料具有多晶结构。 ♦ 当晶胞间有规则地排列时，称这样排列的材料具有单晶结构。 多晶 单晶 多晶和单晶结构 ♦ 单晶结构与多晶结构的特点。