Si基光子学研究的最新进展.pptVIP

Si基光子学研究的最新进展 一、迅速发展的Si基光子学研究 1、什么是Si基光子学？ Si基光子学是近年内在半导体光电子学领域中迅速发展起来的一个新型分支学科，旨在研究各类Si基低维材料的发光特性，各种Si基光子器件的设计与制作，并进而实现用于现代光通信技术的全Si光电子集成电路。 2、为什么要研究Si基光子学？ （1）为了克服微电子芯片工作速度的“瓶颈”，采用光子替代电子传递逻辑信息，提高计算机单机运算速度。 （2）为了实现人们期待已久的全Si光电子集成，即在Si衬底上同时实现Si微电子器件与Si光子器件的光电子集成电路。 3、Si基光子学的研究内容 （1）Si基纳米材料的发光特性（Si纳米晶粒，Si纳米量子点，Si/Ge超晶格，SiO2/Si超晶格，Si量子线，多孔Si，掺Er的Si纳米晶粒等） （2）Si基光子器件的设计与制作（Si发光二极管，Si基激光器，Si基光波导，Si基光开关，Si基光调制管，Si基光探测器与Si基光子晶体)） （3）全Si光电子集成电路（光蚀刻、离子注入、光互连等） 4、Si基光子学的发展历程 第一阶段（1990－1995年），各种Si基纳米材料的制备方法，结构特征与发光特性。 第二阶段（1996－2000年），提高Si基纳米材料的发光强度，发光效率，发光稳定性，并澄清其发光机制。 第三阶段（2001－2005年），高密度和小尺寸Si纳米晶粒的自组织生长，并探讨Si基纳米材料的光增益，光放大和受激光发射等。 二、Si基激光器的探索 1、探索Si基激光器的重要意义 （1）它是构成Si基光电子集成电路的光源，只有设计并研制出具有器件实用化水平的Si基激光器，才有可能最终实现全Si光电子集成。 （2）通过探索Si基激光器，可以对各类Si基低维材料的光发射、光增益、光放大和受激光发射特性，有一个由表及里的逐渐深化认识过程，这对于像Si这类间接带隙材料的发光研究，开辟了一个新的发展方向。 （3）在探索Si基激光器的过程中，开发出了一系列相关的材料与器件制作技术，如有序Si基纳米结构的自组织化生长，SOI光波导的制作，各类有源区结构与Si基光电子器件的设计与制作等。 2、实现受激光发射的基本条件 （1）要制备出具有高光学增益的介质材料，它在人们所感兴趣的波长范围内应具有高效率发光，并对光具有进一步放大的能力； （2）设计出具有适宜结构形式的光学谐振腔，使其对由增益介质产生的放大光形成一个强正反馈效应，从而使具有某一特征波长的相干光激射输出； （3）采用有效的泵浦激励方式，这是使增益介质产生光放大和受激辐射的外部条件。在上述三个基本条件中，具有高光学增益并能实现受激光发射的有源区材料，是目前一个引人注目的研究焦点。 三、实现受激光发射的有源区材料 1、具有小尺寸和高密度的有序nc-Si结构 nc-Si是指利用离子注入或等离子体化学气相沉积（PECVD），并经高温热退火形成的镶嵌在SiOx层的Si纳米晶粒，或在超薄SiO2层表面上自组织生长的Si纳米量子点等。与具有一维量子限制的量子阱和具有二维量子限制的量子线相比，这种高度局域化的Si基纳米结构，具有强三维量子限制效应。在光激发或电注入作用下，载流子将被限制在一个超小的三维空间内。根据海森堡测不准原理，电子波函数将在动量空间中展开，从而会导致导带与价带边波函数部分重叠，以满足光学跃迁的要求。换言之，这种载流子的局域化效应只有在三维量子受限的条件下才能突破动量守恒的限制。然而，要实现这类纳米结构的高效率发光和光增益，乃至受激光发射，至关重要的是Si纳米晶粒要有超小的粒径尺寸，超高的密度分布以及高度的有序排布。小的晶粒尺寸有利于实现强三维量子限制效应，高的密度分布有利于实现单位面积上的高效率光发射，而有序排布则易于实现Si晶粒之间的隧穿，这对光增益的产生极为有利。 实现nc-Si结构光增益的首例报道，是意大利的Pavesi等人利用8KeV的注入能量和1×1017cm-2的高剂量Si离子注入SiO2膜，后经1100℃的高温退火，使Si原子在薄SiO2层中凝聚成的纳米Si晶粒，在紫外光泵浦激励下于800nm峰值波长处所观测到的高达100cm－1的净模增益。该光学增益的产生，主要归因于nc-Si所具有的小尺寸（～3nm）和高面密度（～1013cm－2）。但这种纳米结构仍然存在下述几个方面的问题：一是如何实现nc-Si结构在电注入条件下的光增益；二是nc