第4章（存储器）.pptVIP

第四章 内部存储器 4.1 存储系统概述 存储系统是计算机的重要组成部分,用来存储计算机工作需要的信息（程序和数据）的部件，构成计算机的信息记忆功能。 计算机的存储器可分为两大类： 内部存储器（称内存） 计算机当前工作需要的程序和数据。包括主存储器、Cache、ROM。 外部存储器（简称外存） 计算机当前工作不需要的程序和数据。包括硬磁盘、软磁盘、光盘、磁带和移动存储器等。 微机存储系统的层次结构 4.2 内部存储器的作用及其分类 4.2.1 内存的主要作用 运行程序 存放正在执行的程序、数据 与外设交换数据——DMA方式 4.2.3 内存的主要技术指标 存储容量：可以容纳的二进制信息量称为存储容量——字节Byte（B）或位Bit（b） 1K=210=1024 1M=220=1024×1024 1G=230=1024×1024×1024 28=256 216=65536=64K 4.2.3 内存的主要技术指标 速度 存取周期（TMC）：两次独立存取操作所需的最短间隔 取数时间（TA）：存储器从接收读出命令到被读出信息稳定在MDR的输出端为止的时间间隔 4.2.3 内存的主要技术指标 错误校验：保证数据正确，内存常用的错误校验方式有Parity、ECC 奇偶校验（Parity）——检错 分为奇校验（O）和偶校验（E），内存一般采用偶校验，即数据和校验位的1的个数为偶数。如： 数值 =每位相加，1+0+0+1+1+1+1+0=5，因此校验位为1 4.2.3 内存的主要技术指标 ECC （Error Checking and Correcting）——检错和纠错 SPD（Serial Presence Detect，串行存在探测），EEPROM芯片，记录内存的速度、容量、电压及行、列地址带宽等参数信息。开机时PC的BIOS将自动读取。如果没有SPD，就容易出现死机和致命错误的现象。 4.2.3 内存的主要技术指标 CAS 延迟时间 CAS延迟时间就是内存用于取得正确的列地址所需要的时间。CL是CAS Latency的缩写。简单地说，CL就是内存接到CPU的指令后的反应速度。一般的参数值是2和3两种。数字越小，代表反应所需的时间越短。 4.3 半导体存储器的组成及工作原理 4.3.1 RAM SRAM工作原理 存储单元（存储一位二进制数）由6只MOS管组成。 T1和T2构成触发器 T3和T4分别作为T1和T2 的负载电阻 T5和T6为选择控制 T1截止而T2导通时的 状态称为“1”，相反的 状态称为“0”。 4.3 半导体存储器的组成及工作原理 读出时，置选择线为高电平，使T5和T6导通，从读/写线输出原存的信息。 写入时，写入数据使读/写线呈相应电平，迫使触发器的状态更改。 SRAM的结构 SRAM将m×n×L个存储元（芯片的容量）排列成m行乘n列L位的存储矩阵 地址译码器若为单译码，输入 m+n，输出2m+n；若双译码，输入m+n，输出2m+2n，m→2m 和 n→2n 。 DRAM的工作原理 存储单元为单管动态存储。存放信息靠的是电容器C，C有电荷时，为逻辑“l”，没有电荷时，为逻辑“0”。 任何电容器都存在漏电，电容器C上的电荷过一段时间会流失，信息也就丢失。 刷新 每隔一定时间（一般2ms） 就使处于逻辑电平 “ 1” 电容器上的电荷得到补充， 而处于逻辑电平“ 0”电容器 上的电荷仍为零。 DRAM的工作原理 刷新 DRAM的工作原理 写 DRAM的工作原理 读 DRAM的结构 DRAM与SRAM的性能比较 DRAM 接口复杂 集成度高、功耗低 单位存储价格低 速度低，在PC中主要用作内存 SRAM 接口简单 集成度低、功耗高 单位存储价格高 速度高，在PC中主要用作cache 4.3.2 只读存储器ROM 1. 掩膜ROM 由制造厂家写入数据，用户不能修改其中的数据，适用于成批生产的定型产品。 根据制造工艺可分为MOS型和双极型。 MOS型：功耗小、速度慢、集成度高，微机系统。 双极型：速度快、功耗大、集成度低， 高速的计算机系统。 2. 一次可编程ROM(PROM) 由用户编程，但只能写入一次（OTP）。一旦编程之后，和掩模ROM一样。 在每个存放数据的结点上加上一个熔断丝，出厂时全部为1。如要在某一单元存放数据0，只须将该结点的熔断丝烧断。 由于在半导体电路中加入了熔断丝，使生产工艺变得复杂。 3. 可擦除的可编程只读存储器（EPROM） 可由用户重复多次编程，适合于系统开发时使用。 擦除方法有两种： 紫外光擦除，简称EPROM。 电擦除，EEPROM, 和FLASH MEMORY。 紫外线可擦除EPRO