半导体材料 电子器件与工艺课件教学 讲义.pptVIP

3.2 半导体材料;3.2.1 半导体中的电子特征;半导体能带结构的基本特征 －直接带隙和间接带隙半导体;电子的有效质量;半导体中的载流子－电子和空穴; ;施主能级和施主电离;受主掺杂及p型半导体;类氢原子模型：;杂质能级上的电子和空穴分布;n型半导体的平衡载流子浓度;p型半导体的平衡载流子浓度;非平衡载流子;漂移速度和迁移率;电导率的影响因素－载流子的散射;p-n结的制备工艺;p-n结平衡能带结构;;;;;直接吸收;光生伏特效应（Photovoltaic Effect）;;霍尔效应的产生机制;霍尔系数及霍尔迁移率;锗、硅半导体;锗、硅半导体;锗、硅半导体;锗、硅半导体;锗、硅半导体;Ⅲ、Ⅳ族化合物半导体;Ⅲ、Ⅳ族化合物半导体的晶体结构;GaAs半导体的能带结构;;;;InSb半导体的能带结构;;GaP半导体的能带结构;GaAs中的杂质和缺陷;Ⅱ、Ⅳ族化合物半导体的一般性质;Ⅱ、Ⅳ族化合物半导体的一般性质;Ⅱ、Ⅳ族化合物的晶体结构;Ⅱ、Ⅳ族化合物的能带结构;Ⅱ、Ⅳ族化合物的杂质;3.2.3 半导体材料制备工艺方法总结;高纯多晶（如Si）半导体材料： ;半导体薄膜制备工艺－外延技术（Epitaxy）： 气相外延法（CVD） ;3.2.4 半导体材料应用举例;;3.2.4.1 在集成电路（IC）上的应用;Si 单晶：;GaAs单晶：;发光二极管（L