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Ch5 非平衡载流子 钟志亲 产生过剩载流子的办法 光注入 电注入 热激发 高能粒子辐照 等等 2、非平衡载流子的复合 撤除产生非平衡载流子的外部因素后（停止光照、外加电压，辐照等），系统将从非平衡态恢复到平衡态，即电子-空穴对成对消失的过程，即为非平衡载流子的复合。Δn =Δp 0 5.2 非平衡载流子的寿命 非平衡载流子的寿命(τ)：非平衡载流子的平均生存时间 （少数载流子寿命） 1/τ:单位时间内非平衡载流子的复合概率 非平衡载流子的复合率：单位时间单位体积内净复合消失的电子-空穴对数。 △p/τ就代表复合率 3、关于寿命的讨论： 与半导体材料、材料制备工艺等因素有关 掺金 、辐照 5.3 准费米能级 5.4 复合理论 系统由非平衡态 平衡态 非平衡载流子的复合 直接复合：导带的电子直接落入价带与空穴复合 复合率R（复合速率)有如下形式 R=rnp （5-12） 比例系数r称为电子-空穴复合概率(直接复合系数)。 而 产生率=G （5-13） 定量描述以上四个基本跃迁过程： Nt：复合中心浓度 nt：复合中心能级上的电子浓度 Nt-nt：未被电子占据的复合中心浓度 n： 导带电子浓度 P：价带空穴浓度 s-nto=rnn0(Nt-nto) 俘获截面：设想复合中心是具有一定半径的球体，其截面积为σ。 意义：σ代表复合中心俘获载流子的本领，复合中心俘获电子和空穴的本领不同，分别用电子俘获截面σ-和空穴俘获截面σ+来表示 俘获截面和俘获系数的关系是 rn=σ-υT，rp= σ+ υT (5-45) υT: 载流子热运动速度 知识点回顾 说明直接复合、间接复合的物理意义。 间接复合是否在复合中心进行复合？ 为什么深能级才能起有效的复合中心作用？ 说明硅中掺金后寿命为什么会明显降低？ 5.5 陷阱效应 1 基本概念： 半导体处于平衡状态：能级中的电子是通过载流子的俘获和产生过程与载流子之间保持平衡的； 半导体处于非平衡态：出现非平衡载流子，引起杂质能级上电子数目的改变。 将杂质能级积累非平衡载流子的作用称为陷阱效应。 通过对陷阱的讨论，可以得到如下几点： 电子陷阱： rn≧rp；空穴陷阱：rp≧rn 显著的陷阱效应： △nt≧△n(△p) 陷阱效应主要是对非平衡少数载流子 对电子陷阱而言，陷阱能级在费米能级之上，且越接近费米能级，陷阱效应越显著。 课堂练习1 1、 某n型半导体硅，其掺杂浓度ND=1015cm-3,少子寿命τp=5us，若由于外界作用，使其少数载流子全部被清除，试求此时电子-空穴对的产生率是多大(设ni=1.5×1010cm-3) ∵ p=0 ∴ △p=p-p0=-p0 课堂练习2 2、某p型半导体掺杂浓度NA=1016cm-3，少子寿命τn=10us，在均匀光的照射下产生非平衡载流子，其产生率g=1018/cm3·s，试计算室温时光照情况下的费米能级并和原来无光照时的费米能级比较。(设ni=1010cm-3) 解答： (1) 无光照时 (2)稳定光照后 △n=△p=gLτn=1018×10-5=1013cm-3 p=p0+ △p=1016+1013≈1016cm-3 5.6 载流子的扩散运动 1、扩散定律 扩散运动是由于粒子浓度不均匀引起的 扩散：由于浓度不均匀而导致载流子（电子或空穴）从高浓度处向低浓度处扩散的过程。 5.7 载流子的漂移运动、爱因斯坦关系 外场作用下，非平衡载流子要同时做 扩散运动 扩散电流 漂移运动 漂移电流 第五章 总结 复习题（1） 区别半导体平衡状态和非平衡状态有何不同？什么叫非平衡载流子？什么叫非平衡载流子的稳定分布？ 掺杂、改变温度和光照激发均能改变半导体的电导率，它们之间有何区别？试从物理模型上予以说明。 在平衡情况下，载流子有没有复合这种运动形式？为什么着重讨论非平衡载流子的复合运动？ 复习题（2） 为什么不能用费米能级作为非平衡载流子浓度的标准而要引入准费米能级？费米能级和准费米能级有何区别？ 说明直接复合、间接复合的物理意义。 区别：复合效应和陷阱效应，复合中心和陷阱中心，俘获和复合，俘获截面和俘获几率。 三个例子 1．光激发的载流子的衰减 在t=0时光照停止 ? 这正是非平衡载流子衰减时遵守的微分方程式（5-4） 均匀掺杂薄样品 2． 少数载流子脉冲在电场中的漂移 均匀n型，局部光脉冲照射。假定没外电