第1章 节 半导体器件基础 《工业电子学》课件.pptVIP

第一章 半导体器件基础;第一章 半导体器件;;半导体的导电机理不同于其它物质，所以它具有不同于其它物质的特点。例如：;一、本征半导体的结构特点;共价键中的两个电子被紧紧束缚在共价键中，称为束缚电子，常温下束缚电子很难脱离共价键成为自由电子，因此本征半导体中的自由电子很少，所以本征半导体的导电能力很弱。;二、本征半导体的导电机理;+4;2.本征半导体的导电机理;温度越高，载流子的浓度越高。因此本征半导体的导电能力越强，温度是影响半导体性能的一个重要的外部因素，这是半导体的一大特点。; 游离的部分自由电子也可能回到空穴中去，称为复 合。随着激发过程的进行，不断有电子获得能量变成自 由电子，从而形成更多的空穴电子对，但是随着电子空 穴对的增多，自由电子复合的机会（撞上空穴的机会） 也增加了，最终单位时间内激发的自由电子数和符合的 自由电子数会达到平衡。只有当温度改变的时候才能打 破这一平衡，进入到下一个平衡状态。从这里我们可以 得出一个结论。即本征半导体中的电子浓度和空穴浓度 只和温度有关系，是温度的函数。 本征载流子浓度的计算我们给出一个公式： ;1.1.2 杂质半导体;一、N 型半导体;+4;二、P 型半导体;三、杂质半导体的示意表示法;从理论上讲对于掺杂半导体，空穴浓度与子浓度的乘积在 一定温度下仍然是一个常数，与掺杂程度无关。所以可以 通过本征半导体中载流子的浓度来计算掺杂半导体中少子 的浓度。对于N型半导体来说， 对于P型半导体来说。因此对于掺杂半体来说， 掺杂以后多数载流子浓度会大大增加，比本征载流子浓度大 很多倍；而少数载流子浓度会大大降低，比本征载流子浓度 小好多倍。 ;;P型半导体;漂移运动;－;1.空间电荷区中没有载流子。;1.2.2 PN结的单向导电性;－;二、PN 结反向偏置;1.2.3 半导体二极管; 二、伏安特性;三、主要参数;3. 反向电流 IR;4. 微变电阻 rD;1.2.4二极管的极间电容;CB在正向和反向偏置时均不能忽略。而反向偏置时，由于载流子数目很少，扩散电容可忽略。;二极管：死区电压=0 .5V，正向压降?0.7V(硅二极管) 理想二极管：???区电压=0 ，正向压降=0 ;二极管的应用举例2：;;（4）稳定电流IZ、最大、最小稳定电流Izmax、Izmin。;稳压二极管在工作时应反接，并串入一只电阻。电阻的作用一是起限流作用，以保护稳压管；其次是当输入电压或负载电流变化时，通过该电阻上电压降的变化，取出误差信号以调节稳压管的工作电流，从而起到稳压作用。;1.2.6光电二极管;1.2.7发光二极管;;B;B;EC;EC;IB=IBE-ICBO?IBE;ICE与IBE之比称为电流放大倍数;此外，要使三极管能放大电流，必须使发射结正偏，集电结反偏。;B;1.3.3 特性曲线;一、输入特性;二、输出特性;IC(mA );IC(mA );输出特性三个区域的特点:;三、主要参数;例：UCE=6V时：IB = 40 ?A, IC =1.5 mA； IB = 60 ?A, IC =2.3 mA。;2.集-基极反向截止电流ICBO;B;4.集电极最大电流ICM;6. 集电极最大允许功耗PCM;;N;N;P;二、工作原理（以P沟道为例）;P;G;三、特性曲线;ID;N沟道结型场效应管的特性曲线;输出特性曲线;1.4.2 绝缘栅场效应管:;N 沟道耗尽型;N;P 沟道耗尽型;二、MOS管的工作原理;P;三、增强型N沟道MOS管的特性曲线;输出特性曲线;四、耗尽型N沟道MOS管的特性曲线;输出特性曲线;五.场效应管的主要参数;六.双极型和场效应型三极管的比较;第一章 结束