典型开关MOS电流波形的精细剖析.pdfVIP

反激开关MOSFET 源极流出的电流（Is ）波形的转折点的分析。 很多工程师在电源开发调试过程中，测的的波形的一些关键点不是很清楚，下面针对反 激电源实测波形来分析一下。 问题一，一反激电源实测Ids 电流时前端有一个尖峰（如下图红色圆圈里的尖峰图）， 这个尖峰到底是什么原因引起的？怎么来消除或者改善？ 大家都知道这个尖峰是开关MOS 开通的时候出现的，根据反激回路，Ids 电流环为Vbus 经变压器原边、然后经过MOS 再到Vbus 形成回路。本来原边线圈电感特性，其电流不 能突变，本应呈线性上升，但由于原边线圈匝间存在的分布电容（如下图中的C ），在 开启瞬间，使Vbus 经分存电容C 到MOS 有一高频通路，所以形成一时间很短尖峰。 下面再上两个英文资料，上面的C 在下图中等效于Cp 或者是Ca 经分析，知道此尖峰电流是变压器的原边分布参数造成，所以要从原边绕线层与层指尖 间着手，可以加大间隙来减少耦合，也可以尽量设计成单层绕组。 例如变压器尽量选用Ae 值大的，使设计时绕组圈数变少减少了层数，从而使层间电容变 小。也可减少线与线之间的接触面，达到减少分布电容的目的。如三明治绕法把原边分 开对此尖峰有改善，还能减少漏感。当然，无论怎样不能完全避免分布电容的存在，所 以这个尖峰是不能完全消除的。并且这个尖峰高产生的振荡，对EMI 不利，实际工作影 响倒不大。但如果太高可能会引起芯片过流检测误触发。 所以电源IC 内部都会加一个200nS-500nS 的LEB Time ，防止误触发，就是我们常说的 消隐。 问题二，开关MOS 关端时，IS 电流波形上有个凹陷（如下图红色圈内的电流波形的凹 陷）这是怎么回事？怎么改善？ 说这个原因之前先对比下mos 漏极电流Id 与mos 源极电流Is 的波形。 实测Id 波形如下 实测Is 波形如下 从上面的这两个图中看出，ID 比IS 大一点是怎么回事？其实Is 是不等于Id 的，Is = Id Igs （Igs 在这里是负电流，Cgs 的放电电流如下图），那A,B 两点波形，就容易解释了。 Id 比Is 大，是由于IS 叠加了一个反向电流，所以出现Is 下降拐点。显然要改善这个电 流凹陷可以换开关MOS 管型号来调节。 看了上面Id 的电流波形后问题又来了，mos 关断时ID 的电流为何会出现负电流？如下图 MOS 关断时，漏感能量流出给Coss 充到高点，即Vds 反射尖峰的顶点上。到最高点后 Lk 相位翻转，Coss 反向放电，这时电流流出，也就是Id 负电流部份的产生。