第8章回复及再结晶.ppt

8.1冷变形金属在加热时的组织与性能变化8.1.1显微组织的变化 8.1.3 性能的变化规律 8.2 回 复8.2.1 回复过程中微观结构的变化机制 回复驱动力为形变储存能 1.?低温回复:点缺陷的迁移 2.?中温回复:位错滑移导致位错重新组合 3.高温回复:多边化。多边化的驱动来自应变能的下降。 多边化产生的条件: (1) 塑性变形使晶体点阵发生弯曲。 (2) 在滑移面上有塞积的同号刃型位错。 (3) 需加热到较高温度使刃型位错能产生攀移运动。 多晶体亚晶形成过程：多系滑移—位错缠结—位错胞—位错网—亚晶界。 (二) 回复机制 (三) 去应力退火 8.3再结晶 再结晶是一个显微组织重新改组，变形储存能充分释放,性能显著变化的过程，其驱动为回复后未被释放的变形储存能。 再结晶过程包括新晶粒的形核与长大。应指出，由于再结晶并未改变相的结构与成分，故再结晶虽然引起组织重构但并不属于固态相变。 8.3.1形核与长大 再结晶过程是形核和长大,但无晶格类型变化。 1. 形核 再结晶晶核是现存于局部高能区域内的,以多边化形成的亚晶为基础形核。其形核机制有： (1) 晶界弓出形核(凸出形核机制) 对于变形度较小（20%）的金属，再结晶核多以这种方式。其形核过程如图5.49；弓出形核时所需能量条件为：△Es≧2γ/L (2) 亚晶形核 对于变形度较大的金属,再结晶形核往往采用这种方式。亚晶形核方式有：1. 亚晶合并机制：在变形度大且具有高层错能的金属中。 2. 亚晶迁移机制：在变形度大,而层错能低的金属中。 2. 长大 再结晶晶核是依靠晶界的迁移而长大的。以弓出方式形成的晶核，当r rc便会借助于界面向高畸变区域长大。以亚晶迁移机制形成的晶核，一旦形成大角度晶界就可迅速移动,扫除其遇到的位错,留下无应变的晶体。晶界迁移的驱动力为新、旧晶粒之间的自由能差。迁移方向总是背向曲率中心，向着畸变区推进，直到完全形成无畸变晶粒。 8.3.2再结晶动力学曲线 再结晶动力学：取决于形核率N和长大速率G的大小。 再结晶动力学曲线表示T—φR—τ关系曲线,其特点： (1)?恒温动力学曲线呈“S”形 (2)?有一孕育期 (3)等温下,再结晶速度呈现“慢、快、慢”的特点 8.3.3再结晶温度及其影响因素 1 再结晶温度：经严重冷变形（变形量70%）的金属或合金，在1h内能够完成再结晶的（再结晶体积分数95%）最低温度。 高纯金属：T再＝(0.25~0.35)Tm。 2 经验公式 工业纯金属：T再＝(0.35~0.45)Tm。 合金：T再＝(0.4~0.9)Tm。 注：再结晶退火温度一般比上述温度高100～200℃。 一些金属的再结晶温度 影响再结晶温度的几个因素 1.变形程度：变形度增大、开始TR下降，等温退火再结晶速度越快；而大到一定程度，TR趋于稳定。 2.原始晶粒尺寸：其它条件相同时，金属原始晶粒细小，则TR越低，同时形核率和长大速度均增加，有利于再结晶。 3. 微量溶质原子：其作用一方面以固溶状态存在于金属中，会产生固溶强化作用，有利于再结晶；另一方面溶质原子偏聚于位错和晶界处，起阻碍作用。总体上起阻碍作用，使TR提高。 4.第二相粒子：其作用是两方面的,这主要取决于分散相粒子大小与分布。第二相粒子尺寸较大,间距较宽（1微米），促进再结晶。第二相粒子尺寸较小且又密集分布时阻碍再结晶形成。 5.退火工艺参数：加热速度过于缓慢或极快时，TR上升； 当变形程度和保温时间一定，退火温度越高，再结晶速度快；在一定范围内延长保温时间，TR降低。  8.3.4再结晶晶粒大小的控制 影响再结晶后晶粒大小的因素： 1.?变形程度的影响 变形度很小时，晶粒尺寸为原始晶粒尺寸；临界变形度（critical deformation degree）εc时，晶粒特别粗大，一般金属εc =2～8% ;当变形度大于εc时，随变形度增加，晶粒逐渐细化。 2. 退火温度 T升高，再结晶速度快，εc值变小。 3. 原始晶粒尺寸 当变形度一定时，原始晶粒越细，D越小。 4.微量溶质原子和杂质元素 一般都能起细化再结晶晶粒的作用。 冷变形钢板焊缝区的组织和强度 8.3.5再结晶后的晶粒长大 再结晶结束后，材料的晶粒一般比较细小(等轴晶)