ito玻璃衬底plzt zno掺杂薄膜及其透明异质结的制备与性能研究-preparation and properties of plzt zno doped thin films on ito glass substrates and their transparent heterojunctions.docxVIP
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ito玻璃衬底plzt zno掺杂薄膜及其透明异质结的制备与性能研究-preparation and properties of plzt zno doped thin films on ito glass substrates and their transparent heterojunctions
独创性(或创新性)声明本人声明所呈交的论文是我个人在导师指导下进行的研究工作及取得的研究成 果。尽我所知,除了文中特别加以标注和致谢中所罗列的内容以外,论文中不包含其 他人已经发表或撰写过的研究成果;也不包含为获得桂林电子科技大学或其它教育机 构的学位或证书而使用过的材料。与我一同工作的同志对本研究所做的任何贡献均已 在论文中做了明确的说明并表示了谢意。申请学位论文与资料若有不实之处,本人承担一切相关责任。 本人签名:日期:关于论文使用授权的说明本人完全了解桂林电子科技大学有关保留和使用学位论文的规定,即:研究生在 校攻读学位期间论文工作的知识产权单位属桂林电子科技大学。本人保证毕业离校 后,发表论文或使用论文工作成果时署名单位仍然为桂林电子科技大学。学校有权保 留送交论文的复印件,允许查阅和借阅论文;学校可以公布论文的全部或部分内容, 可以允许采用影印、缩印或其它复制手段保存论文。(保密的论文在解密后遵守此规 定)本学位论文属于保密在年解密后适用本授权书。 本人签名:日期:导师签名:日期:摘要摘要锆钛酸铅镧(PLZT)薄膜因其优异的光学、铁电和介电性能,成为制备透明铁电器 件的重要材料之一。本文采用溶胶-凝胶(Sol-gel)工艺直接在掺锡氧化铟(ITO)玻璃衬 底上制备 Pb1-xLaxZr0.53Ti0.47O3, ZnO:F:Al 及掺杂薄膜,并通过引入缓冲层 ZnO,成功 地制备了 ZnO:Al:F/Pb1-xLaxZr0.53Ti0.47O3/ZnO/ITO 透明异质结,并对其特性进行研究。首先,详细研究了退火温度及旋涂层数对 PLZT 薄膜晶相结构、表面形貌、铁电 性、介电性及电光性能的影响,并据此确定了合理的工艺参数。结果表明:在 550 oC~750 oC 内,PLZT 薄膜的表面平整,且较为致密,无明显缺陷。PLZT 铁电薄膜在 650 oC 退火下无焦绿石及其它杂相,并且 PLZT 薄膜沿(110)晶面择优生长,PLZT/ITO 界面清晰,具有较高的电光性能。随着镀膜层数的增加,PLZT 薄膜的电性能有所改 善,但是透光性能降低,薄膜镀膜层数为 10 层时综合性能较好。其次,为了改进 PLZT 薄膜的性能,探索了不同的 Pb 过量百分比、La 含量及 Bi 掺杂对 PLZT 薄膜的晶相 结构、电滞回线(P-E)、电容-电压特性(C-V)、电流-电压特性(I-V)、抗疲劳性和透光率 等性能的影响。实验表明,Pb 过量为 10%的 PLZT 薄膜具有较好的电性能;随着 La 含量的增加,PLZT 薄膜的透光性能不断增强,透光率最大可达到 92%。Bi 元素掺杂 可 以 降 低 PLZT 薄 膜 的 漏 电 流 , 其 中 , Bi 掺 杂 量 y 值 为 0.6 时 , Pb0.9(La1-yBiy)0.1Zr0.53Ti0.47O3 薄膜具有较大的介电常数值(εr = 801);接着,采用超声波 喷雾热解(USP)技术制备了 ZnO:Al:F (AFZO)透明电极薄膜,研究了不同衬底温度和 Al 掺杂对 AFZO 薄膜的生长取向、晶相结构,电性能及透光性能的影响。结果表明, 当衬底温度为 320 oC 时,AFZO 薄膜表现出较好的择优取向性,无杂相,表面致密, 颗粒均匀,电光性能较好。当 F:Al:Zn = 3:1.5:100 时,AFZO 薄膜具有很好的电性能(126 Ω/sq)和光性能(80%);最后,研究了 AFZO/PLZT/ZnO/ITO 异质结的铁电性能、疲劳 特性、I-V 特性、C-V 特性和透光性。结果表明,C-V 曲线显示出源于铁电极化的回 滞,具有可实现极化存储的特征。引入 ZnO 缓冲层后,Bi 掺杂薄膜的铁电性能比未 掺杂的薄膜有所降低,其剩余极化值从 64 μC/cm2 变化为 57 μC/cm2;疲劳特性有明 显改善,极化反转次数提高了两个数量级;漏电流降低了近两个数量级;PLZT 薄膜 的 C-V曲线记忆窗口略大于 PLBZT 薄膜的记忆窗口,并对可能导致两种材料性能差 异的原因进行了分析。关键词:铁电薄膜;透明导电薄膜;透明异质结;掺杂改性;铁电性能;电光特性.*本文为广西自然科学基金项目资助课题(桂科自 0832247)IabstractAbstractLead lanthanum zirconate titanate (PLZT) with its excellent transparency, dielectric and ferroelectric properties is important materials for transparent capacitors and memories.0.3 mol/L PLZT thin films with va
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