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2018-05-29 发布于上海
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inasgasb薄膜及器件特性研究-study on inas gasb thin film and device characteristics.docx

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inasgasb薄膜及器件特性研究-study on inas gasb thin film and device characteristics

摘要摘要InAs/GaSb II 类超晶格材料是近年兴起的新型本征吸收窄禁带半导体材料，优异的性能使其在军事等领域有非常广泛的应用。受材料生长技术和水平的限制，国内有关InAs/GaSb II 类超晶格红外探测器的报道较少。另外，InAs/GaSb II 类超晶格红外探测器的台面腐蚀和表面钝化水平还有待提高。本论文使用分子束外延技术，超高真空环境下在GaSb衬底上外延生长了 InAs/GaSb II 类超晶格材料。设计出多次套刻腐蚀技术，制备了红外探测器芯片。主要研究内容和进展如下：生长出8ML InAs/8ML GaSb结构的中波超晶格和 4ML InAs/8ML GaSb结构的短波超晶格材料，揭示了生长参数对InAs/GaSb II 类超晶格结构和光电性能的影响规律，优化了其生长参数。阐明了生长温度（445℃－485℃）对不同界面的中波超晶格晶体结构和表面形貌的影响机理。使用了生长中断法和表面迁移率增强法（MEE）两种不同的快门控制方法，使用MEE法可以对界面结构和界面厚度进行精确控制，同时有效抑制As/Sb间的置换过程。得出了快门中断时间、InSb界面生长时间、V族元素束流等参数对超晶格材料应变性质的影响规律，实现了对超晶格界面控制参数的优化。使用优化的生长参数，获得了晶格应变小于0.13%、表面 10μm×10μm面积内粗糙度为1.7 nm的高质量超晶格材料。成功制备了InAs/GaSb超晶格中、短波红外探测器和pin光电二极管，器件台面结构制备采用湿法腐蚀和电感耦合等离子体（ICP）干法刻蚀技术。湿法化学腐蚀采用了磷酸系和酒石酸酸系的腐蚀液；干法刻蚀使用不同的刻蚀气氛，包括氯基（Cl2/Ar=5/15）、氩气（Ar）和甲基（CH4/H2/Ar=15/50/5）。经过对比研究发现，湿法腐蚀中磷酸系腐蚀后台面平整、表面无残留，但是因为侧向钻蚀存在，湿法腐蚀只适用于单元红外器件制作工艺。干法刻蚀中甲基气氛刻蚀后的台面平整、侧壁光滑，侧壁角度为约80度，台阶深度易控制，适合深台阶焦平面探测器制备，干法刻蚀后的表面损伤使用磷酸系腐蚀液去除。采用了几种不同的表面钝化方法对InAs/GaSb II 类超晶格器件进行钝化。钝化后漏电流密度减小三到五个数量级，性能大大提高。钝化方法包括阳极硫化加二氧化硅（SiO2）、阳极氧化加SiO2、阳极硫化加硫化锌（ZnS）和(NH4)2S化学钝化加ZnS。还提出了在InAs/GaSb II 类超晶格上使用阳极氟化加ZnS的钝化方法。俄歇电子能谱测试证实了氟化的钝化效果作用在超晶格表面。I-V 特性测试分析了钝化技术对抑制表面漏电流的作用，证明了钝化方法的工艺可靠性。I制备出中波和短波红外探测器，对这两种探测器进行了变温光谱响应测试和成像试验。在77K温度下，中波探测器R0A为3×105Ω?cm2，归一化的峰值探测率D* 达到3×1010cm?Hz1/2w-1 。短波探测器R0A为2×106Ω?cm2 ，归一化峰值探测率D* 为 1.3×1011cm?Hz1/2/W。关键词: 分子束外延；InAs/GaSb II 类超晶格；台面腐蚀；表面钝化；阳极氟化；红外探测器AbstractAbstractInAs/GaSb type-II superlattice materials are investigated for infrared photodetectors capable of performance comparable. There is currently considerable interest in InAs/GaSb type-II superlattice because of their broken-gap type-II band alignment. InAs/GaSb type-II superlattices materials are widely used in civil applications and military equipments as critical components of the system. Although it can be grown until recent years, there are few reports in the InAs/GaSb type-II superlattices infrared detectors application. The surface passivation and mesa etching in the photodiodes still need much improvement.The materials were gr