立方aln薄膜的激光分子束外延生长及其光学性能分析-laser molecular beam epitaxial growth of cubic aln thin films and its optical properties analysis.docxVIP

下载本文档

8
0
约4.65万字
约 59页
2018-05-29 发布于上海
举报
版权申诉

立方aln薄膜的激光分子束外延生长及其光学性能分析-laser molecular beam epitaxial growth of cubic aln thin films and its optical properties analysis.docx

1、原创力文档（book118）网站文档一经付费（服务费），不意味着购买了该文档的版权，仅供个人/单位学习、研究之用，不得用于商业用途，未经授权，严禁复制、发行、汇编、翻译或者网络传播等，侵权必究。。
2、本站所有内容均由合作方或网友上传，本站不对文档的完整性、权威性及其观点立场正确性做任何保证或承诺！文档内容仅供研究参考，付费前请自行鉴别。如您付费，意味着您自己接受本站规则且自行承担风险，本站不退款、不进行额外附加服务；查看《如何避免下载的几个坑》。如果您已付费下载过本站文档，您可以点击这里二次下载。
3、如文档侵犯商业秘密、侵犯著作权、侵犯人身权等，请点击“版权申诉”（推荐），也可以打举报电话：400-050-0827(电话支持时间：9:00-18:30)。
4、该文档为VIP文档，如果想要下载，成为VIP会员后，下载免费。
5、成为VIP后，下载本文档将扣除1次下载权益。下载后，不支持退款、换文档。如有疑问请联系我们。
6、成为VIP后，您将拥有八大权益，权益包括：VIP文档下载权益、阅读免打扰、文档格式转换、高级专利检索、专属身份标志、高级客服、多端互通、版权登记。
7、VIP文档为合作方或网友上传，每下载1次，网站将根据用户上传文档的质量评分、类型等，对文档贡献者给予高额补贴、流量扶持。如果你也想贡献VIP文档。上传文档

立方aln薄膜的激光分子束外延生长及其光学性能分析-laser molecular beam epitaxial growth of cubic aln thin films and its optical properties analysis

导体。基于薄膜的透射光谱，采用BCC法计算得到薄膜在不同工艺参数下的声子能量值在0.120~0.125eV之间，这对应于其横向光学声子能量。薄膜的禁带宽度值在4.3~4.5eV之间，随着晶格常数畸变量的增加，禁带宽度降低。4.根据第一性原理，采用MS软件对立方AlN的能带结构和状态密度进行了模拟计算。计算结果表明，立方AlN的导带底与价带顶不处于同一K点，验证了其为间接带隙半导体。计算得到立方AlN的禁带宽度为4.392eV，与实验值基本一致。关键词：激光分子束外延亚稳立方AlN薄膜显微组织结构界面结构光学性能GROWTHANDOPTICALPROPERTIESOFCUBICAlNFILMSDEPOSITEDBYLASERMOLECULARBEAMEPITAXYABSTRACTTheIII-VsemiconductorcubicAlNfilmisbecomingapromisingoptoelectronicandmicroelectronicmaterialforitsexcellentproperties.However,cubicAlNfilmexhibitspoorqualityduetoitsmetastablenature,andthustheenergybandstructure,opticalandelectricalproperties,andotherbasicphysicalpropertiesareseldomreported.Inthispaper,cubicAlNfilmswerepreparedonMgO(100)substratesbylasermolecularbeamepitaxytechnique.Thecrystalstructure,surfacemorphology,interfacialstructureandopticalpropertiesofcubicAlNfilmsdepositedatdifferentprocessparameterswereanalyzedsystematically.Meanwhile,theenergybandstructureanddensityofstatesofcubicAlNweresimulatedusingthefirstprinciples.Theresultsareasfollows:Cubicrock-saltAlNfilmswiththesinglepreferredorientationweredepositedonMgO(100)substratesbylasermolecularbeamepitaxytechnique.TheorientationrelationshipofcubicAlNfilmandMgOsubstrateisAlN(100)[100]//MgO(100)[100].CubicAlNfilmsshowtheexcellentcrystallinityandsurfacemorphologyatthesubstratetemperatureof700℃,thepulsedlaserenergyof125mJ·p-1,thenitrogenpartialpressureof0.8Pa,andtheannealingtemperatureof700℃.ForthelatticemismatchbetweenMgOsubstrateandcubicAlNfilms,thereexistscertainmisfitstressinthecubicAlNfilms.TheinterfacebetweencubicAlNfilmandMgOsubstrateisclearandsmooth.AdjacenttotheMgOsubstrate,athinstrainlayercausedbythestrainrelaxationoflatticemismatchisobserved.AcoherentinterfaceisformedattheinterfacebetweencubicAlNfilmandMgOsubstrate.However,latticedefects,suchasmisfitdislocationanddisorderedstructure,arealsofoundinthefilmandattheinterfaceasaresultofthemisfitstress,andthedefectdensityisextremelyhighintheinterfaceregion.CubicAlNfilmsexhibithightransmittanceinthevisibleregion.Nea