第一章基础知识 光电技术知识.pptVIP

能带的形成 导带 价带 满带 禁带 禁带 半导体材料多为共价晶体，每个原子的最外层电子和邻近原子形成共价键。 自由电子 价电子 能带结构 禁带（Forbidden Band）：允许被电子占据的能带称为允许带，允许带之间的范围是不允许电子占据的，此范围称为禁带。原子壳层中的内层允许带总是被电子先占满，然后再占据能量更高的外面一层的允许带。被电子占满的允许带称为满带，每一个能级上都没有电子的能带称为空带。 价带（Valence Band）：原子中最外层的电子称为价电子，与价电子能级相对应的能带称为价带。 导带（Conduction Band）：价带以上能量最低的允许带称为导带。 导带的底能级表示为Ec，价带的顶能级表示为Ev，Ec与Ev之间的能量间隔称为禁带Eg。 本征半导体和杂质半导体 半导体材料多为共价键，共价键上电子受束缚力较小，易受到激发从价带跃过禁带而进入导带，成为“自由电子”，价带中出现“自由空穴”。导电的自由电子和自由空穴统称为载流子。 结构完整、纯净的半导体称为本征半导体。 杂质半导体： ??? 半导体中人为地掺入少量杂质形成掺杂半导体，杂质对半导体导电性能影响很大。在技术上通常用控制杂质含量（即掺杂）来控制半导体导电特性。 N型半导体 在四价原子硅（Si）晶体中掺入五价原子，例如磷（P）或砷（As），形成N型半导体。 在晶格中某个硅原子被磷原子所替代，五价原子用四个价电子与周围的四价原子形成共价键，而多余一个电子，此多余电子受原子束缚力要比共价键上电子所受束缚力小得多，容易被五价原子释放，游离跃迁到导带上形成自由电子。 易释放电子的原子称为施主，施主束缚电子的能量状态称为施主能级ED。ED位于禁带中，较靠近材料的导带底。ED与Ec间的能量差称为施主电离能。N型半导体由施主控制材料导电性。 P型半导体 在四价原子硅（Si）晶体中掺入三价原子，例如硼（B），形成P型半导体。晶体中某个硅原子被硼原子所替代，硼原子的三个价电子和周围的硅原子中四个价电子要组成共价键，形成八个电子的稳定结构，尚缺一个电子。于是很容易从硅晶体中获取一个电子形成稳定结构，使硼原子外层多了一个电子变成负离子，而在硅晶体中出现空穴。 容易获取电子的原子称为受主。受主获取电子的能量状态称为受主能级EA，也位于禁带中。在价带顶Ev附近，EA与Ev间能量差称为受主电离能。P型半导体由受主控制材料导电性。 4. 费米能级 半导体中电子的能级分布服从费米统计分布: 费米能级: 时，若 ，则： 所以，费米能级是电子占据率为0.5的能级。 1.5.2 半导体中的载流子特性 热平衡下的载流子浓度 半导体的电学性质与材料的载流子浓度有关。 载流子浓度:单位体积内的载流子数。 由于热激发，电子获得能量从价带跃迁到导带，形成自由电子；同时，电子也从导带跃迁到价带并向晶格放出能量，即复合。 热平衡状态下，载流子浓度是一稳定值。 半导体在外界条件有变化（如受光照、外电场作用、温度变化）时，载流子浓度要随之发生变化，此时系统的状态称为非热平衡态。载流子浓度对于热平衡状态时浓度的增量称为非平衡载流子。 电注入：通过半导体界面把载流子注入半导体，使热平衡受到破坏。 光注入：光注入下产生非平衡载流子表现为价带中的电子吸收了光子能量从价带跃迁到导带，同时在价带中留下等量的空穴。 半导体中的非平衡载流子 半导体材料的光吸收效应 ? 半导体材料吸收光子能量转 换成电能是光电器件的工作基础。 光垂直入射到半导体表面时，进 入到半导体内的光强遵照吸收律： Ix=I0(1-r)e-αx 光垂直入射于半导体表面时发生反射 与吸收 Ix：距离表面x远处的光强 I0：入射光强 r：材料表面的反射率 α：材料吸收系数，与材料、入射光波长等因素有关 1）本征吸收 半导体吸收光子的能量使价带中的电子激发到导带，在价带中留下空穴，产生等量的电子与空穴，这种吸收过程叫本征吸收。 产生本征吸收的条件：入射光子的能量（h ? ）至少要等于材料的禁带宽度Eg。