锆酸锶基电阻式非挥发性记忆体之特性研究—论文.pdfVIP

行 精 類 行 年年 行 立 林 參理 理 理 理梁 理 理逸 理烈 理 理 理 論 理 年 ■ 成 果 報 告 行政院國家科學委員會補助專題研究計畫 □期中進度報告 鋯酸鍶基電阻式非揮發性記憶體之特性研究 計畫類別：■ 個別型計畫 □ 整合型計畫 計畫編號： NSC 98-2218-E-259-001 執行期間：98 年 02月 01日 至 98 年 10月 31日 計畫主持人：林群傑 共同主持人： 計畫參與人員：博士班研究生-王聖裕 碩士班研究生-何威霆、賴承甫、洪宇豪、郭志偉、 吳柏宏、梁育豪、張逸鵬、麥軒豪、吳煌烈 成果報告類型(依經費核定清單規定繳交)：■精簡報告 □完整報告 本成果報告包括以下應繳交之附件： □赴國外出差或研習心得報告一份 □赴大陸地區出差或研習心得報告一份 ■出席國際學術會議心得報告及發表之論文各一份 □國際合作研究計畫國外研究報告書一份 處理方式：除產學合作研究計畫、提升產業技術及人才培育研究計畫、 列管計畫及下列情形者外，得立即公開查詢 □涉及專利或其他智慧財產權，□一年□二年後可公開查詢 執行單位：國立東華大學電機工程學系 中 華 民 國 99 年 01 月 29 日 一、 前言及研究目的 隨著可攜式電子產品的蓬勃發展，快閃式記憶體 (Flash Memory)的需求量大增， 然而Flash Memory即將面臨尺寸微縮的極限 [1]，因此許多新式的非揮發性記憶體正被廣 泛的研究。鋯酸鍶基電阻式非揮發性記憶體具有極佳的記憶時間 (Retention) ，是可攜 式電子設備低耗電要求的重要關鍵，是極有可能取代Flash Memory ，成為新式的非揮 發性記憶體 [2-5] 。此外電阻式非揮發性記憶體亦有操作速度快、記憶密度高及製程簡單 等特點，使得電阻式非揮發性記憶體更容易應用在嵌入式系統之中。 二、 研究方法 o 首先利用射頻磁控濺鍍法，在 250 C下沉積厚度約為 100nm的 LaNiO3 (LNO) 薄膜 o 作為底電極，該薄膜在 O氣氛下經過 600 C快速升溫退火(RTA)處理 1 分鐘後，同樣利 2 o 用射頻磁控濺鍍法在 500 C下沉積厚度約為 50nm的 0.3-mol-% V-doped SrZrO (V:SZO)