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《电力电子仿真技术》试题
一、给出以下方程组:
16s+32u+33p+13w=91
5s+11u+10p+8w=16
9s+7u+6p+12w=5
34s+14u+15p+1w=43
求s,u,p,w的值,并求出系数的的行列式。
解: 令方程组左边系数矩阵为a,|a|不等于0,则a存在逆矩阵,那么矩阵。
Matlab 程序如下:
a=[16 32 33 13;5 11 10 8;9 7 6 12;34 14 15 1]
a =
16 32 33 13
5 11 10 8
9 7 6 12
34 14 15 1
b=[91 16 5 43]
b =
91
16
5
43
x=a\b %右除得到s、u、p、w的值
x =
-0.1258
-8.7133
11.2875
-0.0500
det(a) %求出系数的行列式的值
ans =
7680
二、电力电子整流电路仿真实验:绘制GTO、MOSFET、IGBT器件电路特性测试系统模型,记录负载端电压、电流的变化情况。
解:
1、GTO特性测试实验电路如下:
各模块的参数设定如下:
1)、脉冲发生器的设置
2)、GTO触发直流电压设置为U1=200V
3)、RLC的设置成电阻的形式
(3)实验数据:
2、IGBT特性测试实验电路如下图
参数设定如下
1)、脉冲发生器的设置
2)、直流电源的设置
3)、RLC设置成100欧电阻的形式
4)、仿真参数的设定
仿真结果如下图:
3、MOSFET电路特性仿真
MOSFET特性测试实验电路:
对于MOSFET电路,基本设置跟GTO和IGBT一样,其仿真结果如下:
实验总结:通过对GTO、IGBT、MOSFET电路的测试实验掌握了这几种电力电子器件的工作特性,掌握啦各种器件对触发型号的要求。
三、电力电子整流电路仿真实验:三相半波可控整流电路
解、(1)仿真电路原理图
(2)参数设定:
①.交流电压源的参数设置:
②.晶闸管参数设置如下:
③.负载设置R=10欧
④.Pluse模块参数设置如下(由于频率是25HZ,设置的脉冲周期为0.04s,脉冲高度为5,脉宽为50。在计算相位角延迟时间时,还必须再增加30°相位对应的时间依次延迟0.0132s):
:
⑤.内部仿真参数设定如下:
控制角为90°的带电阻性负载的仿真结果如下:
控制角为90°带电阻性负载的仿真波形
(2)带电阻电感性负载的仿真
注明:建立如上题的仿真电路,但需把负载部分改为RL电路,并设置R=1欧,L=0.01H,控制角设置如下:
控制角为60度时:Pulse2延迟0.01s,Pulse延迟0.0233s,Pulse1延迟0.0366s。
控制角为90度时:Pulse2延迟0.0133s,Pulse延迟0.0266s,Pulse1延迟0.0398s。
带电阻电感性负载的仿真结果如下:
控制角为60°仿真波形 控制角为90°仿真波形
四、全桥DC-DC变换电路的MATLAB仿真
1、双极性PWM控制方式
(1)三角波模块参数设置对话框,采用如下设置:
(2)正弦波模块参数设置对话框,采用如下设置:
(3)关系运算模块设置时对话框,采用如下设置:
(4)信号增益模块参数设置对话框,采用如下设置:
得到仿真结果如下:
2、通用子系统的生成
(1)、创建PWM子系统模块
①、选择“Simulik”库浏览器中的“PortsSubsystems”模块库,把标准功能模块“Subsystem”拖到未定名的模型窗口中,命名为“PWM”,如下图:
②、双击“PWM”模块,弹出一个子系统窗口内编辑“PWM”发生电路控制器的SIMULINK模型,如下:
③、最后得到的子系统如下:
(2)创建Subsystem子系统模块
①、选择“Simulik”库浏览器中的“PortsSubsystems”模块库,把标准功能模块“Subsystem”拖到未定名的模型窗口中,命名为“Subsystem”,如下图:
②、双击“Subsystem”模块,根据“PWM”子系统在弹出一个子系统窗口内编辑“Subsystem”发生电路控制器的SIMULINK模型,如下:
4个口分别输出波形:
③、最后得到的子系统如下:
(3)H桥DC-DC变换系统电路图
①、Pulse的参数设置:周期0.1S,振幅1V,脉冲宽度50%。
②、IGBT参数设置:
③、电阻R的参数设置:R1=1000OΩ,R2=10Ω
最后得到的仿真结果:
五、半桥型开关稳压电源电路的MA
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