含硫二氧化锌可见光光触媒之性质及应用摘要前言-昆山科技大学.pdfVIP

含硫二氧化鋅可見光光觸媒之性質及應用 指導老師：陳龍泉 研究學生：康瑞顯、王煜昇 摘要 本論文乃利用硫脲及硫酸鋅於氨水中利用沉澱法製備S-doped ZnO，討論其 物理性質，並以 AO7為模式反應物研究紫外光及可見光的光催化活性。400 至 500℃煅燒之樣品含有ZnS，及SO42-等高氧化態之含硫成份，當溫度到達700℃ 以時，含硫成份會轉換成氧化鋅。製備之樣品於可見光區域有明顯的吸光現象， 尤其是500℃以下煅燒樣品，然而高溫煅燒樣品於紫外線區域有較強的吸光度。 氧化鋅的晶型結構對光催化效的影響大於比表面積的效應。製備之樣品的結晶大 小約在100nm附近，煅燒溫度對結晶大小的影響並不顯著。800℃煅燒之樣品有 較佳的光催化活性。紫外光及可見光催化反應的最適S/Zn比分別為1/1及2/1。 要是由ZnO吸收紫外光產生電子與電洞所引發，可見光反應則可能由含硫成份吸 收可見光成為激發態後，將電子注入ZnO所引起。 關鍵字：硫脲、硫化鋅、氧化鋅、晶型結構、AO7 一、前言 觸媒是一種化學物質，本身能降低化學反應所需要的能量 (活化能)而促進 化學反應的發生或加速反應的速率，但本身卻不發生變化，這種促進反應的發生 或是加速反應的效應就稱觸媒。光觸媒即必需在光線照射下才能發揮其供用者， 而半導體光觸媒即是以半體體當作光觸媒，如目前研究相當廣泛的二氧化鈦。 半導體光觸媒因為可以將許多具有毒性或生物難分解的物質降解為二氧化 碳、水及相對應的無機成分，因此為目前相當熱門的研究題目。半導體有一能帶 間隙(band-gap energy)分隔 band)，因此在基態時無法導電。但是若照射能量大於能帶間隙的光線時，則可 於價電帶與導電帶分別電子與電洞對。根據價電帶及導電帶的能階位置，可決定 產生之電洞與電子的氧化與還原能力。二氧化鈦的價電帶邊緣約相當於3.0 V vs NHE，因此有相當強的氧化能力，可以直接氧化吸附之物質或將吸附的水分子與 氫氧陰離子氧化成氧氧自由基，由於此自由基具有相當強的氧化能力，因此可用 於廢水及空氣污染物的淨化。同時，導電帶的電子具有還原的能力，可以與吸附 氧結合形成氧陰離子自由基，氧離子可以分解成H２O２，進一步分解為HO自由基。 另一方面，產生的電子與電洞若沒有適當的分離，則兩者相當容易再結合而喪失 O3-1 作功的能力，此亦為光催化量子效率無法提高的一大因素。[1，2] 由於二氧化鈦光電子轉移到觸媒表面與氧反應的速率快[3]，因此被認為是 較佳的光觸媒選擇，然而亦有作者報告氧化鋅的光催化活性在部分系統中會優於 二氧化鈦，如反應性偶氮染料的脫色反應[4-8]、紙漿廢水[9]、2-phenyl phenol[10] 及酚的氧化[11]。氧化鋅的價格相較二氧化鈦便宜，但是在光催化 應用的討論卻是相對缺乏。 氧化鋅的能帶間隙為 3.2eV 與二氧化鈦相似，且導電帶與價電帶位置亦相 近，具有相似的氧化還原行為。因此氧化鋅必需在波長小於390nm紫外線輻射下 才能產生光催化的效果，使其應用亦如同二氧化鈦一樣，無法於可見光下被激 發，降低太陽能的應用。雖然有部分系統以摻雜金屬離子、複合半導體、沉積金 屬和氮還原等方式可以來增進光催化效率或可見光效率，但是因為實驗變數的變 數異性相當大，因此造成許多結果的不一致，甚至互相牴觸[2，12]。 Ohno et al[13]製備含 S 的二氧化鈦且發現於可見光之下可催化分解異丙 醇、亞甲基藍。由於氧化鋅的性質與二氧化鈦相近，然而含S之氧化鋅系統應於 光催化反應之討論相當缺乏。因此本文擬以沉澱法，由硫酸鋅與硫脲製備含硫之 氧化鋅，討論其物理性質，並應用於生物難分解之偶氮染料，瞭解其在紫外光及 可見光輻射下之光催化反應性。 二、實驗方法 2.1藥品名稱 2.酸橙7號(acid orange 7)95%(Panreac)。 3.硫脲(thiourea)(一級，和光純藥工業株式會社)。 4.氫氧化鈉(sodium hydroxide)(特級，日本試藥)。 5.鹽酸(hydrochloric acid)(一級， 日本試藥)。 2.2儀器名稱 1.攪拌器(ClMAREC，SP131325)。 2.光反應器(深度17cm，內徑8cm，外徑11cm，500ml)。 3.XRD(Rigaku D/MaxIII.V)。