霍尔效应研究和磁场测量.docVIP

霍尔效应研究及磁场测量 置于磁场中的载流体，如果电流方向与磁场垂直，则在垂直于电流和磁场的方向会产生一附加的横向电场，这个现象是霍普金斯大学研究生霍耳于1879年发现的，后被称为霍耳效应。如今霍耳效应不但是测定半导体材料电学参数的主要手段，而且利用该效应制成的霍耳器件已广泛用于非电量的电测量、自动控制和信息处理等方面。在工业生产要求自动检测和控制的今天，作为敏感元件之一的霍耳器件，将有更广泛的应用前景。熟悉并掌握这一具有实用性的实验，对日后的工作将是十分必要的。 【实验目的】 1．了解霍耳效应实验原理以及有关霍耳器件对材料要求的知识。 2．学习用“对称测量法”消除副效应的影响，测量试样的 和曲线。 3．测量电磁铁空气隙中的磁场分布。 【实验仪器】 霍耳效应组合实验仪一套 【实验原理】 1．霍耳效应： 霍耳效应从本质上讲是运动的带电粒子在磁场中受洛伦兹力作用而引起的偏转。当带电粒子（电子或空穴）被约束在固体材料中，这种偏转就导致在垂直电流和磁场方向上产生正负电荷的聚积，从而形成附加的横向电场，即霍耳电场。如图1所示的半导体试样，若在方向通以电流 ，在方向加磁场，则在方向即试样 电极两侧就开始聚集异号电荷而产生相应的附加电场。电场的指向取决于试样的导电类型。对图所示的型试样，霍耳电场逆方向，的型试样则沿方向。即有： 显然，霍耳电场是阻止载流