第六章半导体二极管三极管.pptVIP

2. 结构特点： 基区：最薄， 掺杂浓度最低 发射区：掺 杂浓度最高 B E C N N P 基极 发射极 集电极 集电区： 面积最大 三极管的结构特点 第31页/共43页 常见三极管的外形结构 3. 三极管的外形结构 第32页/共43页 1．放大条件 外部条件：发射结正偏，集电结反偏 发射结正偏 VBVE 集电结反偏 VCVB 发射结正偏 VBVE 集电结反偏 VCVB 二、 三极管的电流分配与放大作用 电位 关系 VB VE VC VC VB VE 第33页/共43页 第34页/共43页 结论： （1）三电极电流关系 IE＝ IB＋ IC （2） IC ?? IB， IC≈ IE 2．电流分配关系： IB/mA 0.02 0.04 0.06 0.08 0.10 IC/mA 0.80 1.50 2.30 3.10 3.95 IE/mA 0.82 1.54 2.36 3.18 4.05 第35页/共43页 即描述三极管各个电极之间电压与电流关系的曲线。 为什么要研究特性曲线？ 三极管的特性曲线反映了晶体管的性能，是分析放大电路技术指标的重要依据。 研究特性曲线，能直观地分析管子的工作状态，合理地选择偏置电路的参数，设计性能良好的电路。 重点讨论应用最广泛的共发射极接法的特性曲线 3.三极管的特性曲线 第36页/共43页 发射极是输入回路、输出回路的公共端 共发射极电路 三极管特性曲线的测试电路 第37页/共43页 （1）输入特性曲线：iB=f (uBE)∣uCE=常数 特点：非线性 正常工作时发射结电压： 硅管：UBE ? 0.6~0.7V 锗管： UBE? 0.2 ~ 0.3V 输入特性曲线 第38页/共43页 输出特性曲线通常分三个工作区： （a） 放大区：iC平行于uCE轴的区域，曲线基本平行。此时，发射结正偏，集电结反偏。 输出特性曲线 （2）输出特性曲线： iC =f (uCE)∣ iB＝常数 恒流特性：iB一定时，iC随uCE变化很小。 第39页/共43页 （b）饱和区: uCE很小，iC不受IB控制，此时，发射结正偏，集电结正偏。 uCES ＝ 0．3Ｖ 硅管 0．1Ｖ 锗管 （c）截止区：iC 接近零的区域， 相当iB = 0的曲线的下方。此时， 发射结反偏，集电结反偏。 第40页/共43页 （1） 电流放大系数 共发射极交流电流放大系数 共发射极直流电流放大系数 4. 三极管的主要参数 IB/mA 0.02 0.04 0.06 0.08 0.10 IC/mA 0.80 1.50 2.30 3.10 3.95 IE/mA 0.82 1.54 2.36 3.18 4.05 把基极电流的微小变化能够引起集电极电流较大变化的特性称为三极管的电流放大作用。 实质：晶体管是用一个微小电流的变化去控制一个较大电流的 变化，是一种电流控制器件 。 IB微小的变化，可以引起IC较大的变化。 第41页/共43页 三极管工作区域的判断 正偏 反偏 反偏 集电结 正偏 正偏 反偏 发射结 饱和 放大 截止 例3：测量某NPN型BJT各电极对地的电压值如下，试判别管 子工作在什么区域？ （1） VC ＝8V　 VB ＝2.7V　 VE ＝2V （2） VC ＝8V 　 VB ＝2V　 VE ＝3.6V （3） VC ＝3.6V　 VB ＝4V　 VE ＝3.3V 原则： （1） 放大区 （2）截止区 （3）饱和区 第42页/共43页 作 业 6－12（a、e） 第43页/共43页 6. 成绩评定标准 作业 、实验 、考勤 40 % 　　 　　　期终考试　　　　　 60 % 7.作业及实验报告要求 （1）整洁 （2）画图要用尺 （3）按时交作业 第1页/共43页 第六章 常用半导体元器件 第一节 半导体二极管 第二节 半导体三极管 第2页/共43页 第一节 半导体二极管 根据物体导电能力(电阻率)的不同，来划分导体、绝缘体和半导体。 导体：自然界中很容易导电的物质称为导体，金属一般都是导体。 绝缘体：有的物质几乎不导电，称为绝缘体，如橡皮、陶瓷、塑料和石英。 半导体：导电能力介于导体与绝缘体之间的物体，都是半导体。 典型的半导体有硅Si和锗Ge以及砷化镓GaAs等。 第3页/共43页 半导体的导电机理不同于其它物质，所以它具有不同于