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* * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * 3） 传输特性 UO Ui 0 A B C D TN截止 TP截止 截止区 饱和区 可变电阻区 TN Ui增加 TP Ui减小 第63页/共74页 * 2 CMOS与非门电路 1） 电路结构 UDD L TN2 TP2 B A TN1 TP1 2） 工作原理分析 A B 0 0 0 1 1 0 1 1 L 1 1 1 0 各管工作情况 TN截止、TP导通 TN1、TP2导通、TN2、TP1截止 TN2、TP1导通、TN1、TP2截止 TN导通、TP截止 第64页/共74页 * 3 或非门电路 1） 电路结构 L TN2 TP2 B A TN1 TP1 2） 工作原理分析 A B 0 0 0 1 1 0 1 1 L 1 0 0 0 各管工作情况 TN截止、TP导通 TN1、TP2导通、TN2、TP1截止 TN2、TP1导通、TN1、TP2截止 TN导通、TP截止 UDD 第65页/共74页 * 4 CMOS 传输门 用作模拟开关 （用于采样保持、模数、数模转换等电路中） Ui Uo ＋5V －5V C C TG Ui Uo Uo Ui C C C= －5V C = +5V 时TN、TP在Ui＝－5V~+5V之间均不导通相当与开关断开 C= ＋5V C = －5V Ui－3V TN 导通 －3V≤Ui +3V TN、TP同时导通 Ui+3V TP 导通 第66页/共74页 * 5 BiCMOS门电路 综合了TTL速度快、带负载能力强和CMOS低功耗两个优势 BiCMOS反相器 Ui UDD UO TN TP M1 M2 T1 T2 复合管 UDD TN TP 简化电路 第67页/共74页 * MOS逻辑门电路与TTL电路的比较 分类 特点 与TTL电路的比较 NMOS PMOS CMOS 输入阻抗高 带同类负载能力强 静态功耗小 工作速度低 电源为＋电压 输入阻抗高 静态功耗小 工作速度更低 电源为负电源 静态功耗小 工作速度更低 负载能力强 电源电压允许变化范围大 速度低于TTL 功耗小于TTL 集成度高于TTL 第68页/共74页 * 逻辑门电路使用中的几个问题 各种门电路之间的接口问题 1 CMOS门驱动TTL门 CMOS TTL UOH =5V UOL =0V UIH =1.4V UIL =0.4V UOH UIH UOL UIL 电平兼容，此时主要考虑扇出系数问题 （带负载能力） 0 UOL UIL UOH UIH 第69页/共74页 * 2 TTL 门驱动CMOS门 CMOS TTL UOH =3.6V UOL =0.4V UIH =5V UIL =0V UOH UIH UOL UIL 电平不兼容， 应考虑电平转换问题 0 UIL UOL UIH UOH UDD CMOS TTL UDD CMOS TTL 第70页/共74页 * 门电路的带其它类型负载问题 UCC R R= UCC－UT－UOL ID R R= UOH－UT ID UCC 第71页/共74页 * 抗干扰问题 1 多余输入端的处理 原则 处理后不影响正常的逻辑关系 多余输入端不能悬空 UCC A B L A B L ≥1 A B L A B L ≥1 TTL 第72页/共74页 * 2 去耦合电容 100uF 0.1uF UCC 3 正确的接地和安装工艺 第73页/共74页 * 集成电路系列 74系列 使用温度 0 oC ~70 OC 工业产品 54系列 使用温度 －55 oC ~125 OC 军工产品 HC 高速CMOS 例：74HC00 HCT 与TTL兼容的高速CMOS 例：74HCT00 LS 低功耗TTL 例：74LSC00 ALS 先进的低功耗TTL 例：74ALSC00 00 4二输入与非门 第74页/共74页 * * * * * * 。 * * * * * * * * * * * * * * * (1) 控制工作状态的关键在于控制基极电流或电压 归纳： (2) 在数字电路中，T作为开关使用，故工作在饱和或截止区 (3) 工作状