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湿法刻蚀 工艺作业指导书 车间:多晶电池车间 编制: 审核: 审定: 批准: 时间:2011年03月01日 序 言 为更好地保证湿法刻蚀的生产正常进行,稳定生产工艺,提高湿法刻蚀工序产品质量,进一步保证电池产品性能,特制定本作业指导书,以规范操作人员的工艺操作，使工艺操作和工艺控制有章可循,规范统一,同时,为新员工的上岗培训提供教材参考。 目 录 1、工艺目的： 3 2、设备及工具： 3 3、适用范围 3 4、职责 3 5、材料： 3 6、工艺描述： 3 7、工艺准备： 5 8、生产操作： 6 9、测试及检查： 7 10、安全操作： 8 湿法刻蚀工艺操作规程 1、工艺目的： 通过化学反应腐蚀掉硅片背面及四周的PN结以达到正面与背面绝缘的目的，同时去除正面的磷硅玻璃层。 2、设备及工具： Rena Inoxside湿法刻蚀机、电子天平、GP Solar电阻测试仪、PVC手套、口罩、防护服、防护眼罩、防护套袖、橡胶手套、防酸碱胶鞋等。 3、适用范围 本工艺适用于Rena Inoxide湿法刻蚀机 4、职责 本工艺操作规程由工艺工程师负责调试、修改、解释。 5、材料： 合格的多晶硅片（扩散后）、H2SO4（98%，电子级）、HF（49%，电子级）、KOH（45%,电子级）、HNO3（68%，电子级）、DI水（2.0～2.5bar）、压缩空气（6 bar，除油，除水，除粉尘）、冷却水（0.5 bar，进水温度15～20℃，出水温度30～40℃）、City Water（1.5～2.5bar）等。 6、工艺描述： 6.1、工艺原理： Rena Inoxide刻蚀工艺主要包括三部分： 硫酸、硝酸、氢氟酸 氢氧化钾 氢氟酸 本工艺过程中，硝酸将硅片背面和边缘氧化，形成二氧化硅，氢氟酸与二氧化硅反应生成络合物六氟硅酸，从而达到刻蚀的目的。 刻蚀之后经过KOH溶液去除硅片表面的多孔硅，并将从刻蚀槽中携带的未冲洗干净的酸除去。 最后利用HF酸将硅片正面的磷硅玻璃去除。并用DI水冲洗硅片，最后用压缩空气将硅片表面吹干。 反应方程式如下： 6.2、工艺流程： 上料→,,混合酸液腐蚀→风刀1→DI水冲洗→KOH腐蚀→风刀2→DI水冲洗→腐蚀→风刀3→DI水冲洗→压缩空气风干→下料 6.3、工艺条件： 去离子水压力为2.0～2.5、压缩空气压力为6 环境温度：25±3℃ 相对湿度：40%～60% ，无凝露 腐蚀槽温度：8℃ 槽温度：20℃ 6.4、工艺控制： （1）、主要控制点： 腐蚀深度控制在1.2±0.2之间， 刻蚀宽度D≤1，每片测量四点，测量点在每边的中间点，20点（5道）或32点（8道）的平均值。； 绝缘电阻≥1。 以上三个参数在正常生产时至少每隔1小时测量一次。当更换药液和停产一段时间再生产时及参数不正常时，要求增加测量次数。 （2）、腐蚀槽的腐蚀速率会随着硅片清洗量的增加而改变，新换的药液反应速度可能较慢，腐蚀量小，若出现此种情况，需要降低带速，随着生产的进行，要求每隔半小时测量一次腐蚀深度，当腐蚀速度稳定后，要求至少每隔一个小时测量一次腐蚀深度。调整带速要求范围：1.5－2.5，以保证腐蚀深度控制在规定范围内。 （3）、如停产时间超过2小时，经班组长许可，可手动补加5 L 。如腐蚀量低于要求标准，可再手动补加1 L 。 （4）、当工艺方案因随车间的工艺调整而变化时，工艺人员应当及时通知并做好相应的记录。 （5）、腐蚀槽循环流量要求设定在30~40之间。循环流量过小会导致腐蚀量不够，甚至硅片边缘不能完全去除；循环量过大会导致过腐蚀现象和硅片边缘刻蚀宽度出现阴影严重引起表面不合格。 （6）、腐蚀槽温度保证在8±1 ℃，随着温度的升高，腐蚀速率会加快，但会使药液密度减小，以致发生过腐蚀现象。所以在温度未降到工艺控制范围内时禁止生产。 （7）、碱洗槽温度要求 ≤23℃。碱洗槽药液冷却依靠公司内部供应冷却水。当发现碱洗槽温度超过控制范围时，及时通知相关负责人进行检查调整。 （8）、碱洗槽循环流量要求设定在20~30，且首先保证下喷淋量充足，以便使硅片背面多孔硅腐蚀充分。 （9）、压缩空气风干Dryer 处风刀频率及流量的控制太小，易造成硅片不能完全风干；过大易产生碎片。以硅片上下表面能够被完全风干为前提。建议风刀频率为：75%~80%；压缩空气流量：（8道），（5道）。（一般上喷嘴180~200下喷嘴150~180，温度一般为50℃，可通过手阀调节，流量↑，温度↓，反之则反） 7、工艺准备： 7.1、工装工具准备： 备齐用于工艺生产的PVC手套、口罩、防护眼罩、防护面罩、防护套袖、防护服、防酸碱手套、防酸碱胶鞋等。 7.2、设备准备： 确认设备能正常运行,DI水、压缩空气等压力及流量正常。确认设定的刻蚀工艺，碱洗工