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1 ?第一章 半导体工业—3 生产阶段 by r53858固态器件的制造有四个不同的阶段。（图1.19） 它们是材料准备、晶体生长和晶圆准备、晶圆制造、封装。 在第一个阶段，材料准备（见第二章）是半导体材料的开采并根据半导体标准进行提纯。硅是以沙子为原料通过转化成为具有多晶硅结构的纯硅（图1.21）。 在第二个阶段，材料首先形成带有特殊的电子和结构参数的晶体，再进行晶体生长，之后，在晶体生长和晶圆准备（见第三章）工艺中，晶体被切割成称为晶圆的薄片，并进行表面处理（图1.21）。另外半导体工业也用锗和不同半导体材料的混合物来制作器件与电路。 材料准备 晶体生长与晶圆准备 晶圆制造 封装 第三个阶段是晶圆制造，也就是在其表面上形成器件或集成电路。在每个晶圆上通常可形成200到300个同样的器件，也可多至几千个。在晶圆上由分立器件或集成电路占据的区域叫做芯片。晶圆制造也可称为制造、FAB、芯片制造或是微芯片制造。晶圆的制造可有几千个步骤，它们可分为两个主要部分：前线工艺是晶体管和其它器件在晶圆表面上的形成；后线工艺是以金属线把器件连在一起并加一层最终保护层。 遵循晶圆制造过程，晶圆上的芯片已经完成，但是仍旧保持晶圆形式并 且未经测试。下一步每个芯片都需要进行电测（称为晶圆电测）来检测是否符合客户的要求。晶圆电测是晶圆制造的最后一步或是封装（packaging）的第一步。 二氧化硅(沙子) 含硅气体 硅反应炉 多晶硅 1.20 二氧化硅到半导体应用级硅的转化 多晶硅 硅晶体生长 硅晶圆 封装通过一系列的过程把晶圆上的芯片分割开然后将它们封装起来。封装起到保护芯片免于污染和外来伤害的作用，并提供坚固耐用的电气引脚以和电路板或电子产品相连。封装是在半导体生产厂的另一个部门来完成的。 绝大数的芯片是被单个地封装起来的，但是混合电路、多芯片模块（MCMs）或直接安装在电路板上（COB）的形式正在日趋增加。混合电路是在陶瓷基片上将半导体器件（分立和IC）和厚或薄膜电阻及导线还有其它电子元件组合起来的形式，这些技术将在第18章中作出解释。 开发的十年(1951-1960) 虽然固态电子的极大优点早已为人所知，但小型化带来的优越性直到20年后才被认识到。在二十世纪五十年代，工程师开始着手工作并制定了许多今天仍在使用的基本工艺和材料。 使半导体器件工作的结构是 “PN结”（图1.24），它由富含电子的区域（负极或N型）和相邻的富含空穴的区域（失去电子有正电性或P型）一起构成的（见第11章）。 晶体管要有两个结才能工作（见第16章）。早期商业化的晶体管是双极型的，并且到二十世纪七十年代一直占据统治地位。双极是指晶体管具有工作在正电流和负电流情况下的结构。其它制作固态晶体管的主要方法是场效应管（FET），William Shockley在1951公布了FET的工作原理。这种晶体管只用一种类型电流来工作所以又叫做单极器件。后来大量上市的FET是具有以一种称为金属氧化物（MOS）结构的晶体管。 William Shockley和贝尔实验室对半导体技术的传播有不可磨灭的功绩。Shockley在1955年离开了贝尔实验室并在加利福尼亚的Palo Alto创建了Shockley实验室。虽然他的实验室未能幸存下来，但是它在西海岸建立了半导体制造业并为后来著名的硅谷的奠定了基础。贝尔实验室对它的半导体技术授以许可证并转给制造公司, 这促进了半导体工业的腾飞。 早期的半导体器件是用锗材料来制造的。得州仪器公司在1954年引入了第一个硅晶体管改变了这一趋势。而在1956和1957年贝尔实验室的两个技术进步，扩散结和氧化掩膜平息了哪种材料会占主流的问题。 氧化掩膜的发展带来了硅的时代。二氧化硅（SO2）可在硅表面上均匀地生成，并且有和硅相近的膨胀系数，使得在进行高温处理时不会出现翘起变形， 二氧化硅还是绝缘材料可在硅表面上充当绝缘物。另外，它对形成N和P型区所需的掺杂物有良好的阻挡作用。 由于这些技术的进步，Fairchild Camera在1960年引入了平面技术。使用上面提到的技术可在制造过程中形成（扩散）和保护（二氧化硅）PN结。氧化掩膜的发展也使得可通过晶圆的表面形成两个PN结（图1.26），也就是它们都在一平面中。这种工艺将半导体技术引入了Robert Noyce的用薄膜连线的时代。 通过刻有图案的氧化层对晶圆参杂 金属导电层 图1.25 基本的硅平化工艺 双极型晶体管 外延层 晶圆 1.26 在外延层上形成的两次渗透的双极型晶体管 贝尔实验室又构思出了在晶圆的表面沉积一层称为外延层的高纯度膜，再在其上形成晶体管的技术（图1.27），使用这种技术可制做出更高