第九篇 章 晶体硅太阳能电池 经典太阳电池基础课件.ppt

即便如此，现今的太阳电池还无法与常规能源竞争。只有在保持较高转换效率的情况下使电池组件的成本低于１美元/Ｗ，太阳电池才具有和常规能源竞争的优势，为了实现这一目标，太阳电池需要在薄膜化和规模化方面有更大的发展。 检测分级 电极印刷后到高温烧结结束，整个太阳电池制造过程也就完成了。在太阳光下将太阳电池正、负极用导线接上，就有电流通过了。 为了保证产品质量的一致性，通常要对每个电池测试，并按电流和功率大小进行分类，可根据电池效率，分0.4或0.5分级包装。但要使太阳电池能很好的满足用户发电需要，还需将太阳电池封装成太阳电池组件。 电池的正面必须保证对光线透明，因此电池的正面的电极呈梳子状形式或丝网树枝状结构。正面电极的形式和厚度总是两方面因素平衡的结果：一方面要有高的透过率；另一方面要保证栅网电极有一个尽可能低的接触电阻。 单晶硅太阳能电池转换效率无疑是最高的，在大规模应用和工业生产中仍占据主导地位，但由于受单晶硅材料价格及相应的繁琐的电池工艺影响，致使单晶硅成本价格居高不下，要想大幅度降低其成本是非常困难的。 为了节省高质量材料，寻找单晶硅电池的替代产品，现在发展了薄膜太阳能电池，其中多晶硅薄膜太阳能电池和非晶硅薄膜太阳能电池就是典型代表。 CZ-Si生长示意图 籽 晶 石英坩埚 硅 熔体 引 颈 单晶 肩 缩 颈 单晶硅光电池制备工艺流程 扩散 制结及检测 备料、 切片、表 面处理 制作上下 底电极 腐蚀周边 浸锡焊 引线 蒸镀减反射膜 检验测试 3.硅太阳电池的设计 引言 主要依据 基体掺杂 背面场 顶层的限制 上电极的设计 光学设计 光谱响应 小结 引言 解决的问题： 在结两边的最佳掺杂浓度是多少？ 结的最佳位置在什么地方？ 电池上电极的最好形状是什么？ 怎样才能使电池的光学损失最小？ 主要依据 .1.光生载流子的收集几率：一个光生少数载流子对太阳电池短路电流做出贡献的几率。 n区和P区的长度都远远大于空穴和电子扩散长度 收集几率随着载流子产生电离结的耗尽区边缘的距离增加而指数地减少。特征扩散长度正好等于少数载流子的扩散长度。 2.结深 在阳光下半导体载流子的产生率为 产生率靠近表面处有很强的峰值，而这里正好收集率很低。显然，如果pn结尽可能靠近表面，则这个缺陷可限制到最小。 3.顶层的横向电阻 对于均匀掺杂的n型层，其电阻率由下式得出 更适合于描述这一层的横向电阻的量是“薄层电阻” 薄层电阻较小的电池，栅线间隔大；而薄层电阻较大的电池，栅线间隔较大。 基体掺杂 结深一旦确定，要获得最大的 ，关键的参数是基体材料的扩散长度。扩散长度主要由这一区域的少数载流子的寿命确定。一般倾向于寿命随着掺杂浓度的增加而缩短。 陷阱引起的复合 俄歇复合 辐射复合 净复合率 结论 对于p型基体，为了减小薄层电阻，应使n型扩散区的掺杂尽可能的高； 开路电压往往随受主杂质浓度的增加而增加； 因为 和 对于 有相反的依赖关系，因此为了得到最大的能量转换效率存在一个最佳的体掺杂浓度 背电场 为了增加电池的功率-重量比，减少材料的使用量和提高耐高能粒子辐射的能力，希望光电池做的很薄，但太薄的电池，尤其对于间接带隙半导体材料，由于透光的损失和背欧姆接触的高复合速度，使短路电流和开路电压降低了，为此必须提高电池的厚度，这样两者出现了矛盾，背电场结构电池出现了，较好地解决了这方面得问题。 1.背电场结构的电池和高低结势垒 背电场电池是在一般p-n同质结电池的背面用扩散法或合金法加制一层与基区导电类型相同的重掺杂区。然后在重掺杂区上面制作金属接触欧姆电极。 1.背电场结构的电池和高低结势垒 由于重掺杂的基区2和轻掺杂的基区1之间的浓度差，空间电荷区形成了有由p区指向 区的内建电场，这是一个阻止p区的电子指向 区运动的势垒，平衡时的能带如图所示，形成一个高低结势垒高度 用高低结合金属形成的欧姆接触为选择性欧姆接触。 2.背电场在提高电池性能上的作用 增加了形成背电场后的重掺杂层以后，整个n/p型的能带。它有两个结组成，一个是 结，另一个是高低结。这两个势垒方向是一致的，因此总的势垒高度为 ，比单一的p-n结的势垒提高了。 它在提高电池性能上的作用