第二篇 章-探测器、前放(2学时) 核仪器概论课件.pptVIP

*;第二章 谱仪中常用的探测器简介;◇ 闪烁探测器的基本组成。;◇ 闪烁体 ;3、半导体探测器;◇ 因在结区内有很强的电场，这就相当于一个固体电离室。结区就是探测器的灵敏体积。一旦有粒子入射，在结区内即可产生电子—空穴对，电子—空穴被收集后给出信号电流。 ◇工作时要在探测器上加合适的反向电压，当有粒子射入时，输出电荷量正比于入射粒子在结区内损耗的能量。利用这一点，可以测量入射粒子的能谱。; 由于P-N结探测器具有高的能量分辨率、良好的线性等优点，它在能谱测量方面有重要的应用。主要用在α及其它重带电粒子能谱测量。;P－N结型半导体探测器; 由于这种P-I-N结探测器的制备过程采用了“锂漂移”技术，因而又称作“锂漂移探测器”。 锂漂移探测器又分为两大类：锗锂漂移探测器[Ge(Li)]和硅锂漂移探测器[ Si(Li)]。;◇没有外加电压时P-I-N结的情况 由于扩散过程，最终在N层及P层内边界将分别出现正、负空间电荷。 这些空间电荷所产生的电场把在I区内所产生的两种载流子分; 利用P—I—N结探测射线时，处于耗尽状态的I区就是探测器的灵敏体积。由入射粒子在其中产生的电子—空穴对将被I区电场扫向两边，从而产生输出信号。 ◇与P-N结探测器相比较： a：由于I区的存在，P—I—N结探测器的灵敏区宽 度比P-N结探测器大大增加了（可达10mm以上）。;P-I-N结构的探测器; ⑶、高纯锗探测器 原理简述： 高纯锗(HPGe)探测器实质上就是利用极高纯度的锗制成的P—N结探测器。用这种材料制成的P—N结探测器，结区宽度很大，可以大到与锂漂移探测器类似。因此HPGe探测器的性能(包括对γ射线的探测效率和能量分辨率）与Ge(Li)探测器相似。 ; 应用： HPGe探测器主要用于测量γ射线能谱。 另外，也可用于X射线谱学。与Si(Li)探测器相比较明显地改善能量分辨率，但HPGe探测器所能测量的X射线能量下限为2.3kev。这要比Si(Li)的高。 ;;4、 能谱测量中几种常用探测器的主要性能比较;解释上表： ◇各种探测器输出信号幅度之间的比较; △ 电离室输出信号幅度（大约）;△ 半导体探测器输出信号幅度（大约） 半导体探测器的平均电离能比气体探测器小一个量级。 室温下的硅（Si）： 低温下的锗（Ge）： ;◇各种探测器“固有能量分辨率”指标之间的比较 （只做简单的定性说明） 电离室：同种能量带电粒子电离所得到的电荷数N是围绕其平均值 随机涨落的。因此离子对数概率密度分布曲线会有一定展宽。;（其中： 为离子对数的平均值 σN为N 涨落的标准偏差：; 正比计数器：带电粒子电离所得到的电荷数N的涨落，与电离室中一样。但是由于气体放大作用，输出电荷数N’＝NA。而A也是随机变量，因此必须按统计理论中的两级串级随机变量的计算规则来计算N’的相对标准偏差。因此，正比计数器的固有能量分辨率比电离室的差。约为 1.4％。 ;半导体探测器：射线能量在探测器中产生的电子空穴对数是围绕其平均值 随机涨落的。N只受一个随机变量的影响，这一点与电离室相同。但半导体的平均电离能比气体约小一个量级。因此相同能量粒子在半导体探测器中产生的电荷数N比电离室中要大一个量级。这将使N的相对统计偏差要减小许多。也使半导体探测器的固有能量分辨率指标比电离室的要好得多，一般约为 0.1％－0.2％。;; 对能量分辨率要求不高，可选择使用、维护都比较简单，价格经济的闪烁探测器。当要求探测器的分辨率要高时，一般选用γ射线半导体探测器。 ;第三章 前置放大器;◇为什么要将放大器分成两个部分？;◇各部分的任务？;◇ 探测器与前置放大器连接的等效电路图 ; 探测器输出的电流脉冲 Io(t)流经等效电阻Ri、电容Ci的并联电路，被转换为电压信号V(t)。显然，若RiCiIo(t)的持续时间时， V(t)的幅度与Io(t)的积分成正比，即与入射粒子的能量成正比。;一、 电压灵敏前置放大器 ;放大器输入电容CA可能由于输入级增益不稳定而变化。 使用P-N结半导体探测器时，如偏压不稳，则结电容CD将发生变化等。;第一、二章习题 4、7、8;小测验：