第五篇 章 晶体管的二维有限差分法 微电子器件及工艺CAD（半导体器件模拟课件）.pptVIP

第五章 二维有限差分模拟法;二维有限差分模拟法;§5-1 基本方程及差分方程;二维形式;二维形式;5.1.2 网格化;5.1.3 基本方程的差分化;2. Poisson方程的差分方程;5.1.3 基本方程的差分化;基本方程及差分方程;§5-2 边界条件; 在晶体管的一维模型中，只有发射极和集电极两个端点，这两个端点都用金属电极所覆盖，并且加有固定的偏压，所以其边界条件是固定的，称为固定边界条件。但是对二维模型来说，就有发射集、集电极和基极三个端点，同时还有一些没有被金属化电极覆盖的区域。这些区域由于没有固定电压，所以其表面的电势 及载流子浓度受体内情况的影响，这些区域的边界条件称为浮动边界条件。;5.2.1固定边界条件;5.2.1固定边界条件;5.2.2浮动边界条件;JP（垂直分量）＝ Jn（垂直分量）＝0;5.2.2浮动边界条件;2;§5-3 差分方程及边界条件的线性化;);5.3.1二维稳态差分方程的线性化;5.3.1二维稳态差分方程的线性化;5.3.1二维稳态差分方程的线性化;aij,bij等的关系式见本节附录;5.3.2边界条件的线性化;2;5.3.2边界条件的线性化 写成矩阵形式;5.3.2边界条件的线性化;5.3.3解线性方程组;5.3.3解线性方程组;两维有限差分模拟法;两维有限差分模拟法;两维有限差分模拟法;两维有限差分模拟法;两维有限差分模拟法;两维有限差分模拟法;两维有限差分模拟法;两维有限差分模拟法;两维有限差分模拟法;两维有限差分模拟法;两维有限差分模拟法;§5-4 npn晶体管两维稳态解 计算举例;5.4.1 掺杂函数及网格化方案的确定;5.4.1 掺杂函数及网格化方案的确定;非均匀划分 最小网格距—0.5?m 最大网格距—10?m;X （?m ）;5.4.1 掺杂函数及网格化方案的确定;5.4.2 SLOR单元及线方程的确定;5.4.2 SLOR单元及线方程的确定;5.4.2 SLOR单元及线方程的确定;5.4.2 SLOR单元及线方程的确定;5.4.2 SLOR单元及线方程的确定;5.4.2 SLOR单元及线方程的确定;5.4.2 SLOR单元及线方程的确定;5.4.2 SLOR单元及线方程的确定;5.4.2 SLOR单元及线方程的确定;5.4.3 初值的确定; 和 分别代表集电极和基极电极上的电势，即;5.4.3 初值的确定;5.4.4 计算结果分析;载流子浓度分布;载流子浓度分布;;图5-3(c); 2.(VBE,VBC)=(0.8,-5)V时载流子和电势的分布 图5-4(a),(b),(c)分别绘???了该偏置条件下的p,n和 的分布，可以看出一维和二维之间存在明显的差别，在图5-4(a)中y=15μm处的一维电子浓度是 ，而同一位置处M=2时的二维电子浓度是 ，相差5.5倍。一维模型给出较高的注入结果，是因为一维情况时发射极偏压VBE加在发射极电极和基区中点之间，而二维情形则是加在发射极和基极电极之间，所以二维情况下，有效发射结偏压减小，其减小的量等于外基区区域的横向压降。 在二维电子浓度分布中，发射极边缘M=11处的电子浓度稍高于发射极中心M=2处的电子浓度，这是由于存在跨越内基区区域的横向电压降而使边缘的有效发射结偏压高于中心处所至。即存在发射极集边效应。 ;图5-4(a);图5-4(a);图5-4(b);图5-4(c); 3.(VBE,VBC)=(0.98,-5)V时载流子和电势的分布 图5-5(a),(b),(c)分别绘出了该偏置条件下的p,n和 的分布，可以看出一维和二维之间存在很大的差别。;图5-5(a);图5-5(b);图5-5(b);图5-5(c); 4.(VBE,VBC)=(2.3,-5)V时载流子和电势的分布 图5-6(a),(b),(c)分别绘出了该偏置条件下的p,n和 的二维分布，图中没有一维的结果。因为用它来做比较已毫无意义。;图5-6(a);图5-6(b);图5-6(c);计算举例;计算举例;计算举例;计算举例;计算结果（续）;计算结果（续）