rcigbt的理论模型与新结构分析-theoretical model and new structure analysis of rc igbt.docx

摘 要绝缘栅双极型晶体管（Insulated Gate Bipolar Transistor, IGBT）同时具有 MOS（Metal Oide Semicondutor）的栅控制能力和 Bipolar 的电导调制效应。但是 IGBT 是一个单向导通器件，在反向导通时需要一个额外的二极管，以通过负载中的无 功电流，同时抑制电路中寄生电感产生的额外电压。为此近几年人们又提出了逆 导型绝缘栅晶体管（Reverse-Conducting Insulated Gate Bipolar Transistor, RC-IGBT） 并对其进行了深入研究。导型绝缘栅晶体管 RC-IGBT 通过将部分 P-Collector 用 N-Collector 来取代，成功的将续流二极管（Free-Wheeling Diode, FWD）和绝缘栅 晶体管 IGBT 集成到同一块硅片上。使得其不但拥有了双向导通能力而且大大提高 了芯片的集成度。同时由于不需要在绝缘栅晶体管和续流二极管间外加额外的互 连线，又解决芯片间的可靠性问题。但是，这种逆导型绝缘栅晶体管 RC-IGBT 本身存在新的缺点即在正向导通时 电子会首先流过 N-Collector, 在更大的电流密度下 P-Collector 才能向漂移区中注 入空穴，即存在由单电子导电模式向双极性导电模式转换过程，使得电流电压输 出曲线上出现了负阻（Snapback）效应，故需对其物理机理进行深入分析并采用新 的结构来抑制这种效应。同时传统 RC-IGBT 中 N-Collector 的引入会使得其击穿电 压以及电流分布情况发生改变，故有必要对击穿漏电流和电流分布进行物理建模 以更深入的研究其物理机理。另外随着集成器件的频率和性能的不断提高，传统 RC-IGBT 中集成的二极管与 IGBT 的开关过程需进一步优化使它们性能相互匹 配，故要求二极管必须具有较低通态压降还应具有短的反向恢复时间 trr；较小的 反向恢复电流 IRRM，同时具有软的反向恢复特性。为此本文以逆导型绝缘栅晶体管 RC-IGBT 为研究课题。主要针对 RC-IGBT中的 Snapback 现象提出了负阻效应物理模型，以及对击穿耐压和导通电流提出了 相应的漏电流模型和电流分布模型。并重点提出了双阳极型 RC-IGBT、分离型 RC-IGBT 以及结隔离型 RC-IGBT 三种新结构来消除传统 RC-IGBT 中的负阻效应。 主要创新点如下：（1）提出负阻效应物理模型，通过模型不但加深了对其物理机理的了解，而 且指出了消除负阻效应的方法：从 P-Collector/n-buffer 的压降 VPN 电压模型来看， 可以通过提高 n-buffer 层的电阻和增加 P-Collector 的长度来提高 VPN 数值，使得器 件一开始就进入双极性导电模式。从负阻效应大小△VSB 模型来看，可以通过提高 集电极电阻以及降低漂移区电阻来减小△VSB 大小从而消除负阻效应。在模型的指I导下首先提出了双阳极型 RC-IGBT，通过引入双阳极结构来增大集电极电阻从而有效的抑制了 Snapback 现象，并通过仿真验证这种新结构 RC-IGBT 相对传统RC-IGBT 还具有更低的正向导通压降和更优的折中关系。（2）根据负阻效应模型提出分离型 RC-IGBT。通过改变集电极 P-Collector 和 N-Collector 的位置，使得 P-Collector 长度得到整合，P-Collector/n-buffer 的压降 VPN 得到提高，使之在很低的外加电压下这种分离型 RC-IGBT 就进入双极性导通 模式。经仿真验证该分离型 RC-IGBT 能完全消除 Snapback 现象且仅仅通过版图设 计就能实现。同时本章节还对其 IGBT 区域的击穿特性进行了探讨，对其室温和 高温漏电流特性进行了仿真和实验，并对比介绍了 CS-IGBT 相对传统 IGBT 在高 温下可靠性会更高，对如何设计高性能的 CS-RC-IGBT 具有指导意义。（3）提出结隔离型 RC-IGBT，在集电极上引入 P 浮空电流栓和 NPN 晶体管 的结构来阻挡电流直接流向 N 型集电极，使得 IGBT 区和 FWD 通过 PN 结而被隔 离开来。同时，对 RC-IGBT 中的 CIBH（Controlled Injection of Backside Holes）类 型二极管的反向恢复特性进行了探讨，传统 PIN 二极管由于瞬间抽取漂移区中大 量的过剩载流子会产生很高的反向恢复电流 IRRM 和造成反向恢复电流的 Snap-off 现象，这种 RC-IGBT 中的 CIBH 类型二极管由于存在 P-Collector 的空穴注入，缓 解了载流子的抽取过程从而不存在电流的 Sn