微-纳米级微电子机械系统制造新技术.docVIP

微/纳米级微电子机械系统制造新技术 　　1引言 　　 　　近几年来，MEMS技术的迅速发展，各种与系统研制相关的技术引起了业界的广泛关注。MEMS的主要特征是尺度微小及精度要求很高，目前正在研发的器件尺寸已缩减到纳米量级，由此带来了一系列的微尺寸效应。实验表明，当特征尺寸达微米级时，将产生尺度效应、表面效应、电磁场效应和封装效应等。其中尺度效应和表面效应对微型机构的影响最为显著，如结构元器件之间作用力弱化、器件材料强度加大、高集成度导致工序增加等，这些都是有别于宏观机械材料选择、设计理论推导、制造与测试手段和方法更新等制造MEMS的诸多方面。 　　 　　尽管IMEMS中的微电子器件与IC的制作可以最大程度地借鉴目前CMOSIC制造的主流技术，如版图设计、刻蚀工艺和薄膜工艺等，甚至对于集成硅压力传感器、温度传感器之类的微机械器件可以直接采用与标准IC工艺兼容的技术制作。但微机械器件、微结构除了与微电子工艺有关外，一般还与外界物理量相互作用，且在构造上往往为三维体型结构。所以制造MEMS须在采用成熟的IC工艺基础上，扩展一些针对微/纳米级构件、器件或装置的专用微机械制造技术，包括表面微细加工、体型加工、构件间相互组装和键合及封装等新技术。基于此，本文将具体讨论微机械制造新技术及其应用问题。 　　 　　2微机械制造中的主流技术 　　 　　由于硅及其化合物不仅具有良好的物理、电学特性，还具有优异的机械性能，例如硅晶体材料易于生长，纯度高，有较高的强度/密度比和刚度/密度比，硅材料制造工艺与ic工艺有良好的兼容性，便于微型化、集成化及形成微机械结构。用硅或其化合物制造微传感器，可达到迟滞和蠕变极小以及重复性、稳定性和可靠性较高等优良性能，而这些优良性能都是传统传感器难以达到的。故半导体硅及其化合物已经成为制造IMEMS器件及其装置的首选材料，尤其硅基微机械加工技术已成为MEMS制造中的主流技术。 　　 　　2.1表面微细加工技术 　　 　　表面微细加工技术指制造微小尺寸零件、构件、部件、薄膜图形以至整个装置和系统的方法。实现方法较多，或从传统精密加工改进发展（如金刚石车床、微型钻床、微型磨床等加工技术），或从特种加工技术衍生开发（如激光加工、离子束加工等），但更多的是基于半导体制造技术。 　　 　　2.1.1薄膜生成技术 　　 　　在微机电器件的制作中，常采用蒸镀和淀积方法，在硅衬底的表面上制作各种薄膜，并和硅衬底构成一个复合的整体，根据需要制成许多种薄膜图案。这些薄膜有多晶硅膜、氮化硅膜、二氧化硅膜、合金膜及金刚石膜等。它们有的作为敏感膜，有的作为介质膜起绝缘作用，有的作为衬垫层起尺寸控制作用，有的起耐腐蚀、耐磨损作用。 　　 　　物理气相淀积和化学气相淀积是衬底材料上制作薄膜的两种常用的工艺技术。前者利用蒸镀和溅射法，使另一种物质在衬底材料表面上成膜，而后者使气体与衬底材料本身在加热表面上进行化学反应，生成另一种物质在表面上成膜。 　　 　　(1)物理气相淀积技术物理气相淀积技术包括真空蒸镀法和溅射法。真空蒸镀法制作薄膜有几十年的历史，技术上已十分成熟，在微机械电子系统中，可以用蒸发铝和金来制作电极或直接在敏感半导体技术第30卷第8期元件上制作薄膜。这种方法虽有设备简单、成膜速度快的优点，但形成的薄膜强度低，难以制造金属膜和化合物膜。 　　 　　目前应用较多的是溅射成膜的方法，该法又分为直流溅射和射频溅射。直流溅射的主要缺点是只能溅射合金薄膜，而不能溅射介质膜（如MgO，Al2O3，8丨02等），因此在应用上具有局限性。而射频溅射则较好地克服了直流溅射的缺点，可用于制造金属膜、介质膜、压阻膜、压电膜及半导体膜等。射频溅射的原理如图1所示，溅射采用5_30丽z的射频频率、1_2kV的高电压通过匹配器和耦合电容加到阴极与阳极之间，由于离子的质量远大于电子的质量，所以离子的迁移率远小于电子的迁移率[5]。在上半周（阴极为正，阳极为负），电子迅速到达靶面；在下半周，因离子运动速度慢，阴极表面所带的负电荷不会很快被中和，使靶面上负电荷积累成一个自建电场E，从而使正离子加速，并以较大能量轰击靶面，形成靶材原子的溅射淀积而成膜。为了提高溅射薄膜的均匀性和溅射速率，常在此装置上再附加一个磁场，称为磁控溅射装置，即在阴极附近安装一定的磁体，形成磁场。由于洛仑兹力的作用，电子在靶附近做反复的螺旋运动，增加了与气体分子的碰撞机率，使气体分子加速电离，产生正离子，正离子不断轰击靶面产生溅射原子，淀积成薄膜。其显著的优点是溅射速率比普通的两极溅射装置的速率能提高几倍乃至几十倍，而且形成的薄膜针孔少，结合力较强。 　　 　　(2)化学气相淀积（CVD)技术化学气相淀积法就是利用高温条件下的化学反应（分解、还原、氧化及置换）生成薄膜。主要生成反应过程为：