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2.5.1 电力晶体管及其工作原理 关断时间tof 为：存储时间ts和与下降时间tf之和。 ts是用来除去饱和导通时储存在基区的载流子的，是关断时间的主要部分。 减小导通时的饱和深度以减小储存的载流子，或者增大基极抽取负电流Ib2的幅值和负偏压，可缩短储存时间，从而加快关断速度。 负面作用是会使集电极和发射极间的饱和导通压降Uces增加，从而增大通态损耗。 GTR的开关时间在几微秒以内，比晶闸管和GTO都短很多 。 图2.5.4 GTR的开通和 关断过程电流波形 2、GTR的开关特性 （1）关断过程： 第1页/共17页 2.5.1 电力晶体管及其工作原理 集电极电流最大值ICM：一般以β值下降到额定值的1／2～1／3时的IC值定为ICM； 基极电流最大值IBM：规定为内引线允许通过的最大电流，通常取IBM≈(1/2～1/6)ICM； 3、GTR的主要参数 (1) 电压定额 (2) 电流定额 集基极击穿电压BUCBO：发射极开路时，集基极能承受的最高电压； 集射极击穿电压BUCEO：基极开路时，集射极能承受的最高电压； 第2页/共17页 2.5.1 电力晶体管及其工作原理 (3) 最高结温TjM： GTR的最高结温与半导体材料性质、器件制造工艺、封装质量有关。 一般情况下，塑封硅管TjM为125～150℃，金封硅管TjM为150～170℃，高可靠平面管TjM为175～200℃。 (4) 最大耗散功率PCM： 即GTR在最高结温时所对应的耗散功率，它等于集电极工作电压与集电极工作电流的乘积。 这部分能量转化为热能使管温升高，在使用中要特别注意GTR的散热，如果散热条件不好，GTR会因温度过高而迅速损坏。 3、GTR的主要参数（续） 第3页/共17页 2.5.1 电力晶体管及其工作原理 (5) 饱和压降UCES： 为GTR工作在深饱和区时，集射极间的电压值。 由图可知， UCES随IC增加而增加。在IC不变时，UCES随管壳温度TC的增加而增加。 表示GTR的电流放大能力。 高压大功率GTR (单管 )一般β＜10； 图2.5.5 饱和压降特性曲线 3、GTR的主要参数（续） (6) 共射直流电流 增益β： β=IC／IB 第4页/共17页 2.5.1 电力晶体管及其工作原理 一次击穿 集电极电压升高至击穿电压时，Ic迅速增大，出现雪崩击 穿。 只要Ic不超过限度，GTR一般不会损坏，工作特性也不变。 二次击穿 一次击穿发生时Ic增大到某个临界点时会突然急剧上升，并伴随电压的陡然下降。常常立即导致器件的永久损坏，或者工作特性明显衰变 。 4、二次击穿和安全工作区 （1） 二次击穿 图2.5.6 一次击穿、 二次击穿原理 图2.5.7 二次击穿临界线 第5页/共17页 2.5.1 电力晶体管及其工作原理 按基极偏置分类可分为正偏安全工作 区FBSOA和反偏安全工作区RBSOA。 4、二次击穿和安全工作区 （2）安全工作区 安全工作区SOA(Safe Operation Area) 是指在输出特性曲线图上GTR能够安全运行 的电流、电压的极限范围。 第6页/共17页 2.5.1 电力晶体管及其工作原理 （2）、安全工作区 正偏安全工作区又叫开通安全工作区，它是基极正向偏置条件下由GTR的最大允许集电极电流ICM、最大允许集电极电压BUCEO、最大允许集电极功耗PCM以及二次击穿功率PSB四条限制线所围成的区域。 反偏安全工作区又称GTR的关断安全工作区。它表示在反向偏置状态下GTR关断过程中电压UCE、电流 IC 限制界线所围成的区域 。 图2.5.9 GTR的反偏安全工作区 图2.5.8 GTR正偏安全工作区 ①正偏安全工作区FBSOA ② 反偏安全工作区RBSOA 第7页/共17页 第二章、电力电子器件 2.1、电力电子器件的基本模型 2.2、电力二极管 2.3、晶闸管 2.4、可关断晶闸管 2.5、电力晶体管 2.6、电力场效应晶体管 2.7、 绝缘栅双极型晶体管 2.8、其它新型电力电子器件 2.9、电力电子器件的驱动与保护 第8页/共17页 2.6 电力场效应晶体管 1）分为结型场效应管简称JFET）和绝缘栅金属-氧化物- 半导体场效应管（简称MOSFET）。 2）通常指绝缘栅型中的MOS型，简称电力MOSFET。 3） 4）特点：输入阻抗高(可达40MΩ以上)、开关速度快，工作频率高(开关频率可达1000kHz)、驱动电路简单，需要的驱动功率小、热稳定性好、无二次击穿问题、安全工作区(SOA)宽；电流