聚酰亚胺siolt;,2gt;-tiolt;,2gt;杂化薄膜的制备与表征.pdfVIP

堕玺堡矍三查兰罂兰堡圭茎竺丝圣 聚酰亚胺／Si02．Ti02杂化薄膜的制备与表征 摘要 目前，人们已将聚酰亚胺与Si02、Ti02和蒙脱土等单组分无机物制成 杂化材料，并且表现出优异的物理化学性能，但是将两种组分同时掺入PI 基体中，由于工艺、制备等因素的复杂性，该方面的报道较少。 本文以正硅酸乙酯和钛酸四丁酯为前驱体，采用原位溶胶．凝胶法和两 相原位同步法制备了一系列不同含量的聚酰亚胺／Si02．Ti02杂化薄膜，利用 红外光谱、扫描电镜和XRD观察了薄膜的化学结构和微观结构，并测试了 薄膜的热稳定性、电击穿场强和耐电晕性。 红外光谱分析表明两种方法制备的杂化薄膜亚胺化都很完全且杂化薄膜 中存在Si．O．Ti键；扫描电镜分析表明采用两相原位同步法，以盐酸为催化 剂制备的杂化薄膜中，无机粒予均匀地分散在PI基体中，粒子尺寸小于 100nm，而以醋酸为催化剂制备的杂化薄膜中，无机粒子出现团聚现象。由 x一射线衍射实验可知，纯PI薄膜具有一定有序度，在原位溶胶．凝胶法制备 和两相原位同步法中以盐酸为催化剂制备的杂化薄膜中，这种有序程度没有 被破坏，而以醋酸为催化剂制备的杂化薄膜则完全呈现无序结构。 性能测试结果表明采用两相原位同步法，以盐酸为催化剂制备的杂化薄 膜的热稳定性、电击穿场强和耐电晕性较其它薄膜都有明显优势。热稳定性 测试结果表明杂化薄膜热稳定性随无机含量的增加而增加，最高值为595．7。C。 电性能测试中，含量为4％，二氧化硅与二氧化钛质量比为2：1的Fl薄膜综 kV／mm，耐电晕时间达到了135．5h，是 合性能最好，其电击穿场强为233．7 纯膜耐电晕时间的61倍。 关键词 聚酰亚胺；二氧化硅；二氧化钛；原位溶胶一凝胶法；两相原位同 步法 ：至蒌至三銮耄矍兰堡圭兰星丝三 PREPARATIoNAND oF HYBRIDFILM POLYIMIDE／Si02一Ti02 Abstract At matrixhas witll as been fillerssuch present，polyimide hybridized Ti02． andmontmorillonite．Moreover Si02 someofthefavorableresultshave been obtained．But studiesabout previous were polyimide／inorganichybrids on concentratedthe whichexists of binarysystems，in asort inorganic tothe for and components．Duekey challengecomplicatedtechniques werefew about preparation，therereportsternarysystems． A of