gan基hemt热效应与耐压新结构分析-thermal effect and pressure resistance analysis of gan - based hemt.docx
- 1、本文档共61页,可阅读全部内容。
- 2、原创力文档(book118)网站文档一经付费(服务费),不意味着购买了该文档的版权,仅供个人/单位学习、研究之用,不得用于商业用途,未经授权,严禁复制、发行、汇编、翻译或者网络传播等,侵权必究。
- 3、本站所有内容均由合作方或网友上传,本站不对文档的完整性、权威性及其观点立场正确性做任何保证或承诺!文档内容仅供研究参考,付费前请自行鉴别。如您付费,意味着您自己接受本站规则且自行承担风险,本站不退款、不进行额外附加服务;查看《如何避免下载的几个坑》。如果您已付费下载过本站文档,您可以点击 这里二次下载。
- 4、如文档侵犯商业秘密、侵犯著作权、侵犯人身权等,请点击“版权申诉”(推荐),也可以打举报电话:400-050-0827(电话支持时间:9:00-18:30)。
查看更多
gan基hemt热效应与耐压新结构分析-thermal effect and pressure resistance analysis of gan - based hemt
独创性声明本人声明所呈交的学位论文是本人在导师指导下进行的研究工作 及取得的研究成果。据我所知,除了文中特别加以标注和致谢的地方 外,论文中不包含其他人已经发表或撰写过的研究成果,也不包含为 获得电子科技大学或其它教育机构的学位或证书而使用过的材料。与 我一同工作的同志对本研究所做的任何贡献均已在论文中作了明确的 说明并表示谢意。作者签名:日期:年月日论文使用授权本学位论文作者完全了解电子科技大学有关保留、使用学位论文 的规定,有权保留并向国家有关部门或机构送交论文的复印件和磁盘, 允许论文被查阅和借阅。本人授权电子科技大学可以将学位论文的全 部或部分内容编入有关数据库进行检索,可以采用影印、缩印或扫描 等复制手段保存、汇编学位论文。(保密的学位论文在解密后应遵守此规定)作者签名:导师签名:日期:年月日摘要由于 GaN 优异的材料特性使 GaN 基 HEMT 走向实用化阶段。然而要将此技 术推向更高耐压的的应用领域,以及更为恶劣的高温工作环境,器件的热可靠性 及如何缓和击穿电压与导通电阻的矛盾关系成为亟待解决的关键问题。针对以上问题,首先本文介绍了极化效应、二维电子气等产生机理以及 GaN HEMT 器件的工作原理。并分别对单栅及均匀多栅指 AlGaN/GaN HEMT 的各项结 构参数与器件沟道温度的关系进行了仿真分析。研究表明,栅长对饱和电流和沟 道温度都有很大的影响,而栅漏间距只影响沟道温度。对于均匀多栅指 AlGaN/GaN HEMT 器件而言,沟道温度随功耗线性增加,栅指数越多,温度上升越快。器件 沟道温度随着栅指间距变小而加速上升,尤其是大栅宽器件,175μm 栅宽的器件, 栅指间距为 10μm 时的沟道温度比栅指间距为 40μm 的升高了 17%。其次,分别对AlGaN/GaN HEMT和InAlN/GaN HEMT进行变温测试,并研究 了两种不同器件的性能退化机理。结果显示,对于AlGaN/GaN HEMT,温度大于 100℃时,饱和电流随温度的升高线性下降,器件膝电压随着温度增加而右移。200℃时的饱和电流和跨导相比于室温时分别降低了21%和23%。栅极肖特基反向 泄漏电流随着温度的升高而增大。对于InAlN/GaN HEMT, 200℃时的饱和电流相 比于室温下降低了76%,跨导相比于室温下降低了71%。而肖特基反向泄漏电流则 由于高温致使肖特基电流输运机制的改变出现了两种情况,当温度小于100℃时, 栅极肖特基反向泄漏电流随温度升高而增加;当温度大于100℃时,栅极肖特基反 向泄漏电流具有负温度系数。最后,针对 GaN 基 HFET 热可靠性及击穿电压与导通电阻的矛盾关系,首次 提出了一种超结垂直氮化镓基异质结场效应晶体管(super junction vertical GaN based heterostructure field effect transistor ,GaN SJ-VHFET)。使用 Sentaurus 对 GaN SJ-VHFET 器件孔径宽度,p/n-GaN 缓冲层浓度电学参数进行仿真优化。经优化当 孔径宽度为 6μm,p/n-GaN 缓冲层浓度分别为 4×1015cm-3、2×1015cm-3 时,得到击 穿电压达 1539V,比导通电阻为 3.38mΩ?cm2 的 SJ-VHFET。在相同参数条件下, SJ-VHFET 的比导通电阻比传统已有垂直高电子迁移率晶体管降低了 34%,然而击 穿电压却提高了 5.2%。此外本结构还具有沟道温度低、缓冲层泄漏电流小、芯片 面积占用小、便于封装等多方面优点。关键词:GaN 基 HEMT,热效应,击穿,SJ-VHEFT,高温,退化ABSTRACTDue to the material of GaN excellent characteristics, application of GaN based HEMT device enter the practical phase. However, to the application field of the technology to a higher voltage and a high temperature environment, it is necessary to solve the thermal reliability of devices and the contradiction between the breakdown voltage and resistance .In order to solve the above problem, firstly this paper introduces the polarization effect, principle
您可能关注的文档
- cdma2000基站系统自动化测试工具的初步研究与开发-通信与信息系统专业毕业论文-preliminary research and development of cdma 2000 base station system automation testing tool - graduation thesis of communication and information system specialty.docx
- ɑ突触共核蛋白和dj1蛋白在帕金森病冻结步态发病机制及生物学标记物中的应用与分析-application and analysis of synaptic synuclein and dj1 protein in the pathogenesis and biological markers of frozen gait in parkinson's disease.docx
- fs半导体公司人力资源战略环境与对策分析-analysis on human resource strategic environment and countermeasures of fs semiconductor company.docx
- ⅴ类光气候区地下车库天窗采光技术分析——以重庆主城区为例-analysis on skylight lighting technology of underground garage in class v light climate zone - a case study of chongqing's main urban area.docx
- cmos射频器件建模及低噪声放大器的设计研究-无线电物理专业毕业论文-research on modeling of cmos rf devices and design of low noise amplifiers - graduation thesis of radio physics.docx
- ftf与cmc沟通形态与冲突强度 沟通满意度的关系分析-analysis of the relationship between ftf and cmc communication patterns and conflict intensity communication satisfaction.docx
- cr图像处理技术分析及其影像增强算法研究-控制理论与控制工程专业毕业论文-analysis of cr image processing technology and research on its image enhancement algorithm - graduation thesis of control theory and control engineering specialty.docx
- fth1在b ovis 019株侵染小鼠巨噬细胞中的功能研究-study on the function of ft h1 in murine macrophages infected by b ovis 019 strain.docx
- fth1在b.ovis 019株侵染小鼠巨噬细胞中的功能研究-study on the function of ft h1 in macrophages infected by b ovis 019 strain.docx
- ⅰ型胶原 ⅱ型胶原 sox9 tgfβ1 bmp2 timp1 hif2与椎间盘退变的相关性研究-relationship between type ⅰ collagen type ⅱ collagen sox 9 tgf β 1 bmp 2 tim p1 hi f2 and intervertebral disc degeneration.docx
最近下载
- 年度赛课外拓展阅读《走近创世神话感受中外异同》教学设计1.docx
- 新版ISO13485-2016医疗器械质量管理体系全套GMP手册程序记录文件.docx
- 心理咨询师(中科院心理研究所)10套题汇总题库-下(多选题汇总).docx
- 北京市轨道交通房山线岩土工程勘察报告.doc
- 微积分(二)(浙江大学)中国大学MOOC 慕课 2021章节测验期末考试答案.docx
- 2023年电子科技大学成都学院计算机科学与技术专业《计算机网络》科目期末试卷A(有答案).docx VIP
- 第一部分LDTH系列电磁流量计.PDF
- 李前程编《建筑力学》(第2版)第六章.ppt VIP
- 心理咨询师(中科院心理研究所)10套题汇总题库-上(单选题汇总).docx
- Defensics健壮性测试工具测试方案.docx
文档评论(0)