gan基hemt热效应与耐压新结构分析-thermal effect and pressure resistance analysis of gan - based hemt.docx

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gan基hemt热效应与耐压新结构分析-thermal effect and pressure resistance analysis of gan - based hemt

独创性声明本人声明所呈交的学位论文是本人在导师指导下进行的研究工作 及取得的研究成果。据我所知,除了文中特别加以标注和致谢的地方 外,论文中不包含其他人已经发表或撰写过的研究成果,也不包含为 获得电子科技大学或其它教育机构的学位或证书而使用过的材料。与 我一同工作的同志对本研究所做的任何贡献均已在论文中作了明确的 说明并表示谢意。作者签名:日期:年月日论文使用授权本学位论文作者完全了解电子科技大学有关保留、使用学位论文 的规定,有权保留并向国家有关部门或机构送交论文的复印件和磁盘, 允许论文被查阅和借阅。本人授权电子科技大学可以将学位论文的全 部或部分内容编入有关数据库进行检索,可以采用影印、缩印或扫描 等复制手段保存、汇编学位论文。(保密的学位论文在解密后应遵守此规定)作者签名:导师签名:日期:年月日摘要由于 GaN 优异的材料特性使 GaN 基 HEMT 走向实用化阶段。然而要将此技 术推向更高耐压的的应用领域,以及更为恶劣的高温工作环境,器件的热可靠性 及如何缓和击穿电压与导通电阻的矛盾关系成为亟待解决的关键问题。针对以上问题,首先本文介绍了极化效应、二维电子气等产生机理以及 GaN HEMT 器件的工作原理。并分别对单栅及均匀多栅指 AlGaN/GaN HEMT 的各项结 构参数与器件沟道温度的关系进行了仿真分析。研究表明,栅长对饱和电流和沟 道温度都有很大的影响,而栅漏间距只影响沟道温度。对于均匀多栅指 AlGaN/GaN HEMT 器件而言,沟道温度随功耗线性增加,栅指数越多,温度上升越快。器件 沟道温度随着栅指间距变小而加速上升,尤其是大栅宽器件,175μm 栅宽的器件, 栅指间距为 10μm 时的沟道温度比栅指间距为 40μm 的升高了 17%。其次,分别对AlGaN/GaN HEMT和InAlN/GaN HEMT进行变温测试,并研究 了两种不同器件的性能退化机理。结果显示,对于AlGaN/GaN HEMT,温度大于 100℃时,饱和电流随温度的升高线性下降,器件膝电压随着温度增加而右移。200℃时的饱和电流和跨导相比于室温时分别降低了21%和23%。栅极肖特基反向 泄漏电流随着温度的升高而增大。对于InAlN/GaN HEMT, 200℃时的饱和电流相 比于室温下降低了76%,跨导相比于室温下降低了71%。而肖特基反向泄漏电流则 由于高温致使肖特基电流输运机制的改变出现了两种情况,当温度小于100℃时, 栅极肖特基反向泄漏电流随温度升高而增加;当温度大于100℃时,栅极肖特基反 向泄漏电流具有负温度系数。最后,针对 GaN 基 HFET 热可靠性及击穿电压与导通电阻的矛盾关系,首次 提出了一种超结垂直氮化镓基异质结场效应晶体管(super junction vertical GaN based heterostructure field effect transistor ,GaN SJ-VHFET)。使用 Sentaurus 对 GaN SJ-VHFET 器件孔径宽度,p/n-GaN 缓冲层浓度电学参数进行仿真优化。经优化当 孔径宽度为 6μm,p/n-GaN 缓冲层浓度分别为 4×1015cm-3、2×1015cm-3 时,得到击 穿电压达 1539V,比导通电阻为 3.38mΩ?cm2 的 SJ-VHFET。在相同参数条件下, SJ-VHFET 的比导通电阻比传统已有垂直高电子迁移率晶体管降低了 34%,然而击 穿电压却提高了 5.2%。此外本结构还具有沟道温度低、缓冲层泄漏电流小、芯片 面积占用小、便于封装等多方面优点。关键词:GaN 基 HEMT,热效应,击穿,SJ-VHEFT,高温,退化ABSTRACTDue to the material of GaN excellent characteristics, application of GaN based HEMT device enter the practical phase. However, to the application field of the technology to a higher voltage and a high temperature environment, it is necessary to solve the thermal reliability of devices and the contradiction between the breakdown voltage and resistance .In order to solve the above problem, firstly this paper introduces the polarization effect, principle

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