定向发展的一维ZnO微纳米棒阵列的液相合成与表征.pdfVIP

摘要 一维ZnO纳米材料因其优异的光学性能和电子输运能力，在制作纳米电子器件及 纳米光电子器件等领域表现出巨大的应用潜力。尤其在基底上生长的1．DZnO纳米线／ 棒阵列可制作短波激光器和G-raetzel太阳能电池电极，引起了重多研究者的关注。目前 制备高度有序，定向生长的ZnO纳米阵列多采用气相法和液相法。气相法合成的产品 虽然纯度高、结晶好、粒度可控，但反应条件苛刻、操作复杂，实施起来需要昂贵的仪 器和较高的温度，不利于ZnO纳米阵列的大规模生产，从而制约了其在许多纳米器件 中的应用。与气相法相比，液相法的主要优点是工艺流程简单、反应温度较低、无污染， 而且能对纳米棒／线的垂直阵列生长起到一定的调控作用，是大规模制备ZnO纳米线／棒 阵列的有效方法。 本论文采用一种简单的低温液相法，以导电玻璃片为基底，先以Zn(N03)2和 性溶液中成功制备出沿c轴高度取向生长、形貌完好的1一DZnO微／纳米棒阵列。该法 操作简单、反应条件温和，在较低的温度(85℃)和较短的时间内(1h)即可完成，为 实现产品的工业化生产提供了实验依据。 本论文的主要内容包括： ZnO微／纳米棒阵列的制备 (1)1．D 一维ZnO微／纳米棒阵列。研究了各种反应条件对产物的影响，得出了1．DZnO阵列生 长的最优条件。结果发现：锌盐的种类、锌离子浓度、锌碱摩尔比、陈化温度和陈化时 间等均能不同程度的影响1．D 化时间是制备形貌较好的l—DZnO阵列的关键因素。 (2)晶种制备方法和条件对1．DZnO微／纳米棒阵列的影响 在卜DZnO微／纳米棒阵列生长的最优条件基础上，改变晶种的制备方法和条件研 究1一D 法两种方法制备ZnO纳米品种，分别考察了其它条件，如锌离子浓度、锌碱摩尔比 ZnO阵列的影响，并分别得 (Zn2+／(CH2)6N4)、反应温度、反应时间和退火温度等对1．D 出了西种方法的最优条件。研究证明：基底上ZnO纳米品种的密度和粒径是二个重要 因素，它直接影响着后期1．DZnO微／纳米棒阵列生长的取向性、均匀性和纳米棒粒径 的大小。 ZnO微／纳米棒阵列的影响 (3)表面活性剂对1．D 采用陈化法制备ZnO纳米晶种，在1．DZnO微／纳米棒阵列生长的最优条件的基础 上，添加不同的离子型表面活性剂制备1．DZnO微／纳米棒阵列，研究生长液中的添加 剂对1．DZnO微／纳米棒阵列的影响。实验结果表明，当溶液中添加阳离子表面活性剂 CTAB且浓度较低时，产品沿C轴的的取向性和均匀性均有所提高，阵列中纳米棒的粒 径减小。当添加阴离子表面活性剂SDS和SDBS时，均能使产品的粒径明显减小：但 由于二者的结构不同，随浓度增加，SDS能使阵列的取向性增强，而SDBS则导致ZnO 纳米棒沿基底的垂直定向性明显降低。 关键词：ZnO，纳米棒阵列，制备，晶种，表面活性剂 Abstract Dueto itsexcellent andelectron opticalproperties transportationability, nanomaterialshaveshown inthefield one-dimensional(1-D)ZnOgreatpotential ofelectronic sane-devicesand ZnO optoelectronic nanowire／rod narlo-devices．Especially,1-D arrays onsubstratescanbeusedinshort grown wavelasersand