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本征 链接
本征半导体：没有杂质和缺陷的理想半导体。 本征激发：电子从价带直接跃迁到导带的过程。 本征载流子: 本征费米能级: Ei EF偏离禁带中线 (原因： NC、NV?mn*、mp*）,但一般位于禁带中线1.5k0T范围内。 书中公式的mp*、mn*是否为空穴、电子有效质量？ 1、已知室温下的本征载流子浓度，求400K时间的本征载流子浓度ni大小。[1、查表 2、计算，假设Eg不变] 2、已知室温下ni,Ei大小，同温度下掺杂半导体的EF大小，求此时的载流子浓度。 3、已知室温下ni,Ei大小，及T＝400K时EF大小，求T＝400K时的载流子浓度大小。 * §3.3 本征半导体中的EF和载流子浓度 费米能级的求解（列方程）：电中性方程 n0=p0=ni 电中性条件： n0=p0 本征费米能级 (3.29) (3.30) （3.31） 本征载流子浓度 注意：Eg大小与T也有关系，但变化较小，对硅、锗、砷化镓，温度0-300K，Eg变化约为 0.1eV。 （3.34） 1.5×1010 2.4×1013 1.1×107 1.1×1019 5.7×1018 8.1×1018 2.8×1019 1.1×1019 4.5×1017 0.59m0 0.37m0 0.47m0 1.08m0 0.56m0 0.068m0 1.12 0.67 1.428 Si Ge GaAs ni(cm-3) Nv(cm-3) Nc(cm-3) Mpn Mdn Eg(eV) 表3-2: 室温下，常见半导体的本征载流子浓度 问题1：半导体器件存在极限工作温度的原因 若以本征激发为载流子主要来源： a 杂质浓度需很低：即半导体材料纯度必须很高。 b.本征载流子浓度随温度变化较快，工作不稳定。 若以杂质电离为主?极限工作温度 显然，半导体极限工作温度与半导体本身性质(Eg)、掺杂浓度有关 。 具体极限工作温度可参见图3－7。 问题2： *
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