晶体管开关及逻辑门电路.ppt

* * 晶体管开关与逻辑门电路 补充资料 数字集成电路绝大多数都是由双极型二极管、三极管或单极型场效应管组成。这些晶体管大部分工作在导通和截止状态，相当于开关的“接通”和“断开” 。 晶体管门电路(分立元件) 集成电路 (TTL和MOS) 可编程逻辑器件(CPLD、FPGA) 数字电路 一、二极管的特性 (一) P型半导体 、N型半导体 （二）PN结的形成及特性 （三）PN结的单向导电性 外加正向电压 外加反向电压 （三）PN结的单向导电性 二极管的结构和符号 部分二极管实物 （四）、晶体二极管静态开关特性 1. 二极管正向导通时的特点及导通条件 A.VON ：门槛电压或称阈值电压、开启电压 B.VD ：导通压降 C：导通条件：VVD (0.7V)被视为硅二极管导通的条件 二极管伏－安特性曲线 D：导通状态：二极管正向导通时，相当于一个具有0.7V压降的闭合开关。 二极管正向导通时的等效电路 2. 二极管截止时的特点及截止条件 A. 截止条件：vD VON ，实际：vD≤0，保证二极管可靠截止 C. VZ ：二极管的反向击穿电压 二极管截止 时的等效电路 B.截止状态：虽然有很小的Is反相漏电流，一般二极管可以相当于一个断开的开关 （二）、晶体二极管动态开关特性 动态过程（过渡过程）：二极管导通和截止之间转换过程。 t re反向恢复时间：二极管从导通到截止所需时间。 二极管两端输入电压的频率过高，以至输入负电压的持续时间小于它的反向恢复时间时，二极管将失去其单向导电性。 （一）三极管基本结构及符号 B E C N N P 基极 发射极 集电极 NPN型 P N P 集电极 基极 发射极 B C E PNP型 二、 双极型晶体三极管(BJT)的开关特性 B E C N N P 基极 发射极 集电极 基区：较薄，掺杂浓度低 集电区：面积较大 发射区：掺 杂浓度较高 B E C N N P 基极 发射极 集电极 发射结 集电结 三极管具有饱和、放大和截止三种工作状态，在数字电路中，静态主要工作于饱和和截止状态 。 NPN型硅三极管开关电路及其特性 （二）、三极管的截止状态和可靠截止的条件 当vI很小，如vI0.5V时 B. C.三极管工作在Q1点或Q1点以下位置，三极管的这种工作状态叫截止状态 NPN硅三极管截止的条件为vBE≤0.5V，可靠截止的条件为vBE≤0V。 A.vBE小于开启电压，B－E 间，C－E间都截止 （三）、三极管的饱和状态和可靠饱和的条件 当输入电压vI增加 ： A. iB增加，工作点上移，当工作点上移至Q3点时，三极管进入临界饱和状态。 B. iB再增加，输出iC将不再明显变化 iB=IBS 临界饱和电流， VCE=VCES≈0.3V C.工作点向上移至Q3点以上，饱和深度增加，进入可靠饱和状态VCE=VCES≈0.3V 当输入电压vI增加 ： 可靠饱和条件：iB=IBS 或者 iC= ICS （ICS= ?IBS） （四）、三极管开关的过渡开关特性 ton = td +tr ton开通时间, 建立基区电荷时间 toff = ts +tf toff关断时间，存储电荷消散时间 td：延迟时间，上升到0.1Icmax tr：上升时间， 0.1Icmax到0.9Icmax ts：存储时间，下降到0.9Icmax tf：下降时间，下降到0.1Icmax 开关时间为纳秒级，它限制了三极管开关的工作速度 三 基本逻辑门电路 （一）、二极管与门及或门电路 1. 二极管“与”门电路 D1 On，D2 On D1 On，D2 Off D1 Off，D2 On D1 On，D2 On 0 (0.7V) 0 (0.7V) 0 (0.7V) 1 (3.7V) 2. 二极管“或”门电路 D1 On D2 On D1 Off D2 On D1 On D2 Off D1 On D2 On 0 ( -0.7V) 1 (2.3V) 1 (2.3V) 1 (2.3V) 3. BJT反相器－非门 电路 R1 D R2 A F +12V +3V 三极管非门 嵌位二极管 T 饱和D 截止 T 截止D 导通 R1 D R2 F +12V +3V 三极管非门 D1 D2 A B +12V 二极管与门 与非门 DTL门电路 四 TTL门电路 晶体管门电路(分立元件) 集成电路 (TTL和MOS) 可编程逻辑器件(CPLD、FPGA) 数字电路 集成电路优点:体积小、耗电少、重量轻、可靠性高等。 RTL（Resister-Transistor Logic）电阻