单片机原理和应用科学版——第二章 存储器02.pptVIP

2.3.1 固定只读存储器ROM * * * * 主 编 陈建铎 副主编 宋彩利 康 磊 冷冬梅 制 作 安强萍 科 学 出 版 社 第一章 计算机基础 第二章 存储器 第三章 MCS-51单片机的组成原理 第四章 指令系统 第五章 汇编语言程序设计 第六章 单片机的开发与使用 第七章 模拟通道技术 第八章 单片机应用系统的设计 第九章 8098单片机的组成与指令系统特点 第十章 16位DSP单片机的组成与特点 2.3 只读存储器 2.3.1 固定只读存储器ROM 2.3.2 可编程只读存储器PROM 2.3.3 可改写只读存储器EROMP 2.3.4 电察除与FLASH快闪只读存储器 2.3.5 只读存储器举例 固定只读存储器采用掩模工艺制成，因此也称为掩模式只读存储器，由厂方生产时写入。只读存储器实质上是一种单向通导的开关矩阵，可由二极管构成，也可由MOS管或双极型晶体管构成。 　 1. 由二极管构成的只读存储器 　 由二极管构成的只读存储器如图2.11所示，共有4个存储单元，每个单元4位，采用字译码方式。若有二极管的位存1，则没有二极管的位存0，如图2.11(b)所示。设给定地址A1A0=10，表示选中字2，即X2输出高电平。这样，第3，1，0列的二极管通导，D3，D1，D0输出高电平，D2仍输出低电平，即读出D3 ~ D0=1011。 图2.11 由二极管构成的只读存储器 x0 X1 X2 X3 字 地 址 译 码 器 D3 D2 D1 D0 (a) 二极管阵列 A0 A1 1 1 1 1 3 1 0 0 1 2 0 1 1 0 1 1 0 1 1 0 3 2 1 0 位 字 (b)存储数据 2. 复合译码方式的MOS型只读存储器 除了字译码方式外，还有复合译码方式的只读存存储器。图2.12所示是由MOS管构成的复合译码方式的1024×1位只读存储器。有10条地址线，分成两部分，其中A4~A0送行地址译码器X，经译码后选择32行中的某一行；A9~A5送列地址译码器Y，经译码后选译32列中的某一列。T31~T0为列控制门。当某一行和某一列选中，则交叉处为选中单元，所存数据经反相器输出。 …… Y 地 址 译 码 器 31 30 0 1 1 1 T31 T30 T0 …… A9 A8 A7 A6 A5 图2.12 复合译码MOS管只读存储器 . . . . 0 1 31 A0 A1 A2 A3 A4 X 地 址 译 码 器 VCC 2.3.2 可编程只读存储器PROM 可编程只读存储器是厂方生产出来时，所存信息为0或全1，用户买回后可进行一次性写入。其构成方式有多种，小容量的可由多发射极晶体管构成，采用字译码方式，如图2.13所示。对于大容量，多采用复合译码方式。其单元电路可由二极管构成，也可由MOS型三极管构成，如图2.12所示。若用二极管或多发射极晶体管构成，是在发射极与位线之间通过熔丝连接。若用MOS型三极管构成，是在漏极与地线之间通过熔丝连接。 …… VCC . . . . ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? 读写 控制 电路 D7 读写 控制 电路 D0 字 地 址 译 码 器 X0 X31 A0 A1 A2 A3 A4 图2.13 多发射极晶体管PROM 写入时，根据写入的数据，有选择地通一大电流，将某些单元电路中的熔丝烧断。比如写入0的单元熔丝烧断，那么写入1的单元熔丝保留。读出时，熔丝烧断的单元无电流输出，熔丝保留的单元有电流输出1。即一次性写入的只读存储器。 2.3.3 可改写只读存储器EPROM 可改写只读存储器是指其中的内容可用特殊手段擦去，然后重新写入。基本单元电路如图2.14所示，称为浮空栅雪崩注入式MOS电路，简称为FAMOS。 VC VD T1 T2 T4 T3 VP编程脉冲 写入脉冲 浮空栅极 存储单元 地址选择 (b) 连接电路 图2.14 可改写EPROM (a) 内部结构 ----- SiO2 浮空栅极 ++++ P + P + N 可改写只读存储器是在N型基片上生成两个高浓度的P型区，通过欧姆接触分别引出源极S和漏极D。在源极和漏极之间有一个多晶硅栅极浮空在SiO2绝缘层中，与四周无直接的电气联接。多晶硅栅下是约1000埃的SiO2，上面有一层约1μm厚的SiO2复盖层。这种电路以浮空栅极是否带电来表示存1或者0。浮空栅极带电后(比如负电荷)，就在其下面，源极和漏极之间感应出正的导电沟道，使MOS管通导，表示存入1或0。若浮空栅极不带电，则不能形