四川交通职业技术学院传感器和检测技术公开课：磁敏式传感器02.pptVIP

磁敏电阻器是基于磁阻效应的磁敏元件。磁敏电阻是磁阻位移传感器、无触点开关等的核心部件。 6.3.1 磁阻效应 ◆当一载流导体置于磁场中，其电阻会随磁场而变化，这种现象被称为磁阻效应。当温度恒定时，在磁场内，磁阻和磁感应强度B的平方成正比。理论推导出来的磁阻效应方程为： 式中， 是磁感应强度为B的电阻率； 是零磁场下的电阻率；μ是电子迁移率；B是磁感应强度。 ;◆当电阻率的变化为 时，则电阻率的相对变化为： ◆可以看出 ，在磁感应强度Ｂ一定时，迁移率越高的材料（如InSb、InAs、NiSb等半导体材料）磁阻效应越明显。从微观上讲，材料的电阻率增加是因为电流的流动路径因磁场的作用而加长所致。;6.3.2 磁敏电阻的结构 ◆ 磁阻效应除了与材料有关外，还与磁敏电阻的形状有关。考虑形状影响因素时，电阻率的相对变化为： 式中，l、b分别为电阻的长和宽； 是形状效应系数。 图6-14画出了三种不同形状的半导体内电流线的分布，第一行为不加磁场的情况，第二行为加磁场的情况。 ;6.3 磁敏电阻器;6.3.3 磁阻元件的主要特性 1）灵敏度特性 ◆磁敏电阻的灵敏度一般是非线性的，且受温度的影响较大。磁阻元件的灵敏度特性用在一定磁场强度下的电阻变化率来表示，即磁场—电阻变化率特性曲线的斜率。在运算时常用RB/R0求得， R0表示无磁场情况下磁阻元件的电阻值，RB为施加0.3T磁感应强度时磁阻元件的电阻值。;6.3 磁敏电阻器;2）电阻 — 温度特性 ◆图6-16是一般半导体磁阻元件的电阻——温度特性曲线，由图可知，半导体磁阻元件的温度特性不好。元件的电阻值在不大的温度变化范围内减小的很快。因此，在应用时，一般都要设计温度补偿电路。;6.3 磁敏电阻器;6.4.1 非接触式交流电流检测器 该非接触式交流电流检测器使用的是MS-F06型磁敏电阻器，只要将MS-F06型半导体磁敏电阻器靠在电流线上就会得到输出电压。MS-F06型磁敏电阻器在35℃时电阻值减小到室温时的1/2。因此，很少只使用一个磁敏电阻器，而是使用两个磁敏电阻器，以使其温度特性能够得到补偿。;图6-17 MS-F06型磁敏电阻器的电阻值-磁场特性; 在磁场强度为0时的电阻值（初始电阻值）为800Ω，MS-F06具有0.075T的偏置磁场。在图6-17中可以看到，R0.7G=1kΩ，R1.7G=1.5kΩ。即每增加0.0001T的磁场可以使磁敏电阻的电阻值增加到原来的1.5倍。;◆图6-18是MS-F06的温度特性。图6-19是MS-F06和铜导线之间的距离与输出电压的关系。当它紧贴直径0.1mm的铜导线时，对应于50Hz的100mA电流，输出的电压为0.27mVRMS。;图6-20 非接触式电流监测器;◆图6-20是利用MS-F06制作的非接触式电流检测器的电路图。20A时磁敏电阻的输出电压US为： US=（0.27mV/0.1A）×20A=54mV ◆由于是在电力导线外测量，所以其输出值大约为上述理论值的1/5，即10mV。要想在图6-20所示电路输出2V的电压，放大器U2A的增益应当为200。在电路设计中采取了100~1000倍的可调方式。;6.4.2 基于霍尔传感器的通用型高斯计 ◆在测量磁通密度的仪器中有一种叫做高斯计。对测量范围要求如果不过分苛刻的话，在0.2T/2T两个量程之间相互切换的特拉斯计较易制作，实际电路图如图6-21所示。传感器使用THS103A型GaAs霍尔效应传感器，采用恒电流工作模式，满刻度的温度系数最大值可以控制在-0.06%/℃，典型值可以控制在-0.03%/℃~-0.04%/℃。TL499A为可变输出系列的开关调节器，其输出为正10V电压，LCL7660为C-MOS电压转换器，其输出端输出-9V电压。;6. 4 磁敏式传感器的应用;◆采用差动放大器作为霍尔效应传感器的放大器。第一级放大器的增益为G=1+2·R2/R1。当R1=60k时，G=10；当R2开路时，G=1。下一级放大器用VR1进行调整，使得增益为1~2倍。 ◆电位器VR2用于不平衡电压的调整。为了能够具有尽可能好的零点稳定性，需要从大约10个霍尔效应传感器中挑选一个不平衡电压最小的来使用。不平衡电压的大小应当在2~3mV以下。在不同量程间进行切换时，不平衡电压变化幅度比较大，因此每个不同量程都要分别设置自己专用的电位器，如图6-22所示。;为了确定放大器的增益，需要计算霍尔效应传感器的输出电压。THS103A型霍尔效应传感器在IC=5mA，B=0.1T时，其输出电压UH=80mV；因此，在B=0.2T时，UH=160mV；而在B=2T时，UH=1.6V。于是