一种新型电致近紫外发光质料的设计、合成及性质表征.pdfVIP

一种新型电致近紫外发光质料的设计、合成及性质表征.pdf

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一种新型电致近紫外发光质料的设计、合成及性质表征

摘要 摘要 有机电致近紫外发光材料在全色显示、信息存储、照明光源以及偏振光源等 方面具有独特的优势。为了制备电致有机近紫外发光材料,本研究借鉴了共轭高 分子能带工程中的取代基修饰的思路,在共轭高分子主链上引入合适的取代基, 不仅提高了聚合物的溶解性,而且通过调节取代基的立体结构及电子效应改变了 聚合物的共轭平面,从而成功的控制聚合物的能带隙。本论文由分子设计出发, 通过Suzuki金属催化偶联反应,使用不同的共聚单体合成了以聚苯为主链,三 联苯衍生物为侧基的主链上侧基密度不同的单苯共聚物P1和双苯共聚物P2、P3。 单体及聚合物的化学结构通过IR、NMR和元素分析得到确证。聚合物外观为灰 白色粉状固体,室温下溶于CHCl3和THF等有机溶剂。 通过核磁共振谱、凝胶渗透色谱法、带热台的偏光显微镜、紫外.可见光吸 收和荧光光谱分析,考察了三联苯衍生物侧基、不同键接方式及主链苯环密度对 聚合物分子量、液晶性质及其光学性能的影响。研究结果发现:末端烷氧基的增 加可以提高聚合物主链的立构规整性,改善聚合物的溶解性,提高聚合物的溶液 荧光量子效率。聚合物Pl旋涂膜的最大发射峰位置在400am,P2旋涂膜的最 大发射峰位置在410nnl,P3旋涂膜的最大发射峰位置在416nlrl。说明侧基密度 增大,主链发生扭曲,共轭效应减弱,造成发射峰蓝移;侧基密度减小,主链平 面性较好,发射峰发生红移。从而得出:增大分子的空间位阻,可以得到近紫 外发光聚合物。另外,P3的酯键连接相比于Pl、P2的醚键连接,在液晶态加热 后,聚合物的最大荧光发射峰蓝移至393nlll,说明聚合物P3没有Pl、P2的热 稳定性好,聚合物P3的光学性质受热历史的影响比较大。 最后,利用液晶基元在外力场下自发取向的特性,使用商业化的聚酰亚胺取 向板研究了聚合物的取向能力。通过对比聚合物P1、P2和P3取向膜的偏振荧 光光谱,发现液晶基元的取向对高分子主链的取向影响比较大,侧基密度大的聚 合物更利于高分子主链的取向。 关键词:近紫外发光聚苯三联苯衍生物电致发光 Abstract Abst ract 、、 协 d1lm眦 贫 云孝 6 .璺 出 ∞e p 凇 e—n 的0蕾 rf旧..1■L 佩r坦~ :K托 l∞j宝me眦妣钯嘶 T6m吣疵兰me一哇 姒一~a“引船:呶X 笾1; ~棚. 妒 匦{ p,, 盏i差 唧诹 吖啦 willaffectthe ofthe the band electroniceffect energy planes polymer,and co哑ugated 、(二————————.——一 will isthesubstitutemodificationinthe change,this group conjugatedpolymer band— on benzene andbi-benzene this,a 一6—nerg—y engineering.Basedsingle polymer withdifferent been

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