一维硅纳米质料的制备、表征及作为锂离子电池负极质料的研究.pdfVIP

硕士论文 一维硅纳米材料的制备、表征及作为锂离子电池负极材料的研究 傅焰鹏厦门2008 摘要 一维硅纳米材料，以硅纳米线和硅纳米管为代表，具有易与当前成熟的集成 电路工艺相兼容的特征，又可在纳米限域效应方面发挥其独特的性能，因此成为 目前科学研究的热点和前沿。本文采用化学气相沉积的方法制备了硅纳米线和不 同形貌的硅纳米管，并对材料进行了详细地形貌和结构表征，结合大量的实验证 据，提出了这些材料可能的生长模式。考察了硅纳米线和竹节状硅纳米管的发光 特性和一级RalTlall散射光谱。同时，对硅纳米线作为锂离子电池负极材料的应 用进行了初步的研究。本论文的主要研究结果如下： 1．以金纳米颗粒为催化剂，硅烷为硅源，氢气为载气，通过调节硅烷的流 量制备出硅纳米线和硅纳米管，同时在不同的温度4000C、4800C和600oC下制 备了不同形貌的硅纳米管，包括金填充的竹节状硅纳米管、竹节状硅纳米管和中 空的硅纳米管。通过扫描电子显微镜(SEM)和透射电子显微镜(TEM)分析， 硅纳米线是单晶的结构，直径为50nm左右，沿[1111方向生长。三种硅纳米管均 为非晶态结构，但形貌存在差异：①竹节状硅纳米管的直径约为70．100nm，内 部周期性且沿轴排列着类似于钟形屋顶的空心，外壁呈波浪型；②金填充的硅纳 米管，直径大概为50nm，催化剂金间歇性地沿轴向填充在竹节状硅纳米管的实 心部位，空心的尖端更尖，纵横比更大，类似于三角锥型，填充的金颗粒为单晶 颗粒，呈拉长的椭圆形状，通过电子能谱点扫描及线扫描分析，进一步确定了该 材料的成分和金填充的竹节状结构；③中空的硅纳米管，直径为80nm--150nm 左右，内部每个屋顶型空心单元完全连通，形貌类似于通常的硅纳米管，外壁光 滑，内壁却是凹凸曲折的。 2．基于前人对竹节状硅纳米管生长模型的研究，我们综合考虑了流量和温 度等因素，并在实验的基础上，对不同形貌硅纳米管的生长模型进行了完善和深 化。材料成核和生长主要由硅沿液滴合金表面扩散控制。在温度较高条件下，硅 析出时曲率半径增加，致使合金液滴表面产生附加压力，这种随曲率半径逐渐增 加的异向作用力挤压合金液滴，达到临界值时将液滴挤向另一端，留下空心。如 果该推挤的时间大于硅沿催化剂上部扩散到底部的时间，则在空心的底部会形成 硕士论文 一维硅纳米材料的制蔷、表征及作为锂离子电池负极材料的研究 傅焰鹏厦门2008 实心的间隔层。挤压的过程反复进行，最终形成周期性排列的竹节空心结构即竹 节状硅纳米管。温度的升高，会致使推挤速度和扩散速度均变快，如果此时推挤 时间小于扩散的时间，则空心的底部未完全被硅包覆，空心单元之间呈连通状态， 最终形成中空的硅纳米管。而在温度较低时，硅烷的分解速度和硅的扩散速度均 降低，导致附加压力无法将液滴挤向另一端，而是在附加压力作用下被拉长，并 收缩成两个催化剂颗粒和一个空心的间隔层。 荧光特性，SiNTs室温PL谱的中心在455和500niil位置，而SiNWs在455和 530 nill 发光强度皆逐渐增强，当温度低于200K左右，两种硅纳米材料在417和440 均出现了两个新峰，这是由过剩硅纳米晶粒形成的含有硅空位缺陷引发的。SiNTs 有两个阴极发光带，分别是470和630nlil，这与SiNWs的发光带相同。 4．SiNTs的胁nall光谱存在488cm1和520cm‘1两个峰，分别对应SiNTs 主体部分的非晶态硅和过剩硅晶粒的晶态硅的谱峰。晶态SiNWs的R；tmmrl谱峰 向低频方向发生了不对称宽化，同时可在494cm。1观察到一肩峰。随着激光功率 的降低，SiNWs在494cm。1处的肩峰逐渐变得尖锐可见，且不随激光功率的变化 而发生频移；而508cm。谱峰，峰形对称，随激光功率的降低谱峰强度相应降低， 并有逐渐蓝移倾向。 5．采用两种方法制备电极：一种是采用涂膜法，将制备的硅纳米线与导电 剂及粘合剂混均后涂膜并压制在导电基底上，制成电极；另一种是直接生长成膜 法，即在导电基底上直接生长硅纳米线，形成电极。涂膜法制备的硅纳米线电极 循环性能差，而直接生长纳米线制备的硅纳米线电极具有良好的循环特性，容量 保持率较优异。随着充放电电流的增加，这种硅纳米线仍表现出较高的充放电容 量，同时也展现出良好的循环稳定