第12章 X射线光电子能谱PPT.ppt

11 .3 X射线光电子能谱在材料科学中的应用 它主要是通过电子结合能和化学位移，即根据特征光电子峰的位置、峰形以及它们的变化来对样品表面的化学组成、原子状态或分子结构进行判断和解释。 1：硅晶体表面薄膜层的物相分析。对薄膜进行XPS全扫描分析，分析前用离子束溅射一定时间，以除去样品表面的污染物。定性分析确定薄膜由Zn和S组成。以什么化学态形成膜层，对Zn元素的最强峰进行窄扫描分析，根据此峰位及含有S元素，查文献中Zn的标准谱图，可以确定薄膜中的Zn是以ZnS的形式存在。 ? 图7-10 O1s，Fe2p，Co2p的结合能 ? ? 由于发射光电子的还原作用，Fe元素和Co元素分别被还原为FeO和CoO，Fe2p3/2从710.9ev变为 710.4ev，Co2p3/2从780.3ev变为 780.7ev，Co在9.0ev处卫星峰消失，Co2p3/2峰变宽强度减弱，说明Co2O3被还原为CoO，在样品b 中存在Co3+。Ar+刻蚀后，O1s主峰位电子结合能仍为530.0ev，未发生变化，次峰位电子结合能从531.3ev变为531.6ev。 样品中不同元素XPS电子结合能和表面原子比 样品 结合能/ev m( Co /Fe) Fe2p3/2 Co2p3/2 O1s Co3s Fe3s / 710.4 780.2 530,531.3 / / 0 a 710.9 780.2 530.0,531.3 101.5 93.2 30.4/69.6 b 710.9 780.3 530.0,531.3 101.8 93.4 48.9/51.1 c 710.4 780.7 530.1,531.6 / / 28.2/71.8 从O1s的结合能来看，当钴含量为2.71%，O1s主峰的电子结合能为529.9ev，次峰的电子结合能为531.3ev，529.9ev处的峰为CoFeO4中的O，531.3ev处的峰为CoFeO4表面吸附OH-，峰面积比分别为69％，31％。当钴含量为5.03%，O1s同样出现两个峰，峰位分别为530.0ev和531.3ev，来自于CoFeO4中的O和CoFeO4表面吸附OH-，峰面积比分别为64％，36％。从Fe2p的结合能来看，当钴含量为2.71%或5.03%，Fe2p3/2电子结合能都为710.9ev，峰强度基本相同，Fe3O4中Fe 的2p轨道的电子结合能为710.4ev， CoFeO4中Fe 2p轨道的电子结合能也为710.5ev，说明包钴后发生了0.4ev的化学位移，包覆层与内核Fe3O4之间存在一种强的相互作用，增加电子结合能. 2：聚丙烯薄膜氟化的研究 将厚度为20μ的PP薄膜置于F2／N2气氛中经适当条件进行氟化。 CHF, CHF2, CF, CF2, CF3 结果表明，经氟化后的膜表面F1S峰很强，随氟化时间的增长，F1S峰也增强，而C/F降低。不过与时间没有绝对正比关系，最后趋于饱和。由Cls峰的变化可以看出，产生多重不同程度的化学位移，说明氟原子不是简单地吸附或堆集在膜的表面，它已不同程度地取代了氢原子而与碳原子键合在一起，所以才出现了C1s多重峰。根据C1s峰位的变化，可以推测F与C的键合方式可能有CHF, CHF2, CF,CF2,CF3等多种形式。随氟化时间的改变，各种键合方式的组成百分比也在变化。从图16-5上还可以看出，氟化时间长，F取代H的个数越多，CF2和CF3增多使多重峰向动能低的方向移动。如进一步对比试验，运用计算机技术设法将峰分开可以研究氟化动力学以及氟化深度等问题。 3：活塞环表面涂层的剖析。用Cr,Fe制作的活塞的表面涂有一层未知物，用ESCA法将涂层制成薄片后进样，马上打出3C1s和F1s峰，说明这个涂层是碳氟材料。 4：高聚物表面氧化的研究。ESCA可以用来研究 高聚物表面的氧化程度，下图是低密度聚乙烯(LDPE)膜经脱水处理前后的ESCA谱。由图可见，在脱水前的O1s峰上还显示出有少量的水，在C1s峰肩上有一个小峰>C=0，它的位移值?=3eV,下图是高密度聚乙烯(HDPE)的C1s和O1s能级。 5：嵌段共聚物表面结构的研究 6：含氟均聚物的研究 7：含氟共聚物的研究 11.2 原子探针显微分析 场离子显微镜（FIM）由于具有高分辨率，高放大倍数的特点，故可以直接观察到固体表面单个原子。 将场离子显微镜与飞行时间质谱仪组合成场离子显微镜－原子探针（FIM－AP），可鉴别几纳米的极微区的化学成分，并且对原子序数无任何限制，因此，原子探针显微分析技术越来越受到人们的青睐。 场离子显微镜和原子探针技术几乎都是E. Muller个人的天才发明。 1956年，Muller在样品的尖端施