第3章元器件失效分析技术.PDFVIP

第3章 元器件失效分析技术 3.1 电子元器件失效 光辐射显微分析技术 分析技术 3.2 电子元器件失效 光学显微镜分析技术 分析常用设备 红外显微镜分析技术 元器件失效分析的常用 显微红外热像仪分析技 设备 术 国外可靠性失效分析实 声学显微镜分析技术 验室设备情况 液晶热点检测技术 3.1 电子元器件失效分析技术 3.1.1 光学显微镜分析技术 立体显微镜和金相显微镜结合使用，可进行器 件的外观以及失效部位的表观形状、分布、尺 寸、组织、结构、缺陷和应力等观察。 如观察分析芯片在过电应力下的各种烧毁与击 穿现象、引线内外键合情况、芯片裂缝、沾 污、划伤、氧化层缺陷及金属层腐蚀等。 1．明、暗场观察 明场观察光洁表面可获得一个明亮清晰的图 像。 暗场观察让较大入射角度的入射光线照明样 品。对观察有小空洞或隆起物等不光滑表面的 样品有效。 中国可靠性网 2 ．光的干涉法测薄膜厚度 干涉条纹测量原理：当两道 光的光距差为半波长的奇数倍 ，两道光的相位相反，出现暗 条纹。在SiO2 台阶上将出现明 暗相间的干涉条纹。 3．微分干涉相衬观察 观察到样品表面的双折射现象。如果样品的双折 射是内部的应力引起，则可通过偏振光干涉法观 察到应力在样品表面的分布。 偏光干涉法的另一主要应用，是在集成电路芯片 涂覆一层向列相液晶，利用液晶的相变点来检测 集成电路芯片上的热点。 3.1.2 红外显微镜分析技术 红外显微镜采用近红外（波长在0.75～3 μm ） 辐射源做光源，并用红外变像管成像的红外显 微镜分析技术。 锗、硅等半导体材料及薄金属层对近红外光是 透明的。利用红外显微镜，不用剖切芯片就能 观察到芯片的内部的缺陷和芯片的焊接情况。 适合于塑料封装半导体器件的失效分析。 红外显微技术对微电子器件的微小面积进行高 精度非接触测温的方法。 中国可靠性网 红外显微技术在半导体器件失效分析中 的应用: 1.从芯片背面正入射透过衬底，在芯片表面反射回来。 此方式可以检查金属与半导体的接触质量、金属腐 蚀、金属化连线的对准情况和引线键合情况等。 2. 从芯片的表面正入射，透过硅衬底后，在芯片的底面 处反射回来，可以无损地检查芯片与底座之间的焊 接情况。 3. 用透射方式。去掉封装管帽，把芯片底部的焊接层磨 去并抛光。观察时在金属层和硅化物层有针孔的地 方出现亮点，针孔位置、大小和密度。 4. pn 结加正偏压时，观察硅表面发出的红外光。 5. 偏振光观察方式。材料内部存在缺陷和应力时，局部 区域的光学性质产生变异。可观察到半导体材料本 身缺陷或封装引入的管芯应力。 3.1.3 显微红外热像仪分析技术 显示芯片上反常热分布，暴露不合理的设计和工艺 缺陷等,检测: 1. 芯片与管座间的黏结性能； 2. 由于晶体缺陷、杂志和静电放电引起的漏电通道； 3. CMOS 电路闩锁通道； 4. 划伤处或氧化层台阶处金属化层的局部发热； 5. 多层布线互连孔的局部发热等，分析互连的异常情况； 6. 由大电流引起的内引线过分发热； 7. 芯片裂缝；针孔漏电和扩散尖端处的局部发热等。 8. 测定器件的热阻（静态、动态热阻）。 20世纪90年代中期发展起来的多元面阵探头显微红外热像 仪，不仅测量结构相对简单，而且测量速度更快、空间分 辨率更高。 中国可靠性网 图是一个混合集成电路（初步设计定型后）热设计验证 的温度分布图。 片式电容器温