电池工艺对组件衰减影响.PDFVIP

电池工艺对组件衰减的影响 链接：/tech/115191.html 来源：集邦新能源网 电池工艺对组件衰减的影响 电池片的生产过程是极其重要的一个过程，工艺参数的稳定性及差异性会对电池片的功率输出造成极大的波动，间 接引起组件衰减过大，产品不合格。基于此，本文从电池片生产过程的一些重要环节入手，找出其中存在的问题，加 以优化改进，提高产品质量，节约成本。 1电池工艺对组件功率损失的分析 1.1 光学损耗 地面用硅太阳能电池的光谱响应范围一般为300nm～1100nm，因此，任何这一波段的光进入电池都会造成光学上的 损失［1］。可以从光的透射和反射两方面进行分析［2］。太阳能多晶电池的表面会沉积一层减反射膜，即氮化硅膜 ，做成组件之后其上有EVA和钢化玻璃（两者的折射率约为1．48左右），如图1所示。为使组件的透射率达到最大的 减反效果，还需要使SiNx膜的折射率、EVA和玻璃的折射率得到最好的匹配结果和最佳光学上的减反射效果，这样可 以有效地增加组件的输出功率。 增透膜是根据薄膜干涉原理，在介质表面镀一层或多层薄膜，可以有效减少光的反射，这种膜就是减反射膜［3］ 。当光垂直入射时，介质表面的反射率见式（1）： 电池工艺对组件衰减的影响 链接：/tech/115191.html 来源：集邦新能源网 依据上述原理可根据组件钢化玻璃或镀膜玻璃与EVA的不同折射率，设计相应的氮化硅薄膜的折射率，达到组件的 光学最佳匹配。 1.2 电学损失 电池引起的电学损耗包括电池片串联时电流不匹配、焊条与电极的接触电阻、扩散方阻不均匀引起的功率损失、电 池片边缘摩擦后引起边缘短路等。本文主要研究扩散方阻不均匀与电池摩擦的电学损失。扩散方阻不均匀是指扩散之 后，硅片出现部分扩散不到区域，此区域方阻值较大，容易造成漏电过大和电池片串阻过高。接受光照时，因方阻不 均匀，电池片方阻较小区域容易发热过高，导致电池片温度升高，继而引起效率降低。图2、图3为扩散不均匀硅片与 EL图像。 电池工艺对组件衰减的影响 链接：/tech/115191.html 来源：集邦新能源网 摩擦功损主要存在于使用湿法刻边工艺的电池片中，电池片经丝网印刷烧结之后，皮带传输、质检分选、组件焊接 等过程中片与皮带、片与片之间摩擦时造成边缘残留金属粉粒，从而导致漏电增大，效率降低。 2实验方案与分析 2.1 PECVD的配方优化实验［4］ 设计2组不同折射率的双层氮化硅膜实验，一组以空气、双层氮化硅、硅片为光传输介质；另一组以钢化玻璃与EV A、双层氮化硅、硅片为传输介质。根据，已知空气折射率为1．0、组件钢化玻璃与EVA的折射率为1．48，硅的折射 率为2．76，可计算出2组氮化硅双层膜的折射率。选取电池吸收波长能量最大的600nm计算相应的双层膜厚。将上述2 组材料做成组件测试其衰减情况，封装结果见表1。 2.2扩散方阻不均匀的实验 电池工艺对组件衰减的影响 链接：/tech/115191.html 来源：集邦新能源网 选取2组扩散实验片，每组600片，一组片内偏差较大，二组方阻均匀，共制作6块组件。图4为2组组件的EL图，由 图4可看出，偏差较大分组EL图像中明显存在偏暗或偏亮的区域。 表2为组件测试数据，由表2数据看出，片内方阻偏差较大的功率损失较大，主要因为，方阻偏差较大，电池片内部 电流分布不均匀，导致局部结浅，串联电阻较大，同时容易导致漏电增大，最终导致功率损失变大。 2.3 电池片摩擦实验 选取2组相同效率段电池片，每组10片，一组使用激光切边，二组为正常湿法切边，人为模拟片与片之间的摩擦， 观察摩擦前后的数据。表3、表4分别为摩擦前、后的数据对比。由表4数据看出，激光切边摩擦前、后的数据比较稳 定，而湿法切边摩擦前、后的数据对比差距比较明显，主要表现在并阻降低、反向电流升高、填充降低。 使用显微镜观察摩擦前、后电池片边缘，如图5所示。 由图5看出，摩擦后电池片边缘会出现亮点，分析其成分应为