氧化铟镁薄膜晶体管紫外探测器的研究8.pptVIP

page 氧化铟镁薄膜晶体管紫外探测器的研究 卢慧玲 2014.4.4 内容提要 实验背景 实验方案 实验目的 实验计划 实验流程 测试项目 预期结果 后续工作 实验背景分类 实验背景探测机理分类 实验背景材料种类分类 实验背景TFT结构优势 三端器件，对耗尽层的控制好 可以通过栅压来调节费米能级的位置来解决光电二级管中难解决的持续光电导作用 集成度高，可做在大的玻璃基板上，形成探测器阵列用于图像传感器 实验背景宽禁带半导体TFT紫外探测器研究背景 2003年，H.S. Bae连续发表了几篇关于ZnO-TFT（ZnO~3.3eV）探测器的文章。但由于ZnO中有太多的缺陷，对可见光比较敏感，波长的选择性不是太高，工作电压高，响应速度慢，陆续有人对ZnO进行了不同的掺杂以得到禁带宽度更大的氧化物半导体如镓、镁（Ga2O3~4.9eV,MgO~7.2eV）。但掺杂后迁移率不高，电学性能不好。而实验结果表明开态电流不高的器件受光后在关态电流增加也不高（最大两个数量级），所以做探测器，好的电学特性也是有必要的。 实验方案有源层选择 In对提高迁移率至关重要，而MgO禁带宽度达到7.2eV,如果两者进行掺杂，可以得到迁移率高，禁带宽度大的半导体。并且在90年代，日本科学家Hiroshi Kawazoe等人研究了尖晶石结构的一系列材料作为透明导电薄膜的可行性和