SDRAM_工作过程.pdf

SDRAM 工作过程 SDRAM是Synchronous Dynamic Random Access Memory（同步动态随机存储器） 的简称，它将CPU和RAM通过一个相同的时钟锁在一起，使得RAM和CPU能够共 享一个钟周期，以相同的速度同步工 作，从而解决了CPU和RAM之间的速度不 匹配问题，避免了在系统总线对异步DRAM进行操作时同步所需的额外等待时间， 可加快数据的传输速度。 SDRAM 工作过程： 启动初始化： 1、同时启动设备核心电源VDD和设备I/O电源VDDQ。声明并维持CKE引脚为高 电平（CKE引脚为Clock Enable，时钟使能信号，高电平表示启动内部时钟信号）。 2、等到VDD和VDDQ稳定后并且CKE设为高电平，应用稳定时钟。 3、等待200μs执行空操作命令。 4、precharge：预充电命令。SDRAM执行一条预充电命令后，要执行一条空操作 命令，这两个操作会使所有 的存储单元进行一次预充电，从而 使所有阵列中的 器件处于待机状态。引脚A10(=AP Auto Precharge)可以对预充电的模式进行选 择，当A10=LOW时，给单个bank pre-charge,bank由BA0和BA1引脚进行选择； 当A10=HIGH时，给所有的bank进行precharge。 5、auto-refresh：自刷新命令。SDRAM要执行两条自刷新命令，每一条刷新命 令之后，都需要执行一条空操作命令。这些操作会使 SDRAM内部的刷新及计数 器进入正常运行状态，以便为SDRAM模式寄存器编程做好准备。 6、load mode register：设置模式寄存器。Mode Register一般被用于定义 SDRAM 运行的模式，寄存器里一般设置了读取延迟，burst 长度，CAS，burst 类型，操 作模式，还有是设置 SDRAM是工 作在单个读写操作还是burst操作下。 Mode Register通过LOAD MODE REGISTER命令进行编程，这组信息将会一直保存在Mode Register中直到内存掉电之后才会消失。而这个寄存器的设置也是通过地址线 来设置的，所以在发出Load Mode Register命令后要做一个操作是使得在SDRAM 的地址线上的值就是你要设置的值。注意！这个操作是8位的操作。Mode Register 中的M0-M2是用来定义突发长度（burst length）的,M3定义突发类型 (sequential或者interleaved),M4-M6定义CAS延迟,M7和M8定义运行模式， M9定义 写入突发模式（write burst mode）,M10和 M11目前保留。Mode Register 必须在所有的bank都处于idle状态下才能被载入，在所有初始化工组都进行完 毕之前，控制器必须等待一定的时间。在初始化过程中发生 了任何非法的操作 都可能导致初始化失败从而导致整个计算机系统不能启动。 设置完模式寄存器之后就进入了正常读写操作模式。 SDRAM 的基本读写操作 SDRAM的基本读操作需要控制线和地址线相配合地发出一系列命令来完 成。先发出 BANK 激活命令（ACTIVE），并锁存相应的 BANK 地址（BA0、 BA1 给 出）和行地址（A0～A12给出）。BANK激活命令后必须等待大于tRCD(SDRAM的 RAS到CAS的延迟指标)时间后，发出读命令字。 CL（CAS延迟值）个工作时钟 后，读出数据依次出现在数据总线上。在读操作的最后，要向SDRAM发出预充电 （PRECHARGE）命令，以关闭已经激 活的页。等待tRP时间（PRECHARGE）命令， 以关闭已经激活的页。等待tRP时间（PRECHAREG命令后，相隔tRP时间，才可 再次访问该 行）后，可以开始下一次的读、写操作。SDRAM的读操作只有突发 模式（Burst Mode），突发长度为1、2、4、8可选。 SDRAM的基本写操作也需要控制线和地址线相配合地发出一系列命令来 完成。先发出BANK激活命令（ACTIVE），并锁存相应的BANK地址 （BA0、BA1 给出）和行地址（A0～A12给出）。BANK激活命令后必须等待大于tRCD的时间 后，发出写命令字。写命令可以立即写入，需写入数据 依次送到DQ（数据线） 上。在最后一个数据写入后延迟tWR时间。发出预充电命令，关闭已经激活的页。 等待tRP时间后，可以展开下一次操作。写操作可以 有突发写和非突发写两种。 突