电子技术第5章 场效应管放大电路1课件.pptVIP

增强型MOS管特性小结 耗尽型MOSFET的特性曲线 场效应管与晶体管的比较 结型场效应管的特性小结 ☆5.5 各种放大器件电路性能比较 3. 小信号模型分析 （2）输入输出电阻 Ro 本章作业 5.1.1；5.1.2； 5.2.4；5.2.5； 5.3.5；5.3.8； 5.5.1。 5.3.1 JFET的结构和工作原理 5.3.2 JFET的特性曲线及参数 5.3.3 JFET放大电路的小信号模型分析法 5.3 结型场效应管 1. N沟道结构 5.3.1 JFET的结构和工作原理 2. 工作原理 ① vGS对沟道的控制作用 当vGS＜0时 当沟道夹断时，对应的栅源电压vGS称夹断电压VP （ 或VGS(off) ）。 对于N沟道的JFET，VP 0。 PN结反偏 耗尽层加厚 沟道变窄。 ? ? vGS继续减小，沟道继续变窄。 注意：加的是反偏电压 ② vDS对沟道的控制作用 当vGS=0时， vDS? ? iD ? g、d间PN结的反向电压增加，使靠近漏极处的耗尽层加宽，沟道变窄，从上至下呈楔。 当vDS增加到使vGD=VP 时，在紧靠漏极处出现预夹断。 此时vDS ? 夹断区延长 ? 沟道电阻? ? iD基本不变 ? ③ vGS和vDS同时作用时 当VP vGS0 时，导电沟道更容易夹