第5篇_Mem1 半导体存储器.ppt

西安邮电学院 计算机系 图6.7 Intel 2114引脚及逻辑符号 (a) 引脚；(b) 逻辑符号 当片选信号 CS＝0 且 WE＝0 时，I/O电路对被选中单元的4位进行写入； 当 CS＝0 且 WE＝1 时，I/O电路将被选中单元的4位信息读出到数据线； 当CS＝1（即CS无效）时，不论WE为何种状态，芯片不工作，数据端口为高阻状态。 地址输入线A0?A9送来的地址信号送到地址译码器，经译码后选中一个存储单元(有4个存储位)。 2114 RAM “读/写” 时序 6.2.2 动态RAM 1．动态RAM的基本存储电路 动态存储器和静态存储器不同，动态RAM的基本存储电路利用电容存储电荷的原理来保存信息，由于电容上的电荷会逐渐泄漏，因而对动态RAM必须定时进行刷新，使泄漏的电荷得到补充。动态RAM的基本存储电路主要有六管、四管、三管和单管等几种形式，在这里我们介绍四管和单管动态RAM基本存储电路。 PASS 2008-5-13 1) 四管动态RAM基本存储电路 图6.5所示的六管静态RAM基本存储电路依靠Vl和V2管来存储信息，电源VCC通过V3、V4管向V1、V2管补充电荷，所以Vl和V2管上存储的信息可以保持不变。实际上，由于MOS管的栅极电阻很高，泄漏电流很小，即使去掉V3、V4管和电源VCC，Vl和V2管栅极上的电荷也能维持一定的时间，于是可以由V1、V2、V5、V6构成四管动态RAM基本存储电路，如图6.8所示。 PASS 2008-5-13 图6.8 四管动态RAM存储电路 PASS 2008-5-13 电路中，V5、V6、V7、V8管仍为控制管，当行选择线X和列选择线Y都为高电平时，该基本存储电路被选中，V5、V6、V7、V8管都导通，则A、B点与位线D、D分别相连，再通过V7、V8管与外部数据线I/O、I/O相通，可以进行读/写操作。同时，在列选择线上还接有两个公共的预充管V9和V10。 写操作时，如果要写入“1”，则在I/O线上加上高电平，在I/O线上加上低电平，并通过导通的V5、V6、V7、V8 4个晶体管，把高、低电平分别加在A、B点，将信息存储在V1和V2管栅极电容上。行、列选通信号消失以后，V5、V6截止，靠V1、V2管栅极电容的存储作用，在一定时间内可保留所写入的信息。 PASS 2008-5-13 读操作时，先给出预充信号使V9、V10导通，由电源对电容CD和CD进行预充电，使它们达到电源电压。行、列选择线上为高电平，使V5、V6、V7、V8导通，存储在V1和V2上的信息经A、B点向I/O、I/O线输出。若原来的信息为“1”，即电容C2上存有电荷，V2导通，V1截止，则电容CD上的预充电荷通过V6经V2泄漏，于是，I/O线输出0，I/O线输出1。同时，电容CD上的电荷通过V5向C2补充电荷，所以，读出过程也是刷新的过程。 PASS 2008-5-13 2) 单管动态RAM基本存储电路 单管动态RAM基本存储电路只有一个电容和一个MOS管，是最简单的存储元件结构，如图6.9所示。在这样一个基本存储电路中，存放的信息到底是“1”还是“0”，取决于电容中有没有电荷。在保持状态下，行选择线为低电平，V管截止，使电容C基本没有放电回路(当然还有一定的泄漏)，其上的电荷可暂存数毫秒或者维持无电荷的“0”状态。 PASS 2008-5-13 PASS 2008-5-13 3) 动态RAM的刷新 动态RAM是利用电容C上充积的电荷来存储信息的。当电容C有电荷时，为逻辑“1”，没有电荷时，为逻辑“0”。但由于任何电容都存在漏电，因此，当电容C存有电荷时，过一段时间由于电容的放电过程导致电荷流失，信息也就丢失。因此，需要周期性地对电容进行充电，以补充泄漏的电荷，通常把这种补充电荷的过程叫刷新或再生。随着器件工作温度的增高，放电速度会变快。刷新时间间隔一般要求在1~100 ms。工作温度为70℃时，典型的刷新时间间隔为2 ms，因此2 ms内必须对存储的信息刷新一遍。尽管对各个基本存储电路在读出或写入时都进行了刷新，但对存储器中各单元的访问具有随机性，无法保证一个存储器中的每一个存储单元都能在2 ms内进行一次刷新，所以需要系统地对存储器进行定时刷新。 2．Intel 2164A动态RAM芯片 Intel 2164A芯片的存储容量为64K?1位，采用单管动态基本存储电路，每个单元只有一位数据，其内部结构如图6.10所示。2164A芯片的存储体本应构成一个256?256的存储矩阵，为提高