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材料科学和人类文明-第6章 信息材料
触摸屏简单原理 触摸屏简单原理 触摸屏简单原理 等离子体(电离气体)显示技术(PDP)基本原理 液晶结构 液晶分类 光纤分类 按折射率分布分类:阶跃型、渐变型 按材料分类:玻璃光纤、塑料光纤 信息简介 信息处理技术和材料 信息传递技术和材料 信息存储技术和材料 信息显示技术和材料 信息存储技术和材料 硬磁盘技术的发展 时间 1992 1995 1998 2000 2003 储存容量(GB) 0.6 0.9 5-10 10 50 储存密度(Gb/in2) 0.1 0.8 4 6 20 数据率(Mb/s) 16 100 150 350 500 存取时间(ms) 30 20 10 6 5 数字信息存储要求:高密度、高传输率、长寿命、高擦写次数、低价格 提高存储密度主要依赖于磁介质材料! 磁介质材料 磁介质材料 磁性氧化物(氧化铁)涂在塑料/金属薄片上 (70’) 超细磁性氧化物粉末、磁性氧化物薄膜 (80’) 连续磁性介质CoCrPt、CoCrTa薄膜 (90’) Co/Sm钐、Fe/Pt、Fe/Cr、Co/Cu多层膜 磁记录 记录传感元件是磁头 在21世纪初仍有很强的生命力,利用垂直磁记录、纳米单磁畴技术,再加先进磁头的采用,可能使记录密度达100Gb/in2,所用介质为氧化物磁粉(?-Fe2O3、加 Co-?-Fe2O3、CrO2)、金属磁粉、钡铁氧体粉 磁盘结构示意图 Liquid lubricant 1-2 nm 类金刚石碳 (DLC) 10-15 nm Magnetic coating 25-75 nm Al-Mg/10 ?m NiP or Glass-ceramic 0.78-1.3 mm 5mm 磁盘存储材料 光盘存储材料 高密度光盘存储材料 磁光存储介质——Pt/Co、MnBiAl 稀土掺杂钇铝石榴石YIG (yttrium aluminum garnet) 相变型存储介质——Ge锗-Te碲-Sb锑, In铟-Sb-Ag-Te等 有机存储介质——菁化合物、酞菁化合物、螺环化合物等 磁光记录 记录传感元件是光头 磁光盘介质主要是稀土-过渡族金属,如TbFeCo、GdTbFe、NdFeCo 最新的是Pb/Co多层调制膜或Bi石榴石薄膜 磁光盘的特点在于可重写,可交换介质 光、磁存储性能比较 中等性能 0.8~1 Gb/in2 40 Mb/s 序列存取 高容量 低价格 可移动 长寿命(3-5年) 高性能 2~4 Gb/in2 150 Mb/s 随机存取 高容量 价格合理 不可移动 寿命较短 中等性能 0.25~2 Gb/in2 25 Mb/s 随机存取 高容量 低价格 可移动 长寿命( 10年) 磁带 硬盘 光盘 光、磁存储性能比较 与磁存储技术相比,光盘存储技术的特点为 1 非接触式读/写、擦 2 信息的载噪比(SNR,signal-to-noise ratio)高 3 信息位价格低,只读式光盘可大量复制 高分子液晶信息存储示意图 信息存储高分子液晶 侧链型高分子液晶通常具有较高的玻璃化转变温度 利用这一特性,可使它在室温下保存一定工作条件下记录的信息 首先将存贮介质制成透光的向列型晶体 用一束激光照射,高分子液晶局部温度升高,熔融成各向同性液体,失去有序度 激光消失后,高分子液晶凝结为不透光的固体,记录结构被冻结,所记录的信息在室温下将被永久保存 信息存储高分子液晶 同光盘相比,采用热致性侧链高分子液晶为基材制作信息贮存介质,由于其记录的信息是材料内部特征的变化,因此 ● 可靠性高 ● 不怕灰尘和表面划伤 ● 适合重要数据的长期保存 信息简介 信息处理技术和材料 信息传递技术和材料 信息存储技术和材料 信息显示技术和材料 信息显示技术和材料 阴极射线管显示(CRT-cathode ray tube) 场致发射显示 (FED-field effect display) 发光二极管显示 (LED-light emitting diode) 等离子体显示 (PDP) 液晶显示 (LCD-liquid crystal display) 光电显示技术发展历史 100多年前, 德国布朗发明了阴极射线管,开始了光电显示 20世纪60年代,液晶显示 20世纪70年代,扭曲向列液晶显示(TN-LCD) 20世纪80年代,超扭曲向列液晶显示(STN-LCD) 20世纪90年代,薄膜晶体管有源矩阵液晶显示 (TFT-LCD) 近年来, 彩色等离子体显示 显示器件性能评价 亮度 垂直于光束传播方向单位面积发光强度 发光效率 显示器件辐射出的单位能力所发出的光通量 对比度 显
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