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连续导通平均电流型PFC电路的设计程序
连续导通平均电流型PFC电路适合中功率和大功率使用。它的峰值电流相对较小,电感及功率MOSFET都比较好选择。ONSEMI公司最新推出的NCP1653即是一款很优秀的控制IC。
NCP1653是一个CCM型的预升压调整器﹐它以PWM方式控制功率开关的导通时间,工作频率固定且,采用连续的升压电感电流的方式工作。
NCP1653采用DIP-8或SO-8封装﹐电路最大限度地减小了外围元件数﹐有效的执行PFC功能,它还集成了高度安全的保护特色﹐使的得这款IC能够驱动和控制一个有效输入功率箝制的PFC功能。
选用NCP1653是一个理想的方案﹐它使系统成本低廉,可靠且功率因数很高。还具备了全部功率因数校正所必备的功能,建起有效的PFC级。其特色有:
1,高竞争力和可塑性。
2,微功耗和关断控制功能。
3,各种安全保护功能。
4,最大输出电流限制。
5,输出过压和欠压保护和关断。
6,输出过功率限制。
7,芯片过热关断功能。
图1 NCP1653组成的PFC前级电路
当选定控制IC以后,首先决定其外围元件的数值,然后开始以下几个步骤。
第一步﹕功率元件的选择﹕
1﹒磁芯选择
通常采用限制电流纹波的方法﹐使其工作在预检值之下﹐纹波电流为最大电流的(15%。输入电流在低线路时最大,其为﹕
此处,Pout max 是最大输出功率,Vac min是最低输入电压,η是效率。
如果我们假设η=92%﹐则Iin(max)==5.1A。磁芯纹波电流的峰-峰值由下式给出﹕
I riple =
=
典型目标,电流纹波为AC电流幅度的10-50%,这样,所需的电感量为:
对于100KHz的f和390V的Vout(max) L = 557μH,取600μH。
最后忽略磁芯的纹波电流,则Icoil rms = Pout / η*Vac(low),其均方根值等
于AC线路RMS电流,所以磁芯的均方根电流Icoil rms为:
最后结果,L = 600uH, I coil max = 5.8A, I coil rms = 3.7A。
2.功率硅器件
通常二极管整流桥,功率MOSFET及升压二极管都要做散热考虑。先按功耗估算。在世界全电压范围,损耗为输出功率的6%,在欧洲则为输出功率的3%。根据其损耗源给出:
式中,Vf为二极管正向压降。
功率MOSFET的导通损耗为:
MOSFET体二极管的导通损耗为:Pα= Vf*Pout / Vout = 0.75W,Vf = 1V。
MOSFET的开关损耗及二极管的开关损耗取决于所选择的二极管以及吸收回路。因此这个预测是困难的而且不准确,仅为经验数据。开始功耗预计为6%,经验测试能保证估计的准确性。
3﹒输出滤波(BULK)电容
除非另有考虑(如保持时间),选择大电容的主要准则是允许的最大纹波电压,(电容上100或120Hz的电压波动)。纹波电压的要求如下:
此处,δVpk为最大允许的峰峰值电压纹波,ω是AC线路角频率,在此应用
中,允许纹波电压为 +/- 3.5% (δVpk) = 7%Vout,这需要如下式给出的容量。
选取100μf/450V大小的电解电容。如果规格书中要求保持时间,则要符合下式: 此处,Vout1为标称输出电压390V,Vout2为保持时间T hold内的最低值。T hold=10ms ,Vout2300V,则Cbulk = 96.6uf。
按此规范,可以选择100uf / 450V,当然,计算要考虑平均的Vout1,以替代其最小的状态,为此,选择150uf / 450V。
对于Bulk电容的发热,还要选择ESR足够低的电容,以防止均方根电流流入后的电容发热。此均方根电流取决于下游变换器的输入阻抗,此处没有计算。一个简化的解决方法是在低线路电压及最大功率之下最坏情况的经验测量数据最接近的方法。这可以用PSpiece仿真来估计其幅度。
第二步﹕反馈系统的安排
如图1所示,反馈系统的安排要考虑如下几个问题:
1,滤波电容防止一些开关噪声﹐可在1pin接1nf的电容。
2,接一电阻在输出电压与1pin之间﹐提供反馈电流﹐其正比于Vout。实际上通常考虑采用2-3个电阻串联回馈。(此为安全考虑,对于高压回馈,回馈的偶然不足会破坏控制器。这就是为什么用多个电阻串联)。
3,电容C加到2pin设置调整率及带宽。(与内部300K电阻一起)。对于
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